半导体用特种气体的处理方法干法处理装置

在硅半导体生产中，作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气；作为硅铝膜蚀刻用气，需消耗多种氢化物(如甲硅烷、砷烷、磷烷)和卤化物(如三氯化硼、三氟化硼、氯化氢)。作为光电管和高速管用而大有希望的Ⅲ-V族半导体的生产过程中，同样消耗这类气体。     

SiH4的制造方法

SiH4历来用作制造半导体用多晶硅、外延膜生长、硅器件钝化膜和聚硅膜等的原料气。目前，以发现非晶硅(a-Si：H)为契机，有关SiH4的应用研究就活跃起来了。而且，非晶硅的一部分已作为非晶形太阳电池和静电复印机用的感光磁鼓出售，体现了对SiH4的一部分需要。     

类金刚石膜的性能及应用研究

研究了利用低能离子束技术，在单晶硅片等多种基体表面形成类金刚石薄膜（ＤＬＣ膜）的工艺，测试了其物理化学力学性能，在硅片，硅太阳电池和半导体等表面进行了形成类金刚石膜的应用研究。     

半导体硅材料的技术进步

70年代前期，为适应半导体器件高速化的要求，大多数硅企业致力于CraAs材料的研究。但是GaAs作为化合物半导体材料在结晶缺陷、大直径化、器件工艺等方面存在着难以解决的问题。因此器件厂家试图通过提高硅材料质量、氧化膜稳定性和微细化水平实现器件的高速化。到目前为止，在半导体材料中硅仍占绝对统治地位。但随着微细化技术接近极限，硅的电子迁移率又成为问题。因此，提高硅的电子迁移率、使用可提高电子迁移率的结晶结构成为研究热点。     

甲硅烷的爆炸界限

甲硅烷是用于半导体元件生产的气体。在日本，它的消耗量随半导体工业的发展而急剧增加，主要用于硅的外延工艺、氧化膜及氮化膜的制造工艺等。另外，它还可用于太阳能电池的非晶硅的制造和复印机感光鼓的制造，预计将来的消耗量会更大。从前，甲硅烷几乎不用在工业上，所以，目前，与甲硅烷危险性有关的数据很少。     

二氯二氢硅的制备

一、前言四氯化硅在半导体工业中作为外延淀积硅源,虽然工艺早已趋于完善,但至今存在无法克服的技术问题,如外延淀积膜不均匀等。有人从硅源的原料进行改革,即以二氯二氢硅来代替四氯化硅,经试验,有如下特点。     

电子材料

“十五”国家科技攻关计划“半导体照明产业化技术开发”重大项目通过科技部验收；863计划新材料领域“硅基镓氮固态光源关键技术研究”取得重要进展；中科院半导体所与秦皇岛市签署半导体照明重大装备MOCVD项目合作协议；日立化成将在苏州设立感光膜生产基地；化学所制备出具有浸润、变色双功能的“光开关”氧化钨薄膜……     

涂硅食品包装膜

涂硅食品包装膜美国食品包装厂开发出一种涂硅食品的包装膜，具有很大的发展潜力。涂硅食品包装膜，即涂玻璃食品包装膜，它是将硅与膜粘合在一起，用于食品包装。与现有的金属化膜、铝箔复合膜、多层塑料膜等包装材料相比较，其优点在于气障性能良好，可延长食品货架寿命...     

硅尖上纳米金刚石膜场发射性质的研究

本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜，并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质，实验结果表明，硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平面上生长的多晶金刚石膜比较，有了极大的提高，硅尖上纳米金刚石膜场发射开启电场最小为2.7V/μm，而多晶金刚石膜为4.5V/μm。利用电子隧穿模型对实验结果进行了理论分析，研究表明实验结果与理论分析相符合。     

崭露头角的硅膜塑料薄膜

崭露头角的硅膜塑料薄膜在食品包装材料中，美国和日本新近推出的一种新型食品包装材料—硅膜塑料薄膜，受到食品业界的重视和欢迎。硅膜俗称玻璃膜。在塑料薄膜或硬塑料上覆盖一层极薄的硅膜，它对空气和水的阻隔保护性能近似多层结构的塑料包装，如铝箔复合膜或其它金属...     

新书出版消息预告

北京有色金属研究总院(Grinm)、有研半导体材料股份有限公司(Gritek)张厥宗编著的《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》一书近期将由《化学工业出版社》出版。《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》在内容上采取由浅入深的方式,在介绍半导体硅及集成电路有关知识的同时,简单介绍半导体工业及国外、国内半导体材料硅(Si)单晶、抛光片技术的发展和动态外,结合能满足小于线宽0.13～0.10μm IC 工艺用优质大直径硅(Si)单晶抛光片的加工技术进行全面、系统的概述。全书共分八章。第一章介绍半导体工业发展及动态和国外、国内硅(Si)单晶、抛光片的发展概况;第二章介绍半导体材料硅(Si)的物理、化学及其半导体的性质;第三章介绍集成电路对硅(Si)单晶、抛光片的技术要求及硅(Si)单晶、抛光片的制备;第四章介     

硅基镓氮固态光源关键技术研究取得重要进展

我国“863”计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领先地位，并在全球率先实现了小批量生产。     

IC生产用多晶硅供应不足

半导体生产所用的硅晶圆需求强劲。2004年和2005年连续2年供货面积创下了历史最高水平。除半导体领域的需求外，太阳能电池领域的硅需求也在急剧增长。多晶硅原料已经出现供应不足。     

半导体硅材料与信息化社会的高速发展

材料、交通、能源和信息是当今社会发展的四大支柱产业。跨入21世纪，半导体、电子信息产业迅猛发展，跃居所有产业的首位。电子信息产业的高速发展，在很大程度上是通过开发半导体硅材料来实现的。当今，95％以上的半导体元器件和集成电路（IC）是用半导体硅制造的，半导体硅材料业已成为半导体材料的主体。     

SiO2纳米球的粒径均一性研究及其在硅光学共振纳米柱阵列中的应用

近年来, 半导体纳米结构材料的光学共振效应作为一种重要的光调控手段被广泛应用于各类光电子器件。本文用改进的两步Stober法制备了粒径在270~330 nm之间的单分散二氧化硅纳米球, 通过优化工艺参数有效改善了纳米球的粒径均一性。采用恒温加热蒸发引诱自组装方法将纳米球在硅半导体上自组装成单层膜作为掩膜, 采用感应耦合等离子体技术刻蚀制备了硅纳米柱阵列并测试了其光反射谱。光谱结果表明直径在300~325 nm之间的硅纳米柱阵列可以激发四极子Mie光学共振, 其在可见光波段的最低反射率低于5%, 具有良好的光调控性能。     

半导体真空传感器

半导体真空传感器是在半导体扩散硅压力传感器的基础上采用静电焊接技术而制成的，适用于一般的低真空测量，具有输出灵敏度高、线性好等优点，测量范围０～７６０ｍｍＨｇ。     

镍包硅导电纳米导线

美国哈佛大学制成了用于计算机电路的导电纳米线，这是一种直径20m的硅线外包以镍在550℃加热制成的。这种硅化镍线的电导率非常高。如果仅将部分硅线包上镍，则可制成一部分是硅，而另一部分是镍一硅的导线。这种导线可用于当前半导体硅器件的连线。     

等离子体增强的电化学表面陶瓷化工艺技术（PECC技术）EI

本文介绍一种全新的铝、钛、铌、锆、钽等阀金属和半导体硅、镓、锗等表面处理技术，通过在电解质中等离子体弧光放电增强的电化学反应和热化学反应，在工件表面得到一特性优异的陶瓷膜层。其工艺较传统的阳极氧化工艺简单，处理时间短，膜层性能优异，花色品种多，镀液的污染极小，易于形成自动化生产。本文还介绍了等离子放电的一些理论问题。     

兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

半导体材料是半导体工业的基础材料。在半导体材料中用量最大和用途最广泛的是半导体硅。当今95％以上的半导体器件是用硅材料制造的,集成电路的99％以上是硅集成电路。硅材料支撑着种类繁多、意义重大的半导体工业。电子级多晶硅是单晶硅片的起始材料,因此多晶硅的重要性是十分明显的。     

日本半导体硅材料三十年的发展

日本的电子工业,自1955年以来,增长速度超过其他产业,继美国之后,成为电子工业国。电子工业国的显著特征是半导体化。半导体硅是半导体产业的主要支柱。估计,半导体硅这一主导地位,到本世纪末将不会改变。日本半导体硅材料的发展速度是十分惊人的。为此,当日本半导体硅材料发展至今,回顾其三十年走过的历程,了解硅业界的发展状况,展望未来,可能对我国半导体硅材料的发展有参考价值。