使用新型SrS荧光粉薄膜的白色电致发光器件

本文提出了在5kHz频率下发光亮度为150cd/m~2的白色薄膜电致发光(TFEL)器件。研究出了SrS:Pr,K;SrS:Ce,K,EU和又SrS:Ce,K/SrS:Eu三种荧光粉。对这三种荧光粉的电致发光特性进行了比较。用白色电致发光器件和彩色滤光片可获得全色薄膜电致发光器件。     

SrS:Ce,K蓝色薄膜电致发光器件中的记忆效应

近些年来,人们已经发现减土硫化物如SrS和CaS可能是用于彩色薄膜电致发光(TFEL) 的较好的基质材料。为了实现具有大量家元和较高亮度的矩阵显示,一个重要并且必需的特性是在ZnS:Mn TFEL器件中所观察到的那种固有的记忆效应。但直到现在仅有几篇关圩碱土硫化物TFEL器件记忆效应的报导。本文报导了SrS:Ce,K蓝色TFEL器件的固有的记忆效应。这种TFEL器件由一个夹在两个绝缘层之间的SrS:Ce,K EL发光层组成。SrS:Ce,K层夹在两个ZnS层中间,ZnS层的作用是保护SrS:Ce,K层。为了制备有效的SrS:Ce,K发光膜,采用     

稳定的白色SrS:Ce,K,Eu TFEL

本文报道了一种发白光的 SrS:Ce,K,Eu 薄膜电致发光(TFEL)器件,在超出阈值电压40V,频率为1kHz 的驱动下,亮度可达325cd/m~2,效率为0.151m/W.对以SrS 为基质的 TFEL 器件的亮度一电压衰减特性进行了测量。发现 SrS:Eu 器件比     

控制真空条件并添加硫使发蓝——绿光电致发光器件的亮度改进

在蓝-绿发射SrSe:Ce荧光粉层的制备时,用电子束蒸发方法添加硫可以非常有效地改善电致发光的亮度。观察到荧光粉层结构的改变。硫的含量增加了而氧的含量降低了,结晶度得到了改进。为了制出能比常规橙——黄发射TFEL显示更多信息的多色TFEL器件,蓝色EL荧光材料亮度的改进是很必要的。1984年,Barrow等指出SrS可用作发蓝光荧光粉的基质,并用CeF_3作掺杂剂,结果表明SrS:CeF_3的亮度比ZuS:TmF_3材料要高100倍,而后者曾是最亮的发蓝光的荧光粉。但是,碱土金属硫化物(如SrS和CaS)具有化学的不稳定性和吸湿特性,这就使加工过程存在一定的困难并导致化学当量的偏差和不良的结晶性。为了解决这些问题,我们试用了硫共蒸发法,并采用了具有良好结晶性的衬底层,由此成功地得到亮度的改善。荧光粉层的精细结构尚未报导。此外,为进一步改善发光性能,对荣光层结构的研究是必不可少的。本文报导了控制真空条件并填加硫的方法改善了SrS:Ce EL器件的亮度.还细致地讨论了SrS:Ce荧光粉层结构的改变。     

稳定的白色SrS:Ce,K,Eu(TFEL)薄膜电致发光

本文报道了发射白光的SrS:Ce,K,Eu薄膜电致发光(TFEL)器件,在1kHz驱动下其亮度达500cd/m~2。在5kHz的加速老化条件下稳定性超过4000小时。用埋置滤光片得到全色器件。     

用电子束蒸发和射频磁溅射制备ZnS:Tb,F电致发光薄膜的差别

一引言近十年来,经细致的研究后,ZnS:Mn电致发光(EL)薄膜器件已经达到实用阶段。但ZnS:Mn荧光体只能给出橙黄色辐射光。最近,人们集中于彩色EL器件的研究,如绿色 ZnS:Tb,F_(?)蓝色SrS:Ce和红色CaS:Eu。它们当中,绿色ZnS:Tb,F薄膜是最突出的,并达到实用水平。ZnS:Tb,F荧光膜最初在1968年由Kahng提出,因这种发光中心是以Tb F_3分子形式掺入,所以称之为分子中心。制备方法是用两个蒸发源,一     

Ga2O3:Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究

采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3：Mn电致发光膜,并进行了不同温度热处理,制备了电致发光器件。用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3：Mn薄膜晶体结构;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了Ga：O。：Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明,Ga2O3：Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高,且晶体结构和结晶取向也随之改变;经500℃热处理的Ga2O3：Mn薄膜电致发光器件发绿光,其光谱主峰分布在495～535nm之间,且随驱动电压增高,谱峰出现蓝移现象。     

Ga_2O_3∶Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究

采用电子束蒸发法在硅衬底或 Ba Ti O3陶瓷基片上沉积了 Ga2 O3∶Mn电致发光膜 ,并进行了不同温度热处理 ,制备了电致发光器件。用 X射线衍射 ( XRD)分析了 Ga2 O3∶ Mn薄膜晶体结构 ;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了 Ga2 O3∶ Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明 ,Ga2 O3∶ Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高 ,且晶体结构和结晶取向也随之改变 ;经 5 0 0℃热处理的 Ga2 O3∶ Mn薄膜电致发光器件发绿光 ,其光谱主峰分布在 495～ 5 3 5 nm之间 ,且随驱动电压增高 ,谱峰出现蓝移现象     

CaS:Eu有源层中的氧对TFEL器件发光特性的影响

作为多色薄膜电致发光器件的有源层,人们对稀土掺杂碱土硫化物进行了深入的研究.特别是 CaS:Eu 和 SrS:Ce,它们分别是红和蓝色 EL 器件的最佳材料。为了得到多色 TFEL 器件,人们对制备条件等问题,例如衬底温度、沉积速率和硫共蒸发等进行了研究。但器件的电致发光亮度仍不适应于     

溅射制备的SrS:Ce蓝——绿发光TFEL器件

用射频溅射技术制备出 SrS∶Ce 荧光粉薄膜,并用这种溅射薄膜制备了蓝—绿发光TFEL 器件,经研究发现这种器件的亮度和效率与薄膜生长过程中的气体压力、溅射靶的杂质含量、衬底温度和有源层厚度有函数关系,实验结果证明用溅射技术取代常规的电子束蒸发技术可以在<300℃的衬底温度     

用新型ZnS/SrS:Ce多层荧光粉的ACTFEL器件

讨论了用多层 ZnS/SrS:Ce 的 acTFEL器件,用 ZnS 和 SrS:Ce 分9次交替地蒸发堆积构成,在60Hz,50μs 的脉冲激发下,蓝色发光的最高亮度超过10cd/m~2。在全色的 EL—显示器中,蓝色发光的亮度首次达到应用的要求,这种多层的器件在加速老化时是稳定的。     

薄膜EL器件

这是有关用作显示器件的薄膜 EL 器件的发明.近来,碱土类硫硒碲化合物为基质、Ce激活发光层的薄膜 EL 器件,由于它能得到较高亮度的蓝色发光而受到重视。这种薄膜EL 器件,通常是在 SrS 和 SrSe 碱土类硫硒碲化合物(用溅射方法或真空蒸发方法形成)中,把其中一种化合物作为基质,用 Ce 激活的薄膜用来做发光层。以 SrS 或 SrSe 为基质,用 Ce 激活的发光层作为薄膜 EL 器件,能够得到 ZnS 基质发光EL 器件所不可能达到的高亮度蓝色发光。     

具有溅射SrS:Ce薄膜的蓝-绿色TFEL器件

用射频溅射法制备出以SrS:Ce荧光膜层为基础的发射蓝-绿光的薄膜器件。将器件的亮度和效率作为薄膜生长期间的气体压力,溅射靶中的杂质含量有源层厚度的函数,并对此进行了研究。生产出的器件在1kHz驱动下能产生超过300cd/m~2的亮度,它的CIE色坐标值为x=0.174,y=0.368。为了改进器件特性还讨论了实验结果。     

基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在(010) Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层.基于掺杂浓度为2.0×1018 cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的25 nm的HfO2作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).器件展示出良好的电学特性,在栅偏压为8V时,漏源饱和电流密度达到42 mA/mm,器件的峰值跨导约为3.8 mS/mm,漏源电流开关比达到108.此外,器件的三端关态击穿电压为113 V.采用场板结构并结合n型Ga2O3沟道层结构优化设计能进一步提升器件饱和电流和击穿电压等电学特性.     

SrS:CeCl_3薄膜的高亮度蓝色EL

用于薄膜电致发光(EL)器件的 SrS:CeCl_3发光层的结晶性能直接受与其邻近的底层膜的影响。在一种以强立方(111)取向 ZnS 薄膜作为底层的 EL 薄膜器件中实现了明亮的蓝色发射,在5KHz 正弦电压激发下,器件的最大亮度力100nt。根据 x 射线衍射图和发光层的光致发光光谱讨论了 EL特性。     

蓝光LEDs的转换荧光粉发光效率的测量

本文研究了YAG:Ce荧光粉的色点红移的现象.当YAG晶格点阵中的Y被 Gd 激发或添加了Pr作为 Ce 的共同催化剂时就会发生这种现象.测量了在(Y,Gd)AG:Ce和YAG:Ce,Pr荧光粉样品内部的效率,其激发光线的波长为 470 nm.其结果表明这两种荧光粉的发光效率分别随着Gd和Pr聚集而降低.SrGa2S4:Eu.是另外一种常用的转换蓝光 LED 的颜色的荧光粉.室温下,这种荧光粉效率很高,理论上其发光效率比 YAG:Ce 的发光效率高出 33%.对这种荧光粉效率的测量结果表明其制作过程是影响性能的主要因素.将这种荧光粉印刷在放在-个或多个蓝光 LED 前面的屏幕的表面,测得其发光效率高达 364 lm/W.     

一种新型的蓝色电致发光荧光粉—SrS：Cu粉

研制了一种新型高效蓝色电致发光ＳｒＳ：Ｃｕ荧光粉,改变共掺杂物,它的ＥＬ性能可以在很大的范围内变化,单掺杂时,ＳｒＳ：Ｃｕ薄膜电致发光器件发青蓝色的光,色座标ＣＩＥ在０．２７～０．３２之间变化。共掺杂Ａｇ时,ＳｒＳ：Ｃｕ薄膜电致发光器件发纯蓝光,色座标ＣＩＥｙ在０．１３～０．２２之间。ＳｒＳ：Ｃｕ,Ａｇ荧光粉的光效为０．１５～０．２４ｌｍ／Ｗ,比现有的蓝色电致发光荧光粉（ＳｒＣａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｃｅ     

终端设备与显示设备

Y98-61460-83 9915382交流薄膜电致发光显示器件的一种简单模型=A Sim-pie model for ACTFEL display devices[会,英]/Aguiler-a.A.& Singh.V.P.//1998 IEEE 2nd InternationalCaracas Conference on Devices.Circuits and Systems.—83～87(YG)提出一种交流薄膜电致发光显示器件的分析模型。给出了用于描述器件性能的方程和用于数值模拟的算法。同时给出了数值模拟的结果,在它们品质特性与实验结果之间作了比较和讨论。模型用于更好地理解在 SrS:Ce 交流薄膜电致发光器件中观察到的亮度波形的下降沿的亮度峰值和闪烁。参6     

SrS:Ce电致发光器件的电特性

分析了具有不同发光层厚度的SrS∶Ce电致发光（EL）器件的亮度、传输电荷、光致传输电荷和效率。Ce掺杂浓度恒定为0．05％，发光层厚度在380um到890um间变化。发现，具有较厚发光层器件亮度的增加，主要是由于在驱动脉冲电压前沿的发射增加。此外，在所有样品中比较了后沿特性。在较高的峰值电压时，由于发光层中形成了很强的空间电荷，EL器件效率下降。当发光层厚度在700um左右时，EL器件效率最高。研究了高电场下Ce~(3+)受直接激发（λ_(exc)=430um）产生的光致电荷（PQ）与峰值电压的关系。因此，PQ特性曲线可作为发光层中平均电场的灵敏参数。     

GAZO/Ag/GAZO透明导电薄膜的磁控溅射制备及光电性能优化

采用多源磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了Ga、Al共掺杂氧化锌(GAZO)/Ag/GAZO透明导电薄膜。对比实验表明，通入O2溅射Ag能够提高薄膜在600～800 nm波段的光透射率。进一步优化后，发现在O2流量为1.0 sccm的条件下，12 nm的Ag获得连续结构，提升了GAZO/Ag/GAZO薄膜的光电性能。在空气中经150℃退火处理1 h,GAZO/Ag/GAZO薄膜的光电性能和结构性能都得到提升。退火后薄膜方块电阻为8.99Ω/sq,380～780 nm可见光波段平均透射率为98.17%，品质因子高达2260Ω^-1。该GAZO/Ag/GAZO透明导电薄膜显示出优异的光电性能，有望替代铟锡氧化物薄膜用于光电器件领域。