用湿式化学蚀刻法制作的蚀刻腔镜GaInAsP/InP条形激光器

单片蚀刻平面腔镜GaInAsP/InP条形激光器(1.3微米)是利用湿式化学蚀刻法制作的。条宽20微米的激光器，其电流阈值为300亳安(室温，脉冲工作)，比相应的解理腔镜激光器高50%左右。当驱动电流到1.5Ith伪时，接近单模运转，这巳用~180微米的腔长获得。     

在半绝缘衬底上制作的1.5μm波长范围InP/GaInAsP隐埋异质结构激光器

在半绝缘InP衬底上制作了1.5μm波长范围的InP/GaInAsP隐埋异质结构(BH)激光器。在25℃和CW工作条件下,激光器的阈值电流低至38mA。这一结果与在n型InP衬底上制造的BH激光器的阈值电流几乎一样。     

1.5μm波长范围室温连续波工作的DFB-BH GaInAsP/InP激光器

1.5μm波长范围的分布反馈隐埋异质结构(DFB-BH)GaInAsP/InP激光器在热沉温度高达310K下实现了连续工作。得到了300K下55mA的阈值电流以及单纵模工作。     

InP(100)衬底上制作In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP双异质结激光器

在(100)晶向的InP衬底上制作了室温下发射波长为1.25～1.35微米的In_(1-x)Ga_x As_yP_(1-y)/InP双异质结激光二极管。宽接触式激光器得到了3000～5000安/厘米~2·微米的低的归一化阈值电流密度。在90和300K之间测量了阀值电流密度及激射波长与温度的关系。在室温下,激射波长的温度系数为5埃/K。氧化物条形结构的激光器的连续工作时间已超过2000小时。     

GaInAs(P)/InP和GaAl(As)/GaSb激光器的损耗:分离带的影响

GaInAs(P)/InP和GaAlSb(As)/GaSb是长波长光纤通信中两种十分重要的材料。遗憾的是用这些材料制成的激光器阈值电流对温度的依赖性比GaAs/GaAlAs激光器的大得多(即T_0问题)。有人认为,用长波长材料制成激光器的温度对阈值电流的影响,是由于内价带(Intervalence band)吸收和CHSH俄歇复合造成的。如果存在这两种机理,就会导致价带的一定分裂。我们通过直接观察GaInAsP/InP激光器分离价带中电子与空穴的辐射高能复合,研     

发射波长1.5～1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导激光器的低阈值电流CW工作

波长1.5～1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导(BH-DBR-ITG)激光器直到12℃均可获得低阈值电流CW工作。在25°温度范围内获得了单波长工作。激射波长与温度的关系为0.10nm/deg。在248K,阈值电流、微分量子效率和最大输出功率分别为37mA、16.3％/端面和6mW。     

28mA,10mW带相位调整功能的DFB激光器

日本富士通研用分段改变隐埋条宽的方法,制作出GaInAsP/InP带相位调整功能的DFB激光器。DFB(分布反馈型)激光器是长距离大容量光传输系统用有希望的光源。最近,这种激光器的阈值进一步降低,并采用了相位调整技术。器件制作,先进行第一次生长,在刻有衍射光栅的n型InP衬底上生长n型GaInAsP波导层(0.13μm厚)、GaInAsP有源层(0.15μm)。接着把生长衬底腐蚀成台面条型,这时为了限制电流,采用了InP的pn结。另外,为了防止由于条宽的急剧变化而引起的异常生长,设置了5μm的锥形区。这样,进行第二次隐埋生     

发射波长为1.55μm范围的扩散条形InP/InGaAsP/InP激光器的特性

本文描述了发射波长约为1.55μm的InGaAsP/InP激光器的制造工艺和激射特性。采用低温液相外延方法制备的InP/InGaAsP/InP双异质结构外延片,制造了发射波长在1.53～1.60μm范围的锌扩散条形几何结构激光器。研究了激射特性与条宽的依赖关系。具有1.3μm条宽的激光器得到了最低的阈值电流(在27℃,CW工作条件下,约为160mA)。热沉温度高达53℃时获得了激光器的CW工作。在条宽足够窄(～6μm)的情况下,CW工作时得到了基横模和单纵模工作,而且激光器具有很好的高频性能。在高频(800Mbit/s)大信号脉冲调制情况下,激光器呈现出极好的动态特性。800Mbit/s时的纵模包络半最大点的全宽约为30(?)。     

亚毫微秒GaAlAs双异质结激光器

当双异质结连续激光器加上大于阈值的阶跃脉冲时,激光器的光脉冲前沿便产生张驰振荡,振荡频率f_r为:f_r=1/(2π)[1/τ_(ph)τ_s(I/I_(th)-1)-I~2/(4τ_s~2I_(th)~2)]~(1/2)式中I为注入激光器的峰值电流;I_(th)为阈值电流;τ_(ph)为光子寿命;τ_s为载流子自发复合寿命.当I/I_(th)=2,τ_s=2毫微秒,τ_(ph)=1.2微微秒时,f_r=4千兆周;当I/I_(th)更大时,f_r更高.我们用一个峰值电流     

锌扩散条形双异质结GaInAsP/InP二极管激光器

以 ZnP_2为源的深度锌扩散已被用来制作发射波长在1.2～1.3微米范围内的条形双异质结 GaInAsP/InP 二极管激光器。这些器件表现出良好的电学和光学限制。对于相当窄的条宽(<10微米),发射通常是单模和线性的。观察到的连续输出达～8毫瓦/每面。在初步寿命试验中,有两个锌扩散的激光器在室温下连续工作超过5000小时而没有明显的退化。     

谐振腔长10μm、正面激射的注入激光器的单纵模振荡

我们已经研制成振荡波长1.22μm短谐振腔((?)10μm)正面激射的GaInAsP/InP注入激光器,在77K下,阈值电流为160mA。由于吸收区长,电极面积小(φ(?)20μm),侧面无激射现象。直到1.7倍阈值电流时还是单纵模振荡,远场辐射角很小(2Aφ(?)10°)。采用两相熔液的液相外延生长GaInAsP晶片。以n-InP(100)为衬底,连续生长如下四层:n-GaInAsP层(掺Te的1.5μm腐蚀阻挡层)、n-InP层(掺Te、2.5μm)、非掺杂GaInAsP层(2.9μm的有源层)、P-InP     

液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究

本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0～1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0～1.3μm、功率达1mw(100mA工作电流)的光通讯用小面积发光二极管。     

双异质结GaInAsP激光器的阈值电流与温度之间的关系——第二截止温度

我们获得了波长1.1～1.6μm的GaInAsP/InP激光器的阈值电流与温度之间的关系。该关系与处于极低温下的GaAlAs/GaAs激光器的情况相似。根据I=I_0exp(T/T_0)式得出的特征温度T_0约140K。过去的一些结果指出,当温度为200K时,在阈值电流—温度关系曲线上出现使T_0降低到55与75K之间的截止点。这种现象的出现,主要是由于俄歇复合引起的,同时还有其它因素所致。深入研究第一截止温度T_(b1)是极其重要的。然而从现有的一些结果可以看出,这种现象     

In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH化学腐蚀腔面激光器

用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀剂,沿<110>方向刻槽,研制成两种发射波长为1.35μm In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP化学腐蚀腔面激光器.单面化学腐蚀腔面激光器的阈电流密度与常规解理腔面器件相比,未见增高.而双面化学腐蚀腔面激光器则有较高的阈电流密度.     

InAs/InP量子点激光器制备工艺研究

报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。     

用溅射的SiO_2膜作为锌扩散掩模制作GaInAsP/InP平面条形激光器

本文研究了用溅射的 SiO_2膜作为锌扩散掩模制作的 GaInAsP/InP 双异质结平面条形激光器的激射特性对条宽的依赖关系。条宽10、15、20μm的激光器以基模模式工作,每面微分量子效率大于20%,而条宽5μm 的激光器即使正好在阈值以上也以多横模工作。而且条宽5μm 激光器的阈值电流大大增加,与条宽较大的条形激光器相比,其激射波长向更短的波长漂移。条宽15μm 的激光器显示出良好的模式特性,直到输出功率为每面22mW 时仍都以基横模工作,而且在较宽的电流范围内以单纵模工作。本文讨论了这种激射特性对条宽依赖关系的形成原因,并且假设用溅射的 SiO_2作掩模进行条区锌扩散是造成这种依赖关系的主要原因。     

腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响

对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响。研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀速率变化不明显,而当腐蚀液温度发生变化时则腐蚀速率、晶片表面腐蚀形貌(显微镜下的表面状况)和化学腐蚀后晶片的表面粗糙度均有较大变化,当腐蚀液温度控制在一定范围时,晶片表面光洁,显微镜下观察到的腐蚀图形均匀一致。研究结果对确定InP晶体加工过程中的化学腐蚀工艺有一定的指导意义。     

直接调制达1GHz,具有分布布喇格反射器的1.53μm单一波长工作的GaInAsP/InP隐埋异质结构集成双波导激光器

<正> 最近东工大报道了直接调制达1GHz,具有分布布喇格反射器的1.53μm 单一波长工作的GaInAsP/InP 隐埋异质结构集成双波导激光器(BH-DBR-ITG Laser)的结果。他们把微波调制电流叠加到固定不变的1.1倍于阈值电流大小的直流偏压上直接进行调制。实验证实,在调制频率达1GHz,调制深度为100%时,器件单一波长工作。这些结果表明 BH-     

用混合液相外延/汽相外延法制作的激光器

据东京日本电报电话公司武藏野电气通信研究所的科学家报导，用液相外延和汽相外延相结合的技术制作掩埋异质结激光器，避免了用普通液相外延法所遇到的一些问题。研制者发展了这样一种用液相外延和汽相外延相结合制作激射波长为1.525微米的GaInAsP/InP激光器的混合技术。     

GaInAsP/InP激光器中与带间吸收、非辐射复合以及载流子泄漏有关的阈值电流的温度依赖性

根据增益、损耗和载流子寿命的测试结果,讨论了发射波长为1.5～1.6μm的GaInAsP/InP激光器的阈值电流对温度的依赖性。其结果表明,大约在超过室温后阈值电流迅速增加主要是带间吸收所致。考虑了因注入而引起的热效应,若使结构参数最佳化,则有希望在高达150℃的温度下实现连续工作。