LTE FDD 2T2R与2T4R的技术比较

从上行链路覆盖对比、上行小区吞吐量对比、仿真分析、应用与未来演进等多个方面对LTE FDD 2T2R与2T4R作了简要对比分析与比较。     

混频器2×2杂散响应与IP2的关系

本文提供了混频器的2×2杂散响应与IP2的关系及其在接收机设计中的应用.并以MAX9993有源混频器在UMTSWCDMA系统中的应用为例具体分析IP2与2×2杂散响应的关系.     

超宽带铜线接入技术Vectoring与G.fast

目前，光进铜退在很多情况下依然是一个需要解决的问题和需要抓住的机遇：充分挖掘铜线接入潜能提供超宽带接入，对于电信运营商降低网络建设成本、平滑演进具有重要意义。阐述了Vector原ing技术原理、VDSL2性能的提升，以及G.fast技术和现场实验，并对VDSL2和G.fast技术演进方案进行了讨论。     

基于FPGA的AAL2协议解码实现

AAL2协议常用于语音数据的处理中,支持低速,可变长度短分组的传送,本设计采用FPGA硬件实现整个协议的的接收过程,提高了系统的速度,在接受的过程中采用UTOPIA接口获得数据。     

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究

用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2O3的掺杂可以明显地提高SnO2气敏材料对C2H2气体的灵敏度,当工作温度为180℃,C2H2浓度为1000ppm时,元件的灵敏度为64,响应恢复时间分别为3和20s.讨论了不同相对湿度对元件气敏特性的影响.     

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究

用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2O3的掺杂可以明显地提高SnO2气敏材料对C2H2气体的灵敏度,当工作温度为180℃,C2H2浓度为1000ppm时,元件的灵敏度为64,响应恢复时间分别为3和20s.讨论了不同相对湿度对元件气敏特性的影响.     

基于公众移动通信网的V2X运营需求

简要介绍了两种V2X技术路线,以典型的V2X应用场景为例,提出了V2X应用部署初期应仅提供车辆主动安全提醒服务的观点。从公众移动通信网提供V2X应用的角度,提出了V2X运营中所需的功能需求,包括：身份鉴权、通信功能、通信兼容性、与交通系统对接、运行维护等功能,并提出了身份证书发放、运行维护测量消息的具体设想。     

K_2O-B_2O_3-SiO_2/Al_2O_3 LTCC复合基板材料性能研究

采用K2O-B2O3-SiO2玻璃与Al2O3复合烧结,制备了K2O-B2O3-SiO2/Al2O3低温共烧陶瓷(LTCC)复合基板材料,研究了不同组分含量对体系微观结构和性能的影响。结果表明,复合基板材料的相对介电常数εr和介质损耗均随着Al2O3含量的增加而增加,当Al2O3质量分数为45%时,复合基板材料的介质损耗为0.0085,εr为4.55(1MHz)。抗弯强度可达到160MPa。     

硒镓银倍频器的输出特性

我们用坩埚下降法生长出φ２０×６０ｍｍ的硒镓银（ＡｇＧａＳｅ２）单晶。在１１ｍｍ长的ＡｇＧａＳｅ２倍频器中获得了ＴＥＡＣＯ２激光的倍频输出，在１５．１６ｍＪ泵浦光下５．３μｍ倍频光单脉冲输出能量为４０２μＪ，其内部能量转换效率为２．６６％，外部匹配角宽度约为４°。     

基于SSH框架软件辅助开发平台的研究

SSH是实现Java Web应用系统时常采用的一种框架结构.本文在对Struts2、Spring、Hibernate开源框架技术理论和SSH框架结构系统特性研究的基础上,设计和实现了基于这一框架下的软件辅助开发平台,为以后这类框架系统提供高效、便捷、稳定的开发基础.     

SiO_2包覆纳米TiO_2的初步探讨

为了改善纳米TiO2的分散性,利用表面包覆技术,在TiO2的表面形成致密的SiO2膜,以达到改性的目的。讨论了SiO2包覆纳米TiO2的作用、机理和包覆工艺条件,并对包覆后的TiO2通过透射电子显微镜、Z-3000Zeta电位与粒度分布仪以及红外光谱分别进行分析。实验结果表明,包膜后的TiO2表面状态发生了变化,TiO2在水溶液中的分散性能得到明显改善。由红外光谱得知,这种包覆不仅是物理包覆,也是一种化学键合,在TiO2的表面形成Ti—O—Si键。     

高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶解理面的AFM研究

用ＡＦＭ在室温和大气下对高温超导体Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）单晶解理面的形貌和结构进行了系统的研究。观测到解理面绝大部分是原子级平滑的晶面。在晶面的边缘观测到高度为结构单元（ｃ／２）整倍数的台阶，这与该晶体是以层状模式生长的机制相一致的。进而证明了解理位置和解理分布。在解理面的局部区域，观测到高度为１．２５ｎｍ，面积约为０．０５μｍ２的平台。Ｘ－射线微区分析证明这些小平台正是在Ｂｉ２２１２单晶生长中常存在的少量Ｂｉ２２０１相。我们的研究表明ＡＦＭ不但在研究高温超导体单晶的形貌特征方面有重要用途，而且在对晶体的质量进行分析和结构特征研究中也有重要应用。     

针对CPE应用的ADSL2/2+标准入门解决方案

Amazon—SE是Infineon推出的新一代ADSL2＋片上系统。此款高度集成的解决方案是InfineonAmazon产品系列的一部分，包含ADSLDFE／AFE／LD、USB2．0、以太网PHY和分组加速（协议处理引擎），可用于成本优化的ADSL2／2＋调制解调器或者充当双层PCB的路由器。Amazon．SE还整合了SD／MMCI和SPI连接，从而实现了VVLAN和／或存储器外设。     

Bi2O3添加剂对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5介电性能的影响

以Bi2O3为添加剂，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5(ANT)系统介电性能的影响。用XRD衍射和SEM扫描作为技术手段，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5系统微观结构的影响。     

玻璃/Al_2O_3系MLCI介质材料的微观结构与性能研究

采用烧结法制备了一种低温共烧(LTCC)K_2O/Na_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃/Al_2O_3介质材料。系统研究了玻璃/Al_2O_3比例和烧结温度对介质材料结构与性能的影响。结果表明,材料烧结后只有Al_2O_3晶相,材料烧结属于液相烧结机制。介质的相对介电常数ε_r随Al_2O_3含量的增加而升高,Al_2O_3质量分数为35%时,经860℃烧结材料的性能最优:ε_r=5.93,tanδ=3.1×10~(–3),收缩率为16%,抗弯强度为159 MPa。所制备的介质材料能够用于高频MLCI领域。     

TiO_2掺杂量对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响

采用新型化学工艺,制备了SiO2与TiO2共同填充的PTFE复合材料,系统研究了TiO2掺杂量对所制复合材料显微结构、微波介电性能和热膨胀系数的影响。结果表明,复合材料的密度、介电常数和热膨胀系数都随着掺杂量的增大而增加,吸水率随着掺杂量的增大而减小,介电损耗随着掺杂量的增大先减小后增大。当TiO2掺杂量为质量分数7%时,PTFE很好地包覆在SiO2表面,复合材料结构致密,具有与铜箔较为匹配的线膨胀系数(17.76×10–6/℃),且介电性能优良(εr=2.94,tanδ=0.000 82)。     

固体电解质CO_2传感器的研究与进展

采用溶胶-凝胶法制备NASICON粉体材料,并利用XRD和IR对制得的材料进行表征。以NASICON粉体材料为基体,Li2CO3-BaCO3复合盐为敏感电极制作管式CO2气体传感器,并对其灵敏度、选择性和耐水性进行测量。在敏感电极中掺入质量分数为10%的SiO2,不仅明显改善器件的耐水性,而且使器件的初始稳定时间从30min减小到5min。     

WLAN与EPC网络融合技术研究

首先介绍了EPC网络中,WLAN作为非3GPP接入方式可以采用的3种方案(S2a、S2b、S2c)的实现方式,其次分析比较了3种方案的不同点,最后针对3种方案的特点,结合国内运营商WLAN网络的特点,提出了部署建议.