半导体与微电子技术

0114818基因芯片中点阵的微电子加工技术(刊]/余志文//微电子学.—2001,31(2).—100～102(D)0114819现代科学的奇迹——半导体技术[刊]/周如培//微电子学.—2001,31(2).—77～82(D)文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历     

半导体与微电子技术

9915061贯彻科技是第一生产力的思想坚定不移地实施科技兴企战略:在公司第二次科技大会上的科技工作报告[刊]/滕敬信//微电子技术.—1999,27(3).—1～7(V) 纳米硅薄膜与纳米技术进展(见9914832)     

半导体与微电子技术

Y2000-62028-B85 0100235电子学封装教育=25:electronics packaging education[会,英]//1999 IEEE 49th Electronic Components andTechnology Conference.—885～911(PC)本部分收入6篇论文。题名为:美国微电子学封装教育的需要、进展、现状与问题,封装研究、教育与进一步训练的全局化,电子封装初步教程,以万维网为基础的多校大学生电子封装课程,电子封装教育的多媒体强化教学,以及全面协作电子封装教育。1999年 SPIE 会议录,卷3618:激光器在微电子与光电子制造中的应用(4)(见0100219)     

半导体与微电子技术

Y2002-63479-475 0322366采用大气光辐射频谱术和 Kelvin 探测法研究导电聚合物/电极界面的电子能级=Electronic energy states atconducting polymer/electrode interfaces studied by atmo-spheric photoemission spectroscopy and kelvin probemethod[会,英]/Hori,K.& Tada,K.//2001 IEEEProceedings of International Symposium on Electrical In-sulating Materials.—475～478(E)0322367纳米技术:研究现状及展望[刊]/王曙钊//空军工程大学学报(自然科学版).—2003,4(1).—90～94(E)     

半导体与微电子技术

0302786纳米科技的内涵及其发展趋势[刊]/白春礼//武汉理工大学学报-信息与管理工程版.—2002,24(5).—5～8(K)从纳米科技不仅仅是材料问题,不仅仅是传统微加工技术的扩展和延伸,以及纳米材料不仅仅是颗粒尺寸减小的问题和应重视纳米尺度的表征和检测工作4个方面阐述了纳米科技的内涵。论述了纳米科技发展的几个阶段,并展望了纳米科技的发展趋势。     

半导体与微电子技术

Y98-61366 99002461998年 IEEE 第14届半导体热测量和管理年会会议录=1998 IEEE 14th annual semiconductor thermal mea-surement and management symposium[会,英]/IEEE.—1998.—255P.(VG)IEEE 第14届半导体热测量和管理年会于1998年3月10日至12日在美国加州的圣迭戈召开。本会议录收录了22篇论文,内容主要涉及热的计算和分析模型,热测量方法,热管理,芯片级热效应等方面。通过先进的半导体技术对 DVD(数字视盘)的评估(见9900501)1997年 IEEE 国际半导体制造会议录(见9900324)     

半导体与微电子技术

0206005具有负有效质量的半导体载流子速度-电扬持性[刊]/曹俊诚//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—331～334(C)     

半导体与微电子技术

0217324GaP:N 绿色 LEDn2层载流子浓度的优化[刊]/赵普琴//液晶与显示.—2002.17(2).—114～118(C)     

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0810半导体物理 0516228AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型〔刊,中〕/杨燕//电子学报一2005,33(2)一205一208(E) 0516222低温氢化前和低温氢化后氧化N型高阻FZ硅的深能级=Deep Leve坛in Oxygenatedn一T即e High一ResistivityFZ Silieon before and aftera助w一TemPerature Hydro-genation Step〔刊,英〕/E.Simoen,C.Claeys//Journal ofThe Eleetrochemieal段(iery一2003,150(9)一G520-G526(E)基于碳纳米管/硅纳米导线场效应晶体管的采用h一hot寻址方案纳米阵列结构的产量建模(见0517525)多同步干扰稳固算子(见。517459)测…     

半导体与微电子技术

N2003-07837 03142222001年版日本半导体年鉴=2001年度版日本半导体年鉴[著,日]/Semiconductor FPD World 编辑部,一株式会社,2001.03.—528P.(L)本年鉴分7编18个章节论述了2000年～2001年日本及部分世界发达国家和地区的半导体生产动态与展望。内容主要涉及:上一年度世界半导体应用领     

半导体与微电子技术

0210589四甲基氢氧化铵在MEMS中的应用〔刊〕/张为//微电子学.-2001,31(6).-422～424(D) 0210590微电子机械技术的发展与现状〔刊〕/杨宏//微电子学.-2001,31(6).-392～394(D) 文章回顾了微电子机械技术的发展历程和研究内容,介绍了国内外一些具有发展前景的微电子机械系统,以期揭示未来的发展方向。     

半导体与微电子技术

本会议录收集了会上发表的72篇论文,内容涉及蓝宝石上硅 CMOS 有源像素传感器,全耗尽 SOI 器件用4管 Schmitt 触发器,系统级芯片设计 SOI MOS-FET 分析,SOI 浮体存储器,应变硅技术β比率电路技术,SOI 碳纳米管场效应晶体管,MOSFET,超薄应变SOI CMOS 短沟道效应和阈值电压控制,纳米级应变硅生长对绝缘体上 SiGe 电子迁移率的影响,未来微处理机 FinFET 技术。     

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N2000-06402 00056371998年版日本半导体年鉴=1998年度版日本半导体年鉴[著,日]/月刊 SemiconductorWorld 编集部.一株式会社,1998.03.—569P.(L)     

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0513382凸二次非球面反射镜的自准法检验[刊,中]/沈正祥//红外与激光工程.—2005,34(1).—46-50(E)0513383具有旁耦合量子点的 A-B 环中的持续电流[刊,中]/周波//四川师范大学学报(自然科学版).—2005,28(1).—86-89(E)0513384J2EE 框架下 MIS 系统自动生成器的设计与实现[刊,中]/段其国//昆明理工大学学报(理工版).—2005,30(1)—37-40,44(C2)     

半导体与微电子技术

Y2001-62896-92 0204133系统产量损耗鉴别与分析=The identification and anal-ysis of systematic yield loss[会,英]/Langford,R.E.&Hsu,G.//2000 IEEE/SEMI Advanced SemiconductorManufacturing Conference & Workshop.—92～95(PC)Y2001-62896-213 0204134美国麻州三家半导体制造公司通过与社团的协作而提高其生产率=3 Massachusett semiconductor manufac-turing companies improve their workforce productivitythrough collaboration with community colleges[会,英]/Yu,A.& Gharib.S.//2000 IEEE/SEMI AdvancedSemiconductor Manufacturing Conference & Work-shop.—213～218(PC)     

半导体与微电子技术

Y98-61317-33 9901689衬底的开发(3篇文章)=Substrate development[会,英]//1997 1st IEEE International Symposium on Poly-mefic Electronics Packaging.—33～55(V)本部分收录3篇论文,篇名为:新型光可成象介质在印制线路板顺序建立技术中的应用,用于结构分析的印制线路板的有限元分析,可满足高互连密度要求     

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0611522 多重量子阱光致发光及表面本征态数值分析[刊,中]／尤凤翔／／纺织高校基础科学学报．-2005,18(4)．- 343-347(E)     

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0212667微区薄层电阻四探针测试仪及其应用[刊]/孙以材//固体电子学研究与进展.—2002,22(1).—93～99(D)用斜置的四探针方法,依靠显微镜观察,将针尖置于微区图形的四个角区,用改进的范德堡公式可以得到微区的薄层电阻。文中对测准条件作了分析。并用     

半导体与微电子技术

Y2002·63118·81 0215119温度分布对MOs晶体管特性影响的模拟二Modellingof effeets of ternperature profile in the MOS transistoreharaeteristics〔会.英〕/Nooshabadi,5.//2001 IEEE In-ternationals,叭lpOSium on Cireuits and Systems,Vol.1ofs一81一84(HE)Y2002·63118.85 0215120MOS晶体管随机沟道参数变化模拟=Modelingofrandom ehannd parameter variations in MOS transistors〔会,英〕/Lan,人侄一F.&Geiger,R.//2001 xEEE In-ternational Synlposium on Cireuits and Sysrems,Vol.1ofs一85一88(HE)Y2002·6…