硅基SiNxOy：C^＋薄膜的光致发光

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯＹ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＾＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５＊１０＾１６ｃｍ＾－２。     

Si基热氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室温光致发光特性

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＤ）法在Ｓｉ（１００）衬底上淀积一层厚度约为１７０ｎｍ的富Ｇｅ高Ｃ含量的Ｓｉ、－ｘ－７ＧｅｘＣｙ薄膜，然后将其分别在８００℃和１１００℃下湿氧氧化２０ｍｉｎ。在室温下观测到强烈的光致发光，室温下的光致发光谱（ＰＬ谱）测量显示，８００℃下氧化后的样品在３７０ｎｍ和３９６ｎｍ附近有两个光致发光带，１１００℃下氧化后的样品只在３９６ｎｍ附近有一光致发光带，３９６ｎｍ附     

电子束蒸发制备MoO3薄膜及其电致变色特性

在三种条件下采用电子束蒸发方法制备钼氧化物薄膜。从烧结靶淀积出的薄膜为多晶状态；从粉末压结靶淀积出非晶态薄膜。在ＬｉＣｌＯ４－ＰＣ电解质中测试各种薄膜的循环伏安特性和阶跃电压下的电流响应和光透射响应，表明２．５×１０＾－２Ｐａ氧分压下压结靶淀积的薄膜具有较好的电色性能；ＸＰＳ分析该种薄膜为ＭｏＯ３组份，Ｌｉ＾＋注入使Ｍｏ３ｄ和Ｏ１ａ的结合能降低。     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AlN薄膜

用直流反应溅射淀积的ＡｌＮ薄膜包封介质对ＧａＡｓ进行了贯穿注入和包封退火，用电化学Ｃ－Ｖ法测量载流子的分布，实验结果与ＴＲＩＭ模拟结果符合得很好，用５０ｎｍ的ＡｌＮ包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率，应用ＡｌＮ包封层后，当注入能量１８０ｋｅＶ，注入剂量７．５×１０＾１３ｃｍ＾－２时，所得到的最高载流子浓度为１．８４×１０＾１８ｃｍ＾－１样品方块电阻为１１     

用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究

本文通过离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由α－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜．薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有ＣＯ２Ｓｉ、ＣｏＳｉ相生成．７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散，而复合方法该制的样品则形成均匀的ＣｏＳｉ２薄膜。     

多晶薄膜CdS／CdTe太阳电池

报道了转换效率为１４．６％～１５．８％的多晶薄膜ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的研制。用ＭＯＣＶＤ法，在玻璃衬底上制备ＳｎＯ＿２和ＳｎＯ＿２：Ｆ薄膜，水溶液化学淀积法获得８０～１００ｎｍ厚的ＣｄＳ薄膜和密堆积升华法制备５μｍ厚ＣｄＴｅ薄膜，ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太阳电池的短路电流密度高达２４～２５ｍＡ／ｃｍ￣２。同时，对各层薄膜晶形和微观结构进行了分析研究。     

注C~＋硅多孔结构的蓝光发射

对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１e１５～１e１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝光，光强是通常多孔硅的数倍以上，谱峰处于４８０ｎｍ和５０５ｎｍ附近．这一方法简便有效地实现了硅基材料的蓝光发射．     

Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究

采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的取向的蓝宝石衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ,并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术对样品进行了深度剖析,给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。并在８５０退火样品观测一种新的界面结构。     

用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co—Si化合物薄膜的研究

本文通过离子束辅助淀积与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由ａ－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜，薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有Ｃｏ２Ｓｉ，ＣｏＳｉ相生成，７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界     

PECVD制备光致可发绿光的α—SiC：H薄膜

利用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法，以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光（光致发光谱峰值波长约为５３２ｎｍ）的高品质α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱（ＦＴＩＲ）、紫外及可见光透射谱一光学带隙、光致发光谱、电子自旋共振（ＥＳＲ）和电学性能的测试结果并进行讨论。     

LiNbO3衬底上电子束蒸发集成光学钛薄膜

钛扩散铌酸锂（Ｔｉ－ＬｉＮｂＯ３）光波导是最基本的集成光学器件之一。文章报道了在ＬｉＮｂＯ３衬底上，用自动电子束蒸发技术淀积Ｔｉ薄膜。对各种淀积条件下的结果测试分析表明：用０．５～１．１ｎｍ／ｓ的淀积速率和２．７×１０－４Ｐａ以下的残余气压，可以得到较好的Ｔｉ薄膜。用这种Ｔｉ薄膜已研制出了光波导、薄膜偏振器、相位调制器、光开关、光耦合器和光纤陀螺芯片等集成光学器件。     

准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜

利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用Ｘ射线衍射表征了该多层膜的晶相结构，扫描电镜观察其表面形貌。ＰＺＴ铁电薄膜的剩余极化为２１μＣ／ｃｍ２，矫顽场为６５ｋＶ／ｃｍ。     

影响1.06μm光学薄膜激光损伤因素的实验研究

本文对光学薄膜淀积过程中真空室的真空环境对薄膜激光损伤的影响了理论与实验方面的分析，对分子泵，扩散泵真空系统及扩散泵＋离子束辅助淀积（ＩＡＤ）制备出的膜系样品所进行的损伤实验表明，分子泵系统制备出的薄膜显示出较高的损伤阈值。     

ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（简称ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积８０８ｎｍ大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性．     

ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（简称ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积８０８ｎｍ大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺,给出了工艺条件,探索了膜系监控的方法和优越性,讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性．     

硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子,注入能量为５０ｋｅＶ,经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀,再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ,样品表面蒸上一层半透明的金膜,在正向偏压高于２５Ｖ时,可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射,而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较,并讨论了其发光机理     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

激光化学汽相淀积薄膜微透镜的设计与实践

本文介绍了采用激光化学汽相淀积（ＬＣＶＤ）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了ＬＣＶＤ的实验装置后，只要适当控制源气体的化学配比与浓度，调节激光功率与衬底上的光斑尺寸，选择淀积时间，就可以淀积出不同直径、透明、表面光滑的氮化硅薄膜微透镜。     

CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制

利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．     

含C60聚合物薄膜的制备及其光电特性

采用ＰＥＣＶＤ技术，分别在不同衬底上淀积了含Ｃ７０聚合物薄膜材料，对所淀积的薄膜材料进行了紫外可见光谱，质谱和表面光电压谱的分析，对异质结光伏性和薄膜表面横向光电压进行了测量，得到了具有应用前景的可喜效果。