Studies on microdomain structure in segmented polyether polyurethaneureas by positron annihilation lifetime and small—angle X—ray scattering

The microdomain structure of segmented polyether polyurethaneureas is investigated by means of positron annihilation lifetime spectroscopy,small-angle X-ray scattering and differential scanning calorimetry.The experimental results show that the decrease in the domain volume and free volume results from the increase in the hard segment (polyurethaneurea segment)contents as the number-average molecular weight Mn of the soft segments (polyethylene glycol segments)is the same,and that the increase in domain volume and free volume result from the increase in the Mn of the soft segments when the hard segment content is the same or nearly the same.These results demonstrate that positron annihilation lifetime spectroscopy is a sensitive technique to probe the microdomain structure in polymers.     

用PAT研究两种硅橡胶的大分子结构特征

用未硫化的甲基乙烯基硅橡胶和接枝室温硫化硅橡胶作正电子湮没实验的结果表明，甲基乙烯基硅橡胶的τ１，τ２均较ＲＴＶ的短，而τ３较长。对这一现象作了定性的解释。     

纯铝中氢致缺陷的正电子湮没和透射电镜研究

用正电子湮没技术和透射电镜研究了退火和变形纯铝中的氢致缺陷。光学显微镜和透射电镜观察结果表明充氢可以在退火铝中引入气泡、位错等．纯度较低的样品比较容易形成氢致缺陷．说明铝中杂质是氢致缺陷的成核中心。正电子湮没结果表明．随着充氮量的增加．退火铝的平均正电子寿命无显著变化．变形铝的平均正电子湮没寿命有所缩短：这一结果从实验上证实了充入铝中的氢以质子形式填充于缺陷中。屏蔽了缺陷对正电子的吸引或使缺陷内的正电子寿命下降．从而降低了正电子寿命方法对缺陷的敏感性．     

腐蚀疲劳断裂前氢与缺陷相互作用的正电子湮没研究

用正电子湮没谱和加热释氢研究了低合金高强钢人工海水腐蚀疲劳断裂前经若干小时疲劳的样品。实验结果表明,腐蚀疲劳早期阶段产生的位错、空位团以及钢中晶界是氢的捕获位,其捕获氢量随疲劳时间增加。氢与空位相互作用使空位团尺寸增加,数目增多,氢与位错相互作用促使位错增殖且随疲劳时间增加。晶界与氢相互作用能随疲劳时间、晶界捕获氢量增加而降低。碳化物沿晶析出促进了晶界捕获氢。较低的晶界-氢结合能有利于氢沿晶运动,促使预裂缝沿晶发展。     

块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5玻璃转变温度附近晶化的同步辐射X光小角散射研究

应用同步辐射X光小角散射法对块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5在玻璃转变温度附近的晶化进行研究。实验表明：在400—442℃的退火温度范围内,样品中已有结晶颗粒析出,析出颗粒的大小差别不明显,但析出颗粒的数量与退火温度及退火时间有关。退火时间一定时,析出的颗粒数量随退火温度的升高而增多：退火温度一定时,析出的颗粒数量随退火时间的增加而增多。     

小角X射线散射方法测定结晶聚合物的平均过渡层厚度

一般用一维电子密度相关函数来计算结晶聚合物的过渡层厚度。由于结晶聚合物中的过渡层是弥散的，修正的Porod定律是解决这种问题的有效方法之一。本文将用相关函数法和Po-rod定律法求出的结晶聚合物的过渡层厚度进行了比较，它们的计算结果是一致的。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

85MeV~(19)F离子辐照GaP的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究了 2 .4× 10 15 cm2 和 2 .2× 10 16 cm2 85MeV19F离子辐照GaP的辐照效应。结果表明 ,辐照在GaP中产生浓度较高的单空位 ,且随辐照剂量增大浓度增加