晶片污染对石英谐振器DLD的影响

电子产品的便携式、数字化、节能、低功耗已成为社会发展的趋势。石英谐振器在电路中担负着频率发射和接收的作用,很多电路的激励功率由原来的1 000μW减小到了5μW。激励功率依赖性(DLD)越来越受到制造商的重视,现已成为产品质量检测的一个重要参数。实践表明,晶片受到污染的程度将直接影响谐振器的DLD,在生产过程中通过对晶片污染源的分析和有效控制,能减少和控制谐振器DLD的产生。     

一种改善晶片几何参数的研磨技术

研究表明,研磨工艺对改善半导体晶片几何参数非常关键.本文提出了一种在研磨工艺中采用多组厚度递减的游星片和晶片翻面的方法,有效地改善了晶片的几何参数.     

HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察

采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴－乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像。观察表明,研磨造成的晶片表面可见损伤,经机械和溴－乙醇化学抛光后将减少和去除。然而,化学抛光却造成个别表面凹陷和凸出,这些凹凸可能是溴－乙醇对表层夹杂物和基质的腐蚀速度不同所致。     

三次泛音49U/S晶片的研制

三次泛音49U／S石英谐振器因Q值高、频率牵引小、跌落性能好而被一些有特殊要求的电路所采用。三次泛音石英谐振器因谐振电阻大，难以控制成为晶片加工技术中的一个主要难题。通过对晶片的选材、切割角度的控制和晶片长度、宽度、厚度的设计以及晶片加工工艺技术的改进，进行研究和探讨。结果表明，取得了满意的效果。     

石英晶片谐振器的设计

本文介绍了“QB-60A型石英晶片自动分选系统”的测试单元——石英晶片谐振器的工作原理以及实现方法。     

石英晶片外观缺陷对频率的影响

研究了石英晶片外观缺陷对频率的影响。石英晶片其自身存在的外观缺陷包括:崩边、玷污、缺角等,这些缺陷可能会影响到成品石英晶体电参数的性能,例如影响石英晶体的频率特性、电阻特性、DLD特性等。目前石英晶片在镀电极前均需要进行外观缺陷检测,国内大多采用人工目测检测的方式,光学方法的石英晶片的缺陷自动检测技术还不成熟。无论哪种检测方法,都具有比较大的主观性,目前还没有建立有关石英晶片对石英晶体电参数的影响关系的研究报道。因此需要研究石英晶片外观缺陷对石英晶体电参数的影响的对应关系,以便能更准确地分选出对石英晶片电参数有影响的存在外观缺陷的石英晶片。     

大幅减小刻蚀误差影响的高温超导滤波器研制

研制了一种具有良好刻蚀容差性能的类发夹型高温超导滤波器,在同等刻蚀条件下,达得更高的性能指标.在给出计算与设计过程的基础上,对出现大幅度欠腐蚀50 μm的类发夹型滤波器进行实际测试,其中心频率只偏移约30 MHz,并对该结构与直线型结构的刻蚀容差性能进行深入的比较分析,对类发夹型谐振器,每欠腐蚀2 μm,谐振频率比正常腐蚀偏低1 MHz,约为直线型谐振器的1/4,实验测试结果与之较好吻合.该研究结果,大幅降低了滤波器制作对刻蚀技术精度的依赖性,具有广泛的应用前景.     

蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究

研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据.     

电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响

利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响.实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50 μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60 μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小.研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题.     

刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响

在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.     

刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响

在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.     

二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数.应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案.     

碲镉汞干法刻蚀速率的微负载效应研究

报道了碲镉汞干法刻蚀技术的刻蚀速率的一些研究结果。在同样的刻蚀条件下,当刻蚀区域的图形面积过小,刻蚀剂不易进入刻蚀区域,生成物也不易快速转移出去,使刻蚀速率变慢,这种效应可以等效于刻蚀的微负载效应。而当刻蚀区域的面积过大,刻蚀剂很快被消耗,也会使刻蚀速率变慢,这种效应称为负载效应。采用在同一碲镉汞芯片上制作不同刻蚀面积区域进行刻蚀,比较不同刻蚀面积对刻蚀速率的影响。     

基于半球谐振陀螺电极刻蚀的三维平衡调整方法

曲面电极刻蚀技术是半球谐振陀螺的关键技术之一。为满足半球谐振陀螺高精度和高性能的要求,针对激励罩和读出基座的电极刻蚀工艺,该文提出了一种新的调整方法——三维平衡调整法。通过X、Y、Z方向的位移传感器检测器件与参考平台的间距,根据间隙差距的大小进行相应的调整。试验验证表明,该方法能有效减小半球谐振陀螺电极刻蚀的误差,满足器件的各项性能参数。该方法原理简单,具有定位精度高,工艺易实现的优点,对半球谐振陀螺电极刻蚀工艺具有较好的工程应用价值。     

碱性蚀刻机理及维护保养浅谈

对碱性蚀刻机理和设备维护保养进行了较深入的阐述,就如何达到稳定一致的蚀刻线路,提高产品质量作了分析说明,并提出了建议。