集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的应用

采用集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在１０％以内,与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联用模拟了ＳＳＵＰＲＥＭ４的全工序,并把它应用于实际生产。结果表明ＳＳＵＰＲＥＭ４有较大应用价值。     

集成电路工艺模拟技术及新发展

TCAD(Technology Computer-Aided Design)是先进的集成电路工艺开发中重要的辅助设计手段,其中的工艺模拟(Process Simulation)则是TCAD仿真流程中的关键首要环节。本文概述了集成电路工艺模拟中的常用的氧化、离子注入、扩散、光刻和刻蚀等工艺模型及其功能,并对随着深亚微米技术发展,工艺仿真在离子注入、应力仿真和三维仿真方面的进展进行了介绍。     

多目标集成电路工艺优化设计系统GOALSERVER

本文介绍一个集成电路工艺优化设计系统GOALSERVER。该系统是多目标优化数学方法与解析式工艺/器件一体化模拟的结合,它可根据对各器件特性的具体要求迅速、自动地选择工艺制造控制参数,使得各项器件特性同时达到最优。设计了一种工艺优化设计描述语言,使得系统具有良好的用户界面。新的多目标优化算法使得变量初值易于选择且易于获得满意的最优解。最后给出一个工艺优化设计的实例。     

集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.     

集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并进行了离子注入设备模型的初步研究.     

集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻工艺模拟

基于3D元胞自动机方法实现了影像成形、曝光、后烘和光刻胶刻蚀过程等集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻过程模拟模块的集成.模拟结果与已有实验结果一致,表明基于3D元胞自动机方法的后烘和光刻胶刻蚀模拟模块的有效性,这对于实现集成电路和微电子机械系统的器件级的工艺模拟具有一定的实用性.     

集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻工艺模拟

基于3D元胞自动机方法实现了影像成形、曝光、后烘和光刻胶刻蚀过程等集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻过程模拟模块的集成.模拟结果与已有实验结果一致,表明基于3D元胞自动机方法的后烘和光刻胶刻蚀模拟模块的有效性,这对于实现集成电路和微电子机械系统的器件级的工艺模拟具有一定的实用性.     

一个集成电路可测性设计辅助软件——ASIC2000TA

随着集成电路工艺复杂性和规模复杂的提高,芯片测试变得越来越困难,而可测性设计可以用来简化测试,降低测试成本,但是可测性设计将加大设计的难度,必须通过可测性设计自动化来降低其难度,我们在九五国家攻关计划的支持下完成了一个集成电路的可测性设计的辅助软件－AISC2000TA,通过大量的实例分析证明该软件具有一定的实用性。     

用九天EDA软件培养集成电路设计人才的探索与实践

介绍了中国华大的九天EDA软件系统的构成与设计流程，以及在大学本科相关专业中开展集成电路设计的教学实践。实践表明经培训后的学生集成电路设计能力明显增强，能较快地适应实际的设计工作，受到用人单位的欢迎。     

基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化

采用虚拟制造技术对0.8μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化，确定了主要的工艺参数。在此基础上，对全工艺过程进行仿真，得到虚拟制造器件和软件测试数据，所得结果与实测数据吻合得很好。     

IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。     

红外目标模拟器的光谱辐照度校准

红外目标模拟器应当定期进行辐值校准。可以用多种方法校准,主要有光谱辐射计和 专用的校准系统。采用辐射计定标后对红外目标模拟器校准,能够在现场进行,具有方便快捷的特点。专门研制的红外目标模拟器校准系统采用了辐射对比的方法,稳定可靠溯源性强。在8μm～14μm 的光谱区间,10 - 10W/ cm2/μm 的量级上,给出了使用SR25000 红外光谱辐射计和校准系统两种方法的测量结果,并就测试中的一些问题进行了分析。     

Costas环单片集成电路

介绍了多功能单片集成Ｃｏｓｔａｓ环ＫＤ８２的电路、版图和工艺设计方法。     

IEC 61000-4-2:2008静电放电模拟器校准方法的变化

针对IEC61000—4—2：2008中静电放电模拟器的校准参数、校准方法的变化,比较了其与2001版本的差别。阐明了2008版标准中用于校准静电放电模拟器脉冲参数的靶型适配器的结构、电参数的重大修改和严格技术要求。最后,详细介绍了靶型适配器的校准框图、校准设备和校准方法。     

双极工艺模拟的校正及其应用

介绍了双极工艺基区和发射区结构模拟所涉及的物理模型，包括与单种工艺有关的杂质分凝模型、硼的间隙扩散模型及高浓度磷扩散模型等。特别分析了与多步工艺有关的点缺陷模型及其模拟校正过程，最后给出了模型校正的应用。     

B+、As+离子注入工艺模拟模型的比较

对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在ＳｕｐｒｅｍⅣ中采用的双Ｐｅａｒｓｏｎ分布模型。通过对Ｂ＾＋及Ａｓ＾＋在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用ＳＩＭＳ进行浓度分布测试,对双Ｐｅａｒｓｏｎ模型作了评估。     

一种新颖的可编程电压监测芯片

提出了一种新颖的可编程电压监测芯片设计。该芯片无需任何外部元件,仅对3个编程管脚采取不同的连接方式,即可实现36种不同的编程状态,一颗芯片可以覆盖1.5V到5.0V的电压范围。同时,特殊时序的采样保持电路和数字限流模块的设计使其具有极低的静态功耗。该芯片基于0.5μm的混合信号工艺实现,芯片面积为0.24mm2,仅消耗3μA静态电流。