等离子体增强化学气相沉积氮化钛薄膜

等离子增强化学气相沉积法(PCVD)是在物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的一种沉积方法。它兼有 PVD 和 CVD 方法的优点。介绍了 PCVD的原理和所研制的一台 PCVD 设备。分析了用 CVD 法和 PCVD 法制备的硬质膜的性能。所分析的性能有:显微硬度、抗弯强度、粘结牢度、机加工性能。     

沉积温度对等离子增强化学气相沉积TiN薄膜内应力的影响

实验表明,高速钢基体上的PECV-TiN薄膜处于压应力状态,其绝对值随沉积温度的升高而降低,反映微观组织状态及其不均匀性的衍射峰半高宽亦呈下降趋势,但晶体的择优取向受沉积温度影响较小。分析认为PECVD-TiN薄膜受离子轰击的影响较大,正常沉积温度下其内应力以本征应力为主,大小与薄膜的显微组织关系密切。较高温度下,热应力占主导地位,其大小主要决定于膜、基的热膨胀系数之差。     

退火温度对等离子体增强化学气相沉积方法生长的ZnO薄膜质量的影响

研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系,为了获得高质量的晶体薄膜,采用PECVD方法在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度为120℃,然后分别在氧气环境下退火(600℃～1000℃)1 h.X射线衍射谱和原子力显微镜(AFM)照片结果表明随着退火温度的升高,晶体择优取向明显,晶粒平均尺寸增大,到900℃时,晶粒平均尺寸达到38 nm.光致发光谱的结果表明,随着退火温度的升高,发光峰的半高宽(FWHM)逐渐地变窄,到900℃时,达到92meV,晶体质量得到了明显提高.通过对变温光谱的拟合计算,得到激子束缚能为59 meV,表明紫外发射来自于自由激子辐射复合.     

化学气相沉积制备纳米结构碳化钨薄膜

采用氟化钨(WF6)和甲烷(CH4)为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备具有纳米结构的碳化钨薄膜。采用SEM、XRD、EDS等方法表征了碳化钨薄膜的形貌、晶体结构和化学组成。通过表征,表明在前驱体混合气体中的甲烷与氟化钨气体的流量比(碳钨比)为20、基底温度为800℃的条件下得到的碳化钨薄膜是由直径为20～35nm的圆球状纳米晶构成。通过分析影响薄膜的晶体结构、化学组成的因素后,认为要得到具有纳米晶结构的碳化钨薄膜,主要应控制前驱体气体中的碳钨比以及基底温度。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展，重点评述了反应机理，发展历史，沉积方法，补底材料，检测手段，论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.     

分布式电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜

介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺。讨论了DECRPECVD工艺中气相O／Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析、椭偏仪、化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀SiO2薄膜的各种理化特性进行了分析和研究。在此基础上，还采用准静态I-U和高、低频C-U技术对优化工艺后的SiO2薄膜进行了电学性能测试，并在最后给出了采用DECRSiO2的薄膜晶体管的特性曲线。     

基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响

在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。     

PECVD法低温制备二氧化硅薄膜(英文)

针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标进行了测试,探讨了射频功率、反应腔室压力、气体流量比等关键工艺参数对SiO2薄膜性能的影响.结果表明:SiO2薄膜的折射率主要由N2O/SiH4的流量比决定,而薄膜均匀性主要受电极间距以及反应腔室压力的影响.通过优化工艺参数,在低温260℃下制备了折射率为1.45～1.52、均匀性为±0.64%、应力在-350～-16MPa可控的SiO2薄膜.采用该方法制备的SiO2薄膜均匀性好、结构致密、沉积速率快、沉积温度低且应力可控,可广泛应用于集成电路以及MEMS器件中.     

等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

以正硅酸乙酯（TEOS）／C4F8／Ar为气源，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备了低价电常数a-SiCOF介质薄膜，并借助X射线光电子能谱（XPS）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。     

微波等离子体化学气相沉积技术制备金刚石薄膜的研究

介绍了微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）制备金刚石薄膜的研究情况，重点论述了该法的制备工艺对金刚石薄膜质量的影响及其制备金刚石薄膜的应用前景。     

射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜

本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化,使微晶硅薄膜沉积速率达到了3/s左右。     

优化HFCVD系统内衬底温度场的数值研究

热丝对衬底的辐射是决定热丝化学气相沉积金刚石薄膜系统内衬底表面温度分布的主要因素。本文基于辐射传热基本原理 ,并考虑变热物性衬底的横向热传导 ,改进了衬底温度场的计算模型。数值模拟了衬底表面所受辐射热流密度分布和温度分布 ,结果表明辐射热流密度分布与辐射热平衡得到的温度分布形状一致 ,而衬底横向热传导提高了温度分布的均匀性。进一步计算并讨论了环境温度和热丝高度、数目、间距等几何参数对衬底表面所受辐射热流密度分布和温度分布的影响 ,给出获得 8cm× 8cm大面积均温区对应的热丝几何参数     

热丝法沉积金刚石膜工艺参数优化的微观机理与预测

弄清化学气相沉积金刚石膜的机理对优化工艺参数具有指导意义。在前期工作中，作者辨析了氢原子、甲基和乙炔在金刚石膜沉积中的作用。本文建立了两个微观指标，即甲基浓度和氢原子与乙炔浓度的比值，分别对应生长金刚石和刻蚀非金刚石碳。通过对G-H和G-H-O反应气氛的模拟，讨论了这两个指标与灯丝温度、气源组成和气压的关系，并构建了含氧气氛生长金刚石的G-H-O三元相图。对热丝法沉积金刚石膜的工艺参数的优化选择进行了机理分析与预测。为工业化生产金刚石膜提供了参考。