不稳定分子ZnH和ZnHg的寿命测量

不稳定分子ＺｎＨ和ＺｎＨｇ的寿命测量张培林，吴小光，李晶，赵朔嫣（清华大学现代应用物理，北京１０００８４）１ＺｎＨ分子的基态寿命研究激光激发Ｚｎ原子至亚稳态，再与ＨＺ分子碰撞产生处于基态Ｘ２的ＺｎＨ分子。此分子是一种不稳定分子，基态寿命为有限值。我们...     

分子和离子的荧光寿命测量和研究

荧光寿命是一种特征于分子的光化学和光物理性质的光谱参数。本工作报道一种实验装置和技术可测定～20纳秒至数毫秒范围的荧光寿命,并对有机化合物、稀土螯合物、发光材料等不同类型样品的寿命数值大小与它们的分子结构、能级跃迁和光化学行为的关联作了讨论。     

NaK分子D^1π态自发辐射寿命及其总碰撞猝灭截面的测量

本文通过脉冲染料激光５１４．５ｎｍ激发ＮａＫ分子，用时间分辨荧光法详细测量了Ｄ１π态有效辐射寿命随缓冲Ａｒ气压强的变化关系，利用Ｓｔｅｒｎ－Ｖｏｌｌｍｅｒ曲线外推得到了在Ｔ＝３４８℃时Ｎａｋ分子Ｄ＇π态（ｖ＇＝１，Ｊ＇＝６７；Ｖ＇＝１，Ｊ＇＝９５：Ｖ＇＝３，Ｊ＇＝１２２）的自发辐射寿命分别为１６．１ｎｓ，１５．１ｎｓ，１４．７ｎｓ。Ａｒ气对基碰撞猝灭截面分别为２．２８ｎｍ３，２．１２ｎｍ２和１．９５ｎｍ２。Ｎａｋ分子Ｄ＇π态自发辐射寿命以及Ａｒ气对Ｄ＇π态总碰撞猝灭截面的测量。     

直流稳定电源输出功率测量不确定度的评定

直流稳定电源因其面板数字表准确度高,输出稳定可靠,可通过面板显示的电压和电流间接计算产品的功率。本文介绍了一种间接评定直流稳定电源的输出功率测量不确定度的方法。     

不确定退化测量数据下的剩余寿命估计

剩余寿命估计是工程系统预测与健康管理的关键.目前,基于观测的系统退化数据进行剩余寿命估计得到了很大的关注.由于系统随机退化过程和测量误差的影响,测量数据中不可避免包含退化随机性和测量不确定性.然而,现有基于观测数据的剩余寿命估计研究中,没有将退化随机性和测量不确定性对估计的剩余寿命分布的影响同时考虑.鉴于此,提出了一种基于Wiener过程且同时考虑随机退化和不确定测量的退化建模方法,利用Kalman滤波技术,实现了潜在退化状态的实时估计.在退化状态估计的基础上,得到了同时考虑退化状态不确定性和测量不确定性的解析剩余寿命分布.此外,提出了一种基于极大似然方法的退化模型参数估计方法.最后,通过陀螺仪的退化测量数据验证了本文提出的方法优于不考虑测量不确定性的方法,可以提高剩余寿命估计的准确性.     

应用单片机测量开关寿命的新方法

本文论述了以８０３１单片机组成的硬件系统为核心，配以系统软件实现对开关元件如：开关二极管、三极管、继电器、接触器、电磁阀以及步进电机等器件的寿命进行测量。它具 有结构紧凑、体积小、价格低等特点。     

产生寿命分布的计算机辅助测量

本文建议用脉冲MOS电容器的电容—时间瞬态技术测量产生寿命分布.用计算机辅助测量技术可实现阶跃电压产生,电容—时间瞬态采样读出,数据处理和产生寿命分布测量结果输出全过程的自动化.     

离子注入层少子寿命空间分布的测量

本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了饱和电容法测量非均匀掺杂MOS电容少子产生寿命空间分布的方法.该方法的优点是测量与计算简单.     

一种测量少数载流子寿命的新方法

本文介绍一种简便实用的测量少数载淳子寿命的新方法－ＭＯＳ电容测量法，它对测量样品的要求不高，可在生产过程中实时测量，测量方法、数据处理及测量设备均较简便。     

光缆内光纤的寿命计算与应变测量

综合介绍了光缆内光纤寿命计算的方法，并给出了较为直观与实用的计算公式和曲线。对成品光缆中光纤应变的测量方法和敷设好的光缆中光纤应变分布的测量方法作了较为详细的分析和叙述。     

ZnH分子的激发光谱和荧光光谱

ZnH分子的形成及能级 ZnH是一种不稳定分子,可以如下产生:先用307.6nm激光使锌原子由基态泵至亚稳态4~3P_1;此亚稳态原子与H_2分子碰撞截面很大,约为2nm~2;结果Zn4~3P_1原子激发能用来打断氢分子键,形成处于基态的ZnH分子。 Zn(4~3P_1)+H_2→ZnH(x~2∑~+)+H     

阶跃电压法测量产生寿命的简单方法

采用Ｚｅｒｂｓｔ产生区宽度模型，提出了阶跃电压法中一个计算简单、方便、快捷的确定产生寿命的方法。     

测量不确定度

本文介绍了什么叫测量不确定度。测量不确定度包括哪些内容，如何评估测量不确定度，以及在测试报告中对测量不确定度的要求。     

测量不确定度及其评定

目前,测量是在科学技术、工农业生产、国内外贸易、工程项目以至日常生活等各个领域中不可缺少的一项工作.测量的目的是确定被测量的量值,测量的质量会直接影响到国家和企业的经营活动.因此,测量不确定度作为衡量测量结果质量的重要指标,对其进行分析研究具有非常重要的意义.本文主要从测量不确定度的发展、定义、来源、分类等方面进行详细...     

少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究

研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。     

一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法

提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。     

膜式电阻器的不稳定结构

膜式电阻器的不稳定结构是由某些特殊的缺陷构成,多存在于瓷体、导电膜层和整体结构中,其主要特征是具有潜伏性和渐变性。在它们形成的初期,常规测试难以发现,只有发展到一定程度并导致电阻器性能劣化时才能证明它的存在。不稳定结构不仅难以预测,而且易与许多工艺中的问题混淆,影响质量分析的准确性,成为电阻器生产中难以解决的问题。本文从微观分析的角度研究了不稳定结构的表现形式、结构形态、发展特征和产生的原因,提出预测和工艺改进的建议,并指出,不稳定结构是由选材不严、工艺控制不当和设计考虑不周等人为的因素造成的。