大尺寸Bi_（12）S_iO_（20）单晶生长的研究

本文介绍了ＢＳＯ单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法，从φ８０×６０ｍｍ铂金坩埚中生长出φ４０×６０ｍｍ重达８００克左右的优质ＢＳＯ大单晶。研究并确定了生长大尺寸ＢＳＯ晶体的工艺条件，并对晶体中若干主要缺陷进行了观察分析，讨论了它们与生长工艺条件的关系，以及提高晶体质量的主要途经。     

Nd：YLF激光晶体生长研究

本文介绍了部籽晶溶液提拉法生长Ｎｄ：ＹＬＦ晶休珠一列关键技术：组分配比的选择、高纯原材料的制备、生长装置的设计、温场的调试、漂浮物的消除和工艺参数的确定等。通过实验获得了φ１５ｍｍ×１３０ｍｍ ａ轴晶体毛坯，加工出了φ４～５ｍｍ×６０～１１０ｍｍ激光棒，晶体质量达到目前国际水平。     

硒镓银倍频器的输出特性

我们用坩埚下降法生长出φ２０×６０ｍｍ的硒镓银单晶，在１１ｍｍ长的ＡｇＧａＳｅ２倍频器中获得了ＴＥＡＣＯ２激光的倍频输出，在１５．１６ｍＪ泵浦光下５．３μｍ倍频光单脉冲输出能量为４０２μＪ，其内部能量转换效率为２．６６％，外部匹配角宽度约为４°。     

有机非线性光学晶体──甲氧苯亚甲基苯乙酮的研究

本文报道了有机非线性光学材料甲氧苯亚甲基苯乙酮（ＡＡＰｈ）单晶生长条件。采用蒸发法在乙醇溶剂中培养出６ｍｍ×１１ｍｍ×３５ｍｍ大尺寸的单晶。测定了晶体组成、质谱、红外光谱和晶体的透过波段，用１０６４ｎｍ的Ｎｄ￣（３＋）：ＹＡＧ激光照射晶体产生５３２ｎｍ的倍频光，其倍频光强度约是ＫＤＰ的５～６倍。     

BiB_3O_6晶体1.064μm高效三倍频输出

ＢｉＢ3Ｏ6 (ＢＩＢＯ)晶体属单斜晶系 ,点群 2 ,空间群Ｃ2 ,我们所测的晶胞参数为ａ =0 712 0 4ｎｍ ,ｂ =0 4 994 9ｎｍ ,ｃ=0 6 5 0 78ｎｍ ,β=10 5 .6°。目前 ,我们采用高温溶液法已成功生长出尺寸达到 2 4ｍｍ× 19ｍｍ× 35ｍｍ的ＢＩＢＯ晶体 ,重量为 4 8ｇ ,晶体     

紫外可调谐激光晶体Ce^3＋：LiSrAlF6生长及其光谱特性

在国内首次用提拉法生长出Ｃｅ＾３＋：ＬｉＳｒＡｌＦ６晶体,晶体尺寸达φ２０ｍｍ×８０ｍｍ,测定了其在室温下的吸收及发射光谱,并计算了晶体的主吸收系数及残余吸收系数。     

四硼酸锂晶体圆片的加工与表征

介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明，所得ＬＢＯ圆片能够满足目前ＳＡＷ器件制作的要求     

（YbTbBi）_3Fe_5O_（12）块状单晶生长及其磁光性能

用助熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱．当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄａｙ旋转温度系数为２．０×１０－２．（°）·ｍｍ－１·Ｋ－１．所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数     

Ka频段GaAs单片平衡混频器

报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。     

硒镓银倍频器的输出特性

我们用坩埚下降法生长出φ２０×６０ｍｍ的硒镓银（ＡｇＧａＳｅ２）单晶。在１１ｍｍ长的ＡｇＧａＳｅ２倍频器中获得了ＴＥＡＣＯ２激光的倍频输出，在１５．１６ｍＪ泵浦光下５．３μｍ倍频光单脉冲输出能量为４０２μＪ，其内部能量转换效率为２．６６％，外部匹配角宽度约为４°。     

11.4MHz中等带宽晶体滤波器设计

本文介绍了１１．４ＭＨ中等带宽晶体滤波器的设计。该滤波器是为中国航天工业总公司军工产品的需求与研制。其技术要求为：（ＢＷ６０ｄＢ）大于７６ＫＨｚ，扦入损耗低于４ｆｄＢ，带外衰减大于６０ｄＢ≤±５０ＫＨｚ，输入输出阻为１ＫΩ，体积：４８×２５×１６（ｍｍ）。用三节一臂两晶体，一臂一晶体差接桥式电路结合四端网络分析各臂的阻抗特性。     

单晶AgGaSe_2红外倍频器

采用竖式布里奇曼法生长了若干优质的ф２０×８０ｍｍＡｓＧａＳｅ２单晶体。经过Ａｇ２Ｓｅ共存下退火的样品，其通光波段透过率几乎都达到反射极限。计算了Ⅰ型和Ⅱ型红外倍频器的角度调谐特性曲线，利用上述晶体制备了１０．６μｍ辐射的Ⅰ型相位匹配倍频器。在一台ＴＥＡＣＯ２激光器的１０．６μｍ信频实验中测得相位匹配角为５６．１°，接收角参数△θ·Ｌ为１．０４°·ｃｍ。     

（YbTbBi）3Fe5O12块状单晶生长及其磁学性能

用且熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱，当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄｙ旋转温度系数为２．０×１０＾－２（°）．ｍｍ＾－１．Ｋ＾－１，所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角，又有很小的温度系数。     

高透过低吸收KCl单晶生长

本文介绍一种生长卤化物单晶的方法——注入式反应气氛下降法(称IRABP法).采用该法已获得φ75×75的优质 KCl单晶。用10.6μmCO_2激光量热卡计测量单晶的体吸收系数β_(10.6■1～2×10~(-4)cm~(-1)。讨论各种工艺参数对晶体质量的影响。     

激光二极管抽运高浓度掺杂Yb∶YAG晶体获得3.8W连续激光输出

在热力学性质优良的ＹＡＧ晶体中,Ｙｂ3 离子仅有的两个电子态产生Ｓｔａｒｋ分裂后,形成准三能级的激光能级,具有高的激光效率和掺杂浓度,较Ｎｄ3 离子的四能级分布更容易在激光二极管抽运下产生高功率激光输出。我们采用Ａｌ2Ｏ3,Ｙ2Ｏ3和高纯Ｙｂ2Ｏ3粉料,已经能够生长掺杂浓度高达30ａｔ%的Ｙｂ∶ＹＡＧ晶体毛坯,尺寸约为φ30ｍｍ×80～100ｍｍ。Ｙｂ∶ＹＡＧ晶体中色心的形成与生长气氛有关,即在中性气氛下生长出来的晶体是缺氧的,其中位于375ｎｍ的吸收带及430ｎｍ发光带可能对应于Ｙｂ2 离子的Ａ1ｇＴ1ｕ跃迁,而位于625ｎｍ的吸收带…     

用加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长碲镉汞单晶

本文报导了将加速旋转坩埚技术布里奇曼法应用于碲镉汞单晶的生长工艺中,获得了性能优良的原生n型晶体。对于x值力0.19～0.22的φ12晶片,组份均匀性为±0.0025,77K下载流子浓度小于4×10~(14)cm~(-3),迁移率高达2.8×10~5cm~2/V·s     

一种燃气灶具控制专用集成电路

介绍了一种燃气灶具控制器专用集成电路。讨论了控制器的功能及集成电路的设计。集成电路中共有约８５００个器件，采用３μｍＣＭＯＳ工艺设计，芯片术核心面积为２．６５ｍｍ×３．９０ｍｍ，包括压焊点在内的总面积为３．２６ｍｍ×４．５ｍｍ。     

优质大尺寸Nd:YAG单晶的生长

1.引言Nd:YAG棒的激光性能取决于它的光学均匀性、掺杂浓度及其均匀性。目前,国内外关于Nd:YAG的生长虽然已由实验室转到工业生产,但其光学质量仍是国内外科技人员共同关心的问题。提拉法生长大尺寸Nd:YAG单晶早被国内外人们所重视。1971年已报导感应加热提拉法生长出φ40×200mm Nd:YAG,资料介绍了用4.5×4.5in的铱坩埚生长出φ49.3mm的Nd:YAG;美国φ75mm的Nd:YAG已投入生产。近悉φ80mm以上的Nd:YAG已问世。从事Nd:YAG单晶生长的伯尔特博士说,大直径Nd:YAG晶体生长是从φ30mm开始研究,进而生长φ40mm,φ50mm的晶体。     

GGG(Ca,Mg,Zr):(Nd,Cr)激光新晶体的生长及测试

报道了双掺钕铬的钙镁锆钆镓石榴石单晶的生长及激光性能。用提拉法、高频感应中热、铱坩埚成功地生长出尺寸为φ18×60～80mm完整透明的晶体毛坯,并加工成φ5×40mm的激光棒。得到的激光输出斜率效率达0.7％。讨论了晶体的光谱性能和晶格常数的测定及与置换少量Sc的双掺钕铬晶体GGG(Sc):(Nd,Cr)的一些对比实验结果。     

BSO晶体的光学特性及在实时全息术中的应用

从原理和实验上研究了ＢＳＯ晶全自动实时记录、显影光学信息的特征，及如何在实时全息术中把ＢＳＯ晶体作为全息记录介质，实现自动计算全息图。实验表明，当晶体上施加约６ｋＶ／ｃｍ的横向电场和约１５×１０＾５Ｐａ的横向气压时，其感光灵敏度最大。