低温烧结BaO-TiO2系微波瓷料

利用传统的混合氧化法制备BaO-TiO2系统陶瓷。通过添加适量的玻璃,系统的烧结温度在其介电性未降低的条件下被成功地降至950°C。该文也研究了玻璃的数量和预烧温度对介电性能的影响。按0.64BaTi4O9+0.33ZnO+0.03Nb2O5+xSnO2+yMnCO3(x=0.01～0.06,y=0.01～0.8)配方,在预烧温度为1110°C和烧结温度为950°C时,有以下的微波特性:其介电常数εr为32.2,介质损耗tanδ为1.5×10-4。这种系统陶瓷能与纯Ag电极共烧,使得MLCC的成本极大地降低了。     

(La0.44Sr0.33)TiO3对MgTiO3系高频高Q MLCC瓷料性能的影响

采用传统固相反应法制备了(1-x)(Mg0.95Zn0.05)TiO3-x(La0.44Sr0.33)TiO3(MZLST)介质陶瓷。系统研究了(La0.44Sr0.33)TiO3掺杂量对MZLST陶瓷烧结特性、相构成、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,掺杂少量的(La0.44Sr0.33)TiO3后,MZLST陶瓷的主晶相为(Mg0.95Zn0.05)TiO3和(La0.44Sr0.33)TiO3,随着烧结温度的升高,第二相(Mg0.95Zn0.05)Ti2O5的含量增加。当x=0.10时,MZLST陶瓷在1 285℃烧结2h获得最佳的介电常数εr=22.17,品质因数Q.f=48 471GHz(6.72GHz),谐振频率温度系数τf=-7.99×10-6/℃。     

预烧工艺和CeO_2添加剂对(1-x)LaAlO_3-xCaTiO_3微波介质陶瓷性能的影响

利用常规固相法制备了[(1–x)LaAlO3-xCaTiO3]+yCeO2陶瓷(y为CeO2的质量分数),研究了预烧工艺和CeO2添加剂对所制陶瓷微波介电性能的影响。结果表明,LaAlO3与CaTiO3一次预烧能获得较好的微波介电性能,CeO2添加剂能有效提高材料的烧结性能和微波介电性能。(0.4LaAlO3-0.6CaTiO3)+0.2%CeO2陶瓷经1 450℃烧结5 h后能获得最佳微波介电性能:εr=43.1、Q·f=29 700 GHz、τf=–2.4×10–6/℃。     

二价阳离子取代的Ba2-xRxNdNb5O16瓷料结构与性能的研究

以Ba2NdNb5O16为基，通过二价阳离子的取代，探讨取代物对Ba2-xRxNdNb5O16瓷料介电性能与结构的影响，实验结果表明，Sr^2 ,Ca^2 Mg^2 取代使资料的相对介电常数εr随取代量显著增大，温度系数αε也发生明显变化，变化幅度与取代物离子半径密切相关，XRD、SEM微观结构分析可以推断，实验瓷料为四方晶系钨青铜结构，因取代物离子半径差异而占据五边形A2和四边形A1间隙的几率不同，引起介电性能明显变化。     

制备工艺对PZT陶瓷压电性能的影响

分别采用两步预烧工艺和传统一次预烧工艺制备了0.13Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.01Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.86Pb_(0.82)Ba_(0.08)Sr_(0.10)Ti_xZr_(1-x)O_3(0.48≤x≤0.51)陶瓷粉体,再通过传统固相烧结法将两种粉体制备成压电陶瓷。研究了前驱体煅烧工艺和锆钛比对压电陶瓷性能的影响。结果表明,两种制备的压电陶瓷均为纯净的钙钛矿结构。两步预烧法可提高陶瓷的压电、机电性能,但介电性能降低。两步预烧法制备陶瓷的压电常数d33最高可达884pC/N,平面机电耦合系数kp可达66.4%,相对介电常数εr为5 742。采用传统固相法制备陶瓷的d33和kp分别降低到755pC/N和56.1%,ε_r则提高到7 324。     

预烧温度对0.363BiScO3-0.637PbTiO3高温压电陶瓷性能的影响

研究了不同预烧温度对反应烧结0.363BiScO3-0.637PbTi O3陶瓷的微观结构及压电介电性能的影响。根据0.363BiScO3-0.637PbTi O3的配方,通过热失重-差热分析判断Sc2O3、Bi2O3、Pb3O4、Ti O2粉末混合物分解、化合反应点和预烧温度范围;运用XRD、SEM研究了不同预烧温度下制备陶瓷样品的微观结构;通过压电介电性能测试,确定出最佳预烧工艺条件。结果表明,最佳的预烧条件为740℃保温2 h。经1 080℃、2 h烧成陶瓷的压电常数d33=308 pC/N,机电耦合系数kp=0.437,介电常数ε3T3/ε0=1 560,介电损耗tanδ=0.021,退极化温度TD=460℃。在此工艺条件下,该陶瓷性能优良、制备重复性好,在高温压电陶瓷传感器、换能器等方面显示出实用化前景。     

烧结工艺对01005高容片式MLCC性能的影响

相较于钟罩炉烧结和隧道炉烧结,01005规格的薄层高容多层陶瓷电容器产品采用辊道炉快速烧结的方式,有效改善了陶瓷介质和内电极的烧结收缩差异,降低了内应力,防止内电极孔洞及团聚的发生,确保烧结后内电极平整且连续,显著提高产品电性能及高温寿命,使产品性能满足要求。     

内电极浆料对Bi2O3—ZnO—Nb2O5瓷料相组成的影响

研究了瓷料与内电极浆料的共烧工艺中，内电极浆料对Ｂｉ２ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５资瓷料相组成的影响。ＸＲＤ分析表明，Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｚｂ２Ｏ５瓷料是焦绿石立方α相与低对称β相构成的复相体系。     

BiVO4对MgTiO3陶瓷烧结及介电性能的影响

研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和介电常数rε逐渐增大,品质因数Q×f急剧下降,频率温度系数fτ向负值方向移动。添加w(MgTiO3)=4%的陶瓷在900℃烧结2 h,获得最佳性能:rε=18.53,Q×f=6 832 GHz,fτ=-55×10-6/℃。     

Bi1.5ZnNb1.5O7纳米粉体对其陶瓷性能的影响

采用水热法制备Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)纳米粉体,传统固相法制备Bi1.5ZnNb1.5O7(α-BZN)陶瓷。研究了掺入BZN纳米粉体对α-BZN陶瓷性能的影响。结果表明:掺入BZN纳米粉体对α-BZN陶瓷的烧结温度和物相没有影响,随BZN纳米粉体掺入量的增加,α-BZN陶瓷密度下降。但掺入质量分数10%的BZN纳米粉体,在1 000℃烧结的α-BZN陶瓷样品结晶良好,呈现出更优异的介电性能:1 MHz下εr约148,tanδ小于3.365×10–4。     

BaCO3基低温共烧陶瓷基板工艺及性能分析

对用于封装的BaCO3基低温共烧陶瓷基板LTCC材料进行了研究,包括组分配制以及陶瓷制备工艺研究。对烧结后陶瓷的部分热性能以及力学性能进行了测试。结果表明:BaCO3基低温共烧陶瓷较为致密的密度在3.8～4.2g/cm3,在900℃烧结的陶瓷机械形变较小。     

BaTiO_3晶相对X7R介质瓷电性能的影响

着重讨论ＢａＴｉＯ３细粉体的晶相对Ｘ７Ｒ介质瓷的电气性能的影响。通过Ｘ射线衍射谱分析该细粉体的晶相结构，结果表明：立方相的ＢａＴｉＯ３介电常数很低；四方相的ＢａＴｉＯ３介电常数高，介质的电性能也好。所以我们用四方相ＢａＴｉＯ３的含量来衡量Ｘ７Ｒ介质瓷的质量。ＢａＴｉＯ３四方相含量越高，Ｘ７Ｒ介质瓷电性能越好。     

ZrO_2掺杂BaO-La_2O_3-TiO_2陶瓷预烧温度研究

采用固相反应法,在不同温度(1100~1250℃)下预烧后烧结制备了Ba4La9.33(Ti0.95Zr0.05)18O54微波介质陶瓷,研究了预烧温度对其相组成、显微结构以及微波介电性能的影响。结果表明:不同预烧温度下制备的陶瓷样品主晶相均为类钨青铜结构的BaLa2Ti4O12晶相。1200℃预烧制备的陶瓷样品晶粒为典型的柱状晶,分布均匀,且晶粒尺寸最大。1200℃预烧后,于1400℃烧结制备的陶瓷样品具有最佳的微波介电性能:εr=86.83,Q·f=5875GHz(4.482GHz),τf=81.99×10–6/℃。     

Co_2O_3掺杂对0.965MgTiO_3-0.035SrTiO_3微波介质陶瓷性能的影响

采用传统电子陶瓷制备方法研究了Co2O3(1.5%～5.0%,质量分数)掺杂的0.965MgTiO3-0.035SrTiO3(MST0.035)微波介质陶瓷,分析了Co2O3含量对MST0.035陶瓷的烧结性能、晶相结构、显微形貌以及微波介电性能的影响。结果表明:Co2O3的掺杂促进了MST0.035陶瓷的烧结。随着Co2O3掺杂量的增加,陶瓷介电常数略有下降,谐振频率温度系数以及品质因数增加,同时中间相MgTi2O5逐渐减少直至完全消失。当Co2O3掺杂量为质量分数3.0%时,MST0.035陶瓷的烧结温度由1 380℃降低到1 290℃,其烧结所得的样品具有优良的微波介电性能:谐振频率温度系数τf=–2.53×10–6/℃,高的品质因数Q·f=19 006 GHz和介电常数εr=20.5。     

热处理工艺对钙硼硅微晶玻璃性能影响

在CaO-B203-SiO2(CBS)系微晶玻璃中,添加P2O5和ZnO两种晶核剂制成试样.采用XRD和SEM分析了试样相组成和微观形貌.研究了热处理工艺对试样烧成性能、力学性能和电学性能的影响.结果表明:试样主晶相为CaSiO3和CaB2O4,随着晶化时间的延长,介稳态的Ca2SiO4相逐渐减少,主晶相增加,核化温度...     

BSTO/RO铁电移相材料的介电性能及应用探讨

采用固相反应法制备了不同组分钛酸锶钡/轻金属或稀土氧化物(BSTO/RO)铁电移相材料。研究了该系材料的介电性能。结果表明:对于Ba0.6Sr0.4TiO3/质量分数为60%RO材料,1MHz下,εr为119,tanδ为0.001;3.37GHz下,εr为110,tanδ为0.004。3×103V/mm偏置场强下,介电调谐率η为12.8%。材料的介电性能基本上达到了相控阵移相器的使用要求。     

BaTiO3基PTC瓷粉的制备现状与发展趋势

介绍了颗粒表面改性法,柠檬酸盐溶液–液相包裹法和高分子网络凝胶–液相包裹法等采用表面改性技术的PTC瓷粉制备方法。重点介绍BaTiO3基PTC瓷粉非均匀形核表面包覆制备的原理、特点、研究现状和应用前景。认为BaTiO3基PTC瓷粉的制备,有向液相表面包覆发展的趋势,非均匀形核表面包覆,是一种较具潜力的高性能PTC瓷粉制备方法。     

陶瓷小孔激光精密加工新方法应用研究

激光打孔是利用激光的光学特性,通过透镜聚焦在工件上,所以加工出来的孔会有一定的锥度存在。为解决这一问题介绍了陶瓷激光精密打孔的新方法——倾斜回转法。即在激光打孔的过程中,让工件或激光切割头倾斜一定的角度,并让工件绕一固定的轴线回转,以减少孔的锥度,解决陶瓷打孔的技术难题。通过正交实验,摸索出了一套切实有效的激光打孔工艺参数,较好地解决了小孔锥度的问题,加工出了合格的陶瓷小孔样品。