籽晶分步包膜法掺杂改进ZnO的压敏电阻特性

通过籽晶分步包膜法ZnO复合掺杂物制备技术的研究,以及与其他三种不同工艺方法处理ZnO压敏电阻片掺杂物复合粉体的对比,特别是在复合掺杂物性能、混合浆料性能、喷雾造粒性能、电气性能和显微结构等方面的对比,得出籽晶分步包膜沉淀可以获得离子级混合均匀的ZnO复合掺杂物,经过喷雾造粒提高成型性能.最终,使ZnO压敏电阻片电位梯度和能量吸收能力得到了显著提高,分别达到2.6kV/cm和270J/cm3.     

籽晶分步包膜法掺杂改进ZnO的压敏电阻特性

通过籽晶分步包膜法ZnO复合掺杂物制备技术的研究,以及与其他三种不同工艺方法处理ZnO压敏电阻片掺杂物复合粉体的对比,特别是在复合掺杂物性能、混合浆料性能、喷雾造粒性能、电气性能和显微结构等方面的对比,得出籽晶分步包膜沉淀可以获得离子级混合均匀的ZnO复合掺杂物,经过喷雾造粒提高成型性能.最终,使ZnO压敏电阻片电位梯度和能量吸收能力得到了显著提高,分别达到2.6kV/cm和270J/cm3.     

sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。     

纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响

研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理。研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高。在质量分数为0~30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势。当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149。在0~10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%~30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高。当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6 mA。     

银掺杂量对ZnO压敏电阻电性能的影响

通过传统的固相反应法在920℃制备了银掺杂的ZnO压敏电阻样品,考察了银掺杂量对样品烧结特性和电性能的影响。结果表明,银掺杂不利于样品的致密,但对于ZnO压敏电阻的电性能有明显的影响。当银在ZnO基体中的质量分数由15%增加到25%时,样品的压敏电压由1900V/cm降到600V/cm,对应的非线性系数由15.4降到9.0。这为进一步控制ZnO压敏电阻的电性能提供了新的途径。     

高能球磨法制备高电位梯度的ZnO压敏电阻

为了制备高电位梯度的ZnO压敏电阻,采用了新的粉体制备方法,即高能球磨Bi2O3和Sb2O3两种添加剂12 h,再与其它氧化物共同高能球磨5h。扫描电镜及各个烧结温度下电性能、致密度的实验结果证明:此法制备的粉体压片后,1000℃烧结时,其电位梯度高达1516V/mm,漏电流为3.0μA,非线性系数为22。     

TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。     

梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制

采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。     

SnO2与ZnO压敏电阻特性比较分析

采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好;在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在...     

ZnO压敏电阻冲击电流寿命分布的试验研究

对氧化锌压敏电阻(MOV)样品进行了最大放电电流下的冲击电流寿命试验,得出了每只样品在失效前所能承受的冲击次数;通过对大量样品冲击电流寿命的统计分析,证明了MOV在冲击电流作用下的失效率服从威布尔(weibull)分布,从而为确定MOV的失效前平均寿命和保证寿命提供了依据。     

ZnO变阻器低压化研究及其在LCD中的应用

本文阐述了ＺｎＯ变阻器在两端有源矩阵ＬＣＤ器件的应用，指出该元件是驱动ＬＣＤ良好的非线性元件。针对ＺｎＯ变阻器阈值电压高的不足，通过改变材料配方，采用ＴｉＯ２添加剂取代传统传统配方中的Ｓｂ２Ｏ３添加剂，并选择合适的工艺参数，研制出了满足ＬＣＤ应用的低阈值电压高非线性系数的ＺｎＯ变阻器。     

四价添加剂掺杂ZnO压敏电阻器的性能

基于理论研究的结果,用固相法研究了四价添加剂对ZnO压敏电阻器性能的影响和作用机理.结果表明,优选的四价添加剂掺杂能有效降低ZnO晶粒的电阻率和残压比;通过提高晶界氧的电离度,可使晶界势垒高度上升,提高了ZnO的压敏电压梯度.     

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响

本文探讨了多种金属氧化物对ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２系材料的改性作用和对其微结构的影响，为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。     

元素V掺杂对ZnO压敏效应的影响机理研究

研究了掺杂不同V_2O_5对ZnO陶瓷压敏特性的影响.实验表明,ZnO压敏电压随V元素掺杂量增加而随之升高,非线性系数随元素V掺杂量增加而先增大后减小,漏电流先减小后增大.分析认为,V元素掺杂对ZnO压敏材料电性能的影响不仅与电子的能级有关,与其自旋特性也紧密相关.ZnO陶瓷中掺杂的V元素在晶界偏析,其V元素都会产生局域磁矩,会对与其取向不同的自旋电子产生强的散射,这样可增大ZnO压敏陶瓷电阻率,使晶界产生非线性特性.     

添加尖晶石对氧化锌压敏电阻性能的影响

通过添加尖晶石（Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ（１２））改性研制出电位梯度为１００Ｖ／ｍｍ左右，压敏电压在８２～１５０Ｖ，通流容量可达１６００Ａ／ｃｍ２，漏电流＜２μＡ系列压敏电阻器，从而满足了国内电话交换机行业对８２Ｖ、１００Ｖ、１２０Ｖ、１５０Ｖ压敏电阻器的电性能要求。从工艺的角度解释了尖晶石对氧化锌瓷晶粒的作用原理，并分析了尖晶石的微观结构及粒度对瓷片电性能的影响。     

Co3O4在压敏陶瓷中的作用和影响

研究了Ｃｏ３Ｏ４在ＺｎＯ压敏陶瓷中的作用，以及它对电性能和微观结构的影响。Ｘ光衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和电子探针（ＥＰＭＡ）分析结果表明，在ＺｎＯ压敏陶瓷中Ｃｏ离子以Ｃｏ２＋的形式存在，多数Ｃｏ离子已溶入ＺｎＯ晶粒中，形成替位或填隙缺陷，但它基本上不影响ＺｎＯ晶粒的生长。电性能测试结果表明，适当的氧化钻含量能提高ＺｎＯ压敏陶瓷的非线性系数和通流能力，并能降低漏电流和限制电压，然而过多的氧化钻则会对回升区大电流特性带来损害．此论点至今在国内外尚未见到类似的报道。     

SnO_2压敏材料势垒电压的测量

依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正确性。