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相似文献
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非晶硅太阳电池是20世纪70年代中期发展起来的一种新型薄膜太阳电池,与其他太阳电池相比,非晶硅电池具有以下突出特点:(1)制作工艺简单,在制备非晶硅薄膜的同时就能制作pin结构。(2)可连续、大面积、自动化批量生产。(3)非晶硅太阳电池的衬底材料可以是玻璃、不锈钢等,因而成本小。(4)可以设计成各种形式,利用集成型结构,可获得更高的输出电压和光电转换效率。(5)薄膜材料是用硅烷(SiH4)等的辉光放电分解得到的,原材料价格低。1非晶硅太阳电池的结构、原理及制备方法非晶硅太阳电池是以玻璃、不锈钢及特种…  相似文献   

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非晶硅太阳电池组件封装技术及可靠性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   

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薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)技术制备非晶硅顶电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF—PECVD)技术制备微晶硅底电池,初步优化研究了薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流匹配,以及氧化锌/金属复合背反射电极对电池的作用。研制出了面积为1.0cm^2效率达9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池。  相似文献   

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一、非晶硅目前,可以用来制造太阳电池的材料主要有下列几种:单晶硅、多晶硅及化合物半导体(如GaAs、CdS、InP、CdTe等),这些都属于晶体半导体材料。直到六十年代,在现代固态物理学中还不包括非晶半导体材料,这是由于在非晶半导体材料的带隙中存在大量的缺陷态,还不能作为一种有效的器件材料。  相似文献   

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从年发电量、能量回收期和应用范围三大方面分析非晶硅太阳电池相对于晶体硅太阳电池的优势,并对非晶硅太阳电池较晶体硅太阳电池年发电量多的原因进行了分析。最后提出在太阳能路灯中采用非晶硅-晶体硅复合光伏组件供电方式,可降低太阳能路灯光伏组件的功率配置,减小蓄电池容量配置和放电深度,缩短欠压后恢复期,延长蓄电池的使用寿命。  相似文献   

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p型μC—SiC:H窗口材料掺杂特性的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
  相似文献   

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多晶硅太阳电池组件及封装材料的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   

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孟宪富  杨振军 《太阳能》1992,(4):18-19,9
在农林业生产中,为了研究作物群体对光能的利用,不同植物的光合作用效能以及合理密植,往往需要测定作物的叶面积及其在空间的分布,以满足植物生长需求。此外,在气象、土地普查、地质勘测中也需要测量面积。由于要测量的面积形状的不规则性,不能采用简单的几何测量方法,这就急需开发一种测量精度高,使用和携带方便的测量仪器。应用光电转换原理可较好地解决这一问題。WDY-500型微电子面积测量仪就是基于这一思想设计制成  相似文献   

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本文介绍了大面积a-Si:H太阳电池的结构、制造工艺和我们目前取得的进展。整个电池由29个子电池内部串联而成,面积为2790cm~2。最好的太阳电池,有效面积转换效率为7.9%,总面积转换效率为6.4%。讨论了并联电阻和填充因子的关系,在结构、材料和工艺确定的情况下,并联电阻是影响填充因子和效率的主要因素。  相似文献   

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于化丛  杨红 《太阳能学报》1997,18(4):421-426
报道了在大面积(2790cm2)p-i-n型a-Si∶H异质结太阳电池p/i界面之间引入缓变层(CGL∶C,CGL∶B∶C)对电池性能影响的研究结果。实验发现,带有CGL∶C的a-Si∶H太阳电池性能的改善主要来源于开路电压的提高,带有CGL∶B∶C的a-Si∶H太阳电池性能的提高主要来源于填充因子FF的增加。提出了带有缓变层a-Si∶H电池的能带模型,据此分析了p/i结附近载流子的复合动力学过程,从理论上解释了实验中所发现的现象。  相似文献   

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豆小秋  吕建  蒋英  曹智 《太阳能》2009,(8):26-28
在试验的基础上,研究了不同太阳能辐射强度与太阳电池表面温度下的非晶硅太阳电池Ⅰ-Ⅴ特性.依据试验数据分析了三种不同,Ⅰ-Ⅴ特性模型的优缺点,即单指数模型、多项式拟合模型和等效电路形式模型.最后分析了不同辐射强度对发电性能的影响.  相似文献   

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姜希猛  汪磊 《太阳能》2012,(18):56-60
一柔性太阳电池柔性太阳电池是薄膜太阳电池的一种,是指以柔性材料(如不锈钢、塑料等)为基底的薄膜太阳电池[1]。一般来讲,所有薄膜太阳电池都可以做成柔性太阳电池。从材料上分,柔性太阳电池主要有非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池、染料敏化薄膜太阳电池和有机薄膜太阳电池等几种类型[2]。表1为代表性生产厂家的柔性太阳电池产品结构特征及信息。非晶硅柔性太阳电池的典型产  相似文献   

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用等离子体射频辉光放电法,在低衬底温度(<170℃)、小rf功率(<60mWcm2)条件下,实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σD~0.2scm-1、光带隙宽度Eopt~2.2eV的p型微晶氢化硅碳合金(μC-Si:B:H)薄膜。晶化的关键是H2稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。  相似文献   

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