Monte Carlo方法模拟背散射电子固体表面空间分布

应用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟低能电子在固体中的散射过程；电子的弹性散射用较严格的Ｍｏｔｔ截面计算；非弹性散射分子为等离子激发、导带电子激发及壳层电子激发并由Ｑｕｉｎｎ，Ｓｔｒｅｉｔｗｏｌｆ及Ｇｒｙｚｉｎｓｋｉ的截面描述，对不同能量低能电子作用下不同元素固体中背散射电子、低能损背散射电子表面空间分布作了计算，结果表明低能损背散射电子具有较好的空间分辨率，这对改善背散射电子图象以及电子束曝光检测     

Monte Carlo方法模拟背散射电子固体表面空间分布

应用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟低能电子在固体中的散射过程；电子的弹性散射用较严格的Ｍｏｔｔ截面计算；非弹性散射分为等离子激发、导带电子激发及壳层电子激发并由Ｑｕｉｎｎ，Ｓｔｒｅｉｔｗｏｌｆ及Ｇｒｙｚｉｎｓｋｉ的截面描述．对不同能量低能电子作用下不同元素固体中背散射电子、低能损背散射电子表面空间分布作了计算，结果表明低能损背散射电子具有较好的空间分辨率，这对改善背散射电子图象以及电子束曝光检测技术较有意义．     

金属势阱对LEED的折射效应

研究了低能电子束在金属中衍射时势阱对电子束的折射效应，给出了一种用低能电子衍射法测定金属势阱深度的新方法，并以Cu,Al和Ag膜为例计算了LEED（low energy electron dif-fraction）的折射效应。     

机械动态试验中锤击力的分析

本文在分析锤击力的波形基础上,提出将锤击力的付氏谱线图划分为准恒能量区和低能衰减区,并论述这两个区的特点,同时指出在低能衰减区对系统响应分析的条件,是低阶模态固有频率落在该区之內。     

自组织纳米微结构的制备技术

自组织纳米结构以其新颖的结构特点以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点.本文总结评述了国内外关于自组织纳米结构的制备及应用的研究进展.重点总结了低能离子束刻蚀自组织纳米结构的制备技术、表征技术、形成机理和应用探索等方面的研究工作.在单晶半导体材料Si、Ge以及Ⅲ/Ⅴ族化合物等材料表面,利用低能离子束刻蚀可以获得自组织纳米点状结构和自组织纳米条纹结构.总结了低能离子束刻蚀自组织纳米结构的形成与离子束入射角、离子束能量、离子束发散角、气体离子种类、刻蚀时间、衬底温度、加速栅极电压和样品的旋转等参数的关系.评述了低能离子束刻蚀自组织纳米结构的形成机理.展望了相关研究的前景.     

混沌多步控制在地月轨道转移中的应用

为了减少低能地月轨道转移时航天器在混沌区域的滑行时间,提出一种混沌多步控制方法。利用地月圆形限制性三体问题下航天器轨迹的运行规律和混沌轨道对初始状态高度敏感的特性,通过自适应粒子群优化算法计算出混沌控制每一步的最优扰动,进而实施多步控制实现地月低能轨道转移。该方法不需要依靠周期轨道和随机大量搜索,能够有效地实现地月低能轨道转移,并在耗费能量很小的前提下显著地缩短航天器在混沌区域的滑行时间。最后,数值仿真结果验证了所提出算法的正确性和有效性。     

康普顿能谱低能端谱形崎变的修正

详述了康普顿轮廓测量退卷积过程中,关于低能端谱形崎变的修正的思路和具体方法.     

低能N+注入诱导金黄色葡萄球菌的耐药与16S rRNA遗传进化研究

为了研究低能N⁺注入诱导金黄色葡萄球菌对其进化的影响,通过低能N⁺注入诱变获得耐药突变株,利用基因组De novo测序分析其16S rRNA基因的突变与耐药性变化,探索低能N⁺注入驱动金黄色葡萄球菌16S rRNA遗传进化与耐药进化的机制。结果共获得158株耐药的金黄色葡萄球菌,其中11株诱变耐药菌的16SrRNA基因序列分别出现片段缺失,GC%从51.23%改变为50.91%～53.12%,V₁,V₂,V₃和V₆区发生多个点突变,并出现对诺氟沙星、万古霉素、庆大霉素的不同耐药特征。研究证明低能N⁺注入可以引发金黄色葡萄球菌16S rRNA基因的随机突变及其耐药进化,为分析低能N⁺离子注入加速16S rRNA变异和耐药基因从头起源提供新的遗传证据。     

98Sr核的X(5)动力学对称性描述

采用最近提出的一种新的动力学对称X(5)及现有的实验数据对Sr同位素核，特别是^98Sr核的低能正宇称态的能谱和电磁跃迁进行了分析研究，计算的结果和实验数据符合得很好，研究也表明，^98Sr核的低能态具有X(5)动力学对称的特性，即^98Sr核可能是1个X(5)核。     

低能电子与H_2分子高振动激发散射动量迁移截面的研究

采用体心坐标系下振动密耦合方法研究低能电子与H2分子高振动激发散射的动量迁移截面(momen-tum transfer cross section,MTCS)。通过对包含18个振动态、8个分波和16个分子对称性的研究,得到了收敛的密耦合框架下的v=0→v′=5,6,7,8,9,10等几个振动跃迁通道的动量迁移截面值,为进一步精确研究低能电子与H2分子的相互作用机理奠定了基础。     

Monte Carlo方法计算薄膜厚度测定背散射常数C(E0)

应用蒙特卡罗方法模拟 5 ke V以下低能电子在 Al,Cu,Ag,Au薄膜中的散射 .模型应用 Mott散射截面和 Joy方法修正的 Bethe方程描述和计算低能电子在固体中弹性和非弹性散射 .计算了薄膜背散射系数η随薄膜厚度 D的变化 ,获得不同能量下的η～ D关系并给出相应线性区 Dmax分布 .分析了 η～D曲线初始线性区在低能时及随原子序数的变化 ,统计并应用最小二乘法计算得 E0 为 3,4,5 ke V下的背散射常数 C(E0 )以测定超薄膜厚度 .给出一个 E0 从几 ke V到几十 ke V能量范围计算背散射常数的经验公式 ,由此计算 Al,Cu,Au超薄膜、薄膜不同厚度时的η并与 Fitting,Cosslett的实验比较 ,获得了吻合的结果     

Monte Carlo方法计算薄膜厚度测定背散射常数C(E0)

应用蒙特卡罗方法模拟5keV以下低能电子在Al,Cu,Ag,Au薄膜中的散射.模型应用Mott散射截面和Joy方法修正的Bethe方程描述和计算低能电子在固体中弹性和非弹性散射.计算了薄膜背散射系数η随薄膜厚度D的变化,获得不同能量下的η～D关系并给出相应线性区Dmax分布.分析了η～D曲线初始线性区在低能时及随原子序数的变化,统计并应用最小二乘法计算得E0为3,4,5keV下的背散射常数C(E0)以测定超薄膜厚度.给出一个E0从几keV到几十keV能量范围计算背散射常数的经验公式,由此计算Al,Cu,Au超薄膜、薄膜不同厚度时的η并与Fitting,Cosslett的实验比较,获得了吻合的结果.     

效能视角下区域科技创新评价及障碍因子诊断研究

基于效能视角,从能力和绩效两个维度来构建效能指标体系,运用熵值—突变级数模型和障碍因子诊断模型研究区域科技创新发展情况.结果表明:科技创新效能存在区域差异,且效能模式呈现高能高效、高能低效、低能高效及低能低效4类.中心城区科技创新效能主要障碍因子,大部分集中于知识应用能力,而郊区科技创新效能主要障碍因子地区差异明显,其能力和绩效的增长空间略高于中心城区,最后针对研究结果提出相应对策.     

keV低能束作用下固体BSEs角分布

应用蒙特卡罗方法,对不同能量低能电子作用下元素固体Ａｌ,Ｃｕ,Ａｇ,Ａｕ的背散射电子角分布及其与其他分布的关系作了模拟,计算分析了背散射电子角分布随能量及原子序数的变化,不同出射角区散射电子在固体中发射深度分布,能谱及表面空间分布。结果表明背散射电子角分布随能量降低偏离余弦分布时发射规律的变化,小出射角区背散射电子强度增大主要来自样品浅表层大角度背散射产生的低能损背散射电子增加,且具有较好的表面空     

keV低能束作用下固体BSEs角分布

应用蒙特卡罗方法,对不同能量低能电子作用下元素固体Al,Cu,Ag,Au的背散射电子角分布及其与其他分布的关系作了模拟．计算分析了背散射电子角分布随能量及原予序数的变化,不同出射角区背散射电子在固体中发射深度分布,能谱及表面空间分布.结果表明背散射电子角分布随能量降低偏离余弦分布时发射规律的变化,小出射角区背散射电子强度增大主要来自样品浅表层大角度背散射产生的低能损背散射电子增加,且具有较好表面空间分辨率．     

Si_(30)原子链的结构与密立根电荷布居分布的密度泛函紧束缚计算研究

在原子尺度上研究硅(Si)材料的结构对于微纳米电子器件的微小化发展和应用有远大的意义。本文运用密度泛函紧束缚方法,对具有不同原子间距的Si_(30)原子链的低能稳定结构和电荷分布进行研究。结果表明,对于具有不同初始原子间距的Si_(30)原子链,存在两种可能的低能稳定结构:一字型三聚结构和Z字型曲折结构。两种结构的原子间键长、键角和密立根电荷布居值分布表现出明显差异。     

Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算

为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明:ZnSe本体为直接带隙半导体.掺杂Cu后,ZnSe晶体表现出明显的金属性.本征吸收区明显向低能端移动,约位于0.9~6.0eV.吸收系数明显降低33%.在低能端产生了新的价电峰,可以吸收较低能量的光子.     

叶表和端壁抽吸对跨音速压气机稳定性影响对比分析

以NASA Rotor35为研究对象,应用数值模拟手段深入分析了叶表和端壁不同位置抽吸对该压气机稳定性的影响效应。研究结果表明:叶表抽吸虽然使得压气机压比和效率有所升高,但使叶顶前缘脱体激波和间隙泄漏流强度的增加,导致两者相互作用引起的低能堵塞团尺度过早增长,压气机提前进入失速;端壁抽吸改善了转子顶部前缘激波结构,削弱了叶顶低能阻塞团中的高熵流体,改善了叶顶区域的流动,实现了压气机的扩稳效果,但对压气机压比和效率性能改善不明显。     

周向抽吸槽位置对跨声速压气机转子气动性能的影响

为了探究机匣周向抽吸槽位置对跨声速压气机转子气动性能的影响,利用数值仿真方法对其进行了研究。在抽吸流量为原型跨声速压气机转子近失速工况主流流量的1%时,对转子压气机原型与加入四种不同位置机匣槽抽吸处理的改型做流动特性的对比分析,结果表明:机匣周向槽抽吸槽可以改善激波结构,削弱甚至消除叶顶侧的低能流体积聚,使上端壁附近的流动更为顺畅。作用在低能流体中心位置的机匣抽吸槽对流动的改善效果更好,效率提高2.7%。     

直流电阻性本质安全电路低能电弧放电分析

发现直流电阻性本质安全电路在断开过程中低能电弧放电有三种情况。第一种情况是电弧功率先升后降，放电时间长，出现概率大，属于该类型电路低能电孤放电的典型形式；第二种情况是电弧功率开始慢速最后快速下降，电弧功率较低而放电时间较长，由此解释了为什么有些火花持续时间长却不造成气体引爆；第三种情况是电弧功率在整个放电时间内基本不变，放电时间小，出现概率很小，不会造成气体引爆。最后用放电电流抛物线模型对放电波形进行了仿真。