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相似文献
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1.
Al2O3/[SiC+ZrO2(3Y)]纳米复合陶瓷的制备与性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用高分散、高稳定混合水悬浮液方法制备Al2O3/[SiC+ZrO2(3Y)]纳米复合陶瓷,研究了纳米ZrO2(3Y)含量对复合陶瓷性能的影响以及断裂相变量与性能的关系,讨论了ZrO2应力诱导相变增韧机制与纳米粒子强韧化机制迭加的可能性。  相似文献   

2.
论述了在Al2O3-TiB2复相陶瓷的基础上添加ZrO2对Al2O3-TiB2复相陶瓷性能的影响;初步探讨了添加ZrO2后对材料强韧化机理和磨损机理的影响。研究表明,在Al2O3-TiB2复相陶瓷中加入ZrO2后,由于两种增韧机制的协同作用,材料强度和韧性明显提高,同时,ZrO2的相变增韧作用有利于材料抗磨损性能的提高。  相似文献   

3.
研究了在制备Si3N4-ZrO2复相陶瓷过程中,ZrN的形成对该复相陶瓷性能的影响;探讨了从工艺上抑制ZrN形成的措施。  相似文献   

4.
本文叙述了加入Y2O3对A1N陶瓷性能的影响,通过实验证实,当矿化剂Y2O3的加入量在3%-5%时,A1N瓷可行到较高的导热率。  相似文献   

5.
氧化锆陶瓷已用作窑炉衬里,窑具、分散介质及球磨介质,加热管生氧敏元件,本文讨论了氧化锆陶瓷的市场特点及各种不同的稳定化作用,陶瓷材料发展的一种新趋势是建立在ZrO2-Al2O3系材料的开发与应用上。  相似文献   

6.
介绍了对ZnO-Bi2O3-Sb2O3和ZnO-Bi2O3-TiO2系分别进行的掺杂籽晶的试验研究,研究了籽晶加入对两系统各性能的影响规律;制备了性能优良,压敏电压低(10V/mm)的压敏陶瓷。  相似文献   

7.
通过对等离子喷涂涂层在Nd-YAG激光处理前和处理后的磨损量对比,研究了激光处理对等离子喷涂Cr2O3陶瓷薄涂层的影响,为此,用陶瓷/SAE4620钢以线接触配对进行了环形试样磨损试验,还讨论了磨损机制和因激光处理引起的涂层中有关孔隙率,显微结构和涂层结合情况的变化。  相似文献   

8.
本文叙述了ZrO2增强增韧Al2O材料的制备,其中ZrO2有未被稳定的中入不同量稳定剂Al2O3或CeO2于ZrO2中使其以亚稳四方和形式存在于基体AlO2中,并测定其机械性能(硬度、抗弯强度、韧性),研究其不同的显微结构对性能的影响,以及探讨了ZrO2相变和微裂纹增韧机理。  相似文献   

9.
研究了在Ar+O2混合气氛中从Cd-In和Od-Sn合金靶射频反应溅射而成的CdIn2O4和Cd2SnO4膜的X-光电子能谱。实验结果表明了粉末Cd、In、Sn、SnO2、In2O3和CdIn2O4、Cd2SnO4膜的Cd、In、Sn3d3/2和3d5/2XPS峰值位置和形状的区别,并讨论了O1sXPS峰随氧浓度的变化。当氧浓度增加时,O1s分为两个峰。  相似文献   

10.
本文介绍了采用热压工艺制备的ZrO2-MoSi2复合材料。研究结果表明,ZrO2对MoSi2基体有显著的强韧化作用;着重分析了残余应力对材料性能的影响。  相似文献   

11.
在Al2O3-ZrO2材料基础上添加5%-15%ZrO2(f),结果表明,可使新复合材料的抗弯强度提高12.3%-55.6%,抗热震临界温差提高17.8%-44.6%,其抗热震 具有动态裂纹扩展的特性。  相似文献   

12.
以自研制的AZS我相复合新材料与硬质合金(YG8)对比,采用正交回归设计进行试验,结果表明,AZS陶瓷刀具的耐用度比YGB的耐用度提高5倍以上。  相似文献   

13.
CdTe薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对CdTe薄膜组成和性能有较大影响,通过在电镀液中添加某些稀土离子,结合XRD、TEM、XPS和光电I-V特性曲线进行分析研究,表明电沉积CdTe薄膜存在择优取向,经250℃热处理后,晶粒长大,镀液中添加Y^3+、La^3+、Ce^3+和Nd^3+后增大尤为明显,晶粒线性尺寸最大达2.5-3.0×10^-7m左右,并伴有孪晶产生,可提高薄膜Cd  相似文献   

14.
某些稀土离子对电沉积 CdTe 薄膜性能影响的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
CdTe薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对CdTe薄膜组成和性能有较大影响,通过在电镀液中添加某些稀土离子,结合XRD、TEM、XPS和光电I-V特性曲线进行分析研究,表明电沉积CdTe薄膜存在择优取向,经250℃热处理后,晶粒长大,镀液中添加Y3+、La3+、Ce3+和Nd3+后增大尤为明显,晶粒线性尺寸最大达2.5—3.0×10-7m左右,并伴有孪晶产生,可提高薄膜Cd/Te比等,有利于提高CdTe光电性能。经测试,其光电转换效率可增大到2.6—3.3%。  相似文献   

15.
Cdln2O4和Cd2SnO4薄膜X—光电子能谱研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
研究了在Ar-O2混合气氛中从Cd-In和Cd-Sn合金靶射频反应溅射而的CdIn2O4和Cd2SnO4膜的X-光电子能谱。实验结果表明了粉末Cd,In,Sn,SnO2,In2O3和CdIn2O4,Cd2SnO4膜的Cd,In,Sn3D3/2和3d5/2XPS峰值位置的形状的区别,并讨论了O1s。XPS峰随氧浓度的变化。当氧浓度增加时,O1s分为两个峰。  相似文献   

16.
氮化硅已作为主要陶瓷材料而得到使用氮化物陶瘊将成为陶瓷发动机部件的主体,同时在非发动机方面也得到应用,这是属于广义的特种陶瓷中的结构陶瓷材料的例子,是在1500℃以上高温下制备的无机非金属材料。叙述了以Si3N4为基础而开发出来的一种Si-Al-ON全致密的多晶氮化物陶瓷--赛隆陶瓷的有关技术问题。  相似文献   

17.
本文叙述了用TiH2方法进行ZrO2陶瓷和金属的接合技术,对其接合机理进行了较为详细的分析和讨论。  相似文献   

18.
本文叙述了采用热压工艺制备的ZrO2-MoSi2二相复合材料;研究表明:复合材料随着ZrO2含量的增加,其硬度和断裂韧性的增大;同时就ZrO2颗粒对MoSi2基体的强化效果进行了分析。  相似文献   

19.
研究了TiB2含量及烧结工艺对Al2O3-TiB2复相陶瓷性能的影响,发现随着TiB2加入量的增加,Al2O3-TiB2复相陶瓷的致密化困难,Al2O3-TiB2复相陶瓷的强度在TiB2加入的体积分数为20%时最高,而材料的断裂韧性则在TiB2体积分数为30%时最高。  相似文献   

20.
采用sol-gel的方法在热压Si3N4陶瓷材料的表面涂上一层SiO2涂层或3Al2O3.2SiO2涂层,并用X光电子能谱的方法检测了涂层后的Si3N4陶瓷材料表面。  相似文献   

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