电介质保护膜对磁光记录膜的磁和磁光特性的影响

采用射频磁控溅射法制备了非晶TbFeCo薄膜及其保护层AlN薄膜 ,并研究保护层对薄膜的磁和磁光特性的影响。结果表明 ,AlN薄膜可以增强薄膜磁光效应 ,同时 ,AlN薄膜对TbFeCo磁光薄膜的矫顽力、垂直磁各向异性以及本征克尔角都有一定的影响。其原因来自于溅射过程中N和Al原子对TbFeCo薄膜表面的轰击而导致的界面特性的改变     

Ce掺杂对TbFeCo材料磁光性能影响的研究

采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜，并在TbFeCo中引入轻稀土元素Ce，测试了薄膜的磁光性能。研究了薄膜成分对其磁光性能的影响。结果表明；在TbFeCo薄膜中掺入少量Ce时，薄膜的磁光克尔角及矫顽力都有所提高，矩形度也增加了。但随Ce掺入量的增加，薄膜的磁光性能发生恶化，较好的掺杂在10.31?左右。     

磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究

采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介电函数值有较大差异,说明衬底对薄膜的光学性质有重要影响.用磁光Kerr谱仪,在室温下分别测量了TbFeCo薄膜的极向Kerr回线和横向Kerr回线,发现所制备TbFeCo薄膜不具有垂直磁化性质,而呈现出面内磁化性质.     

RE—TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜场电效应的测试方法，RE－TM磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性，实验结果表明，制备的TbFeCo薄膜的补偿点约为－38℃。     

Ag底层对TbFeCo薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了TbFeCo/Ag非晶垂直磁化膜，研究了Ag底层厚度对TbFeCo薄膜磁性能的影响。原子力显微镜、振动样品磁强计与磁光盘测试仪测量结果表明：薄的银底层具有较高的表面粗糙度可以显著增大TbFeCo薄膜的矫顽力，改善TbFeCo薄膜的磁光温度特性，该薄膜有望用作高密度垂直记录介质与光磁混合记录介质。     

SmDyFeCo磁光薄膜的磁特性研究

采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜磁特性的影响。实验表明，和ＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜相比，ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜的矫顽力Ｈｃ随温度变化更为缓慢，并且具有更大的垂直磁各向异性常数，因而具有更好的记录特性，本征磁光克尔角可达０．３１，可以作为一种实用化的磁光记录介质。     

稀土-过渡金属磁光介质膜的理论与特性

本文讨论了稀土-过渡金属(以下简写为 RE-TM)非晶合金膜用作磁光记录介质的理论和 TbFeCo 膜的特性。采用射频溅射技术制备出 TbFeCo 非晶垂直磁化膜。膜的垂直各向异性常数K_u 为2.94×10~(5J)/m~3,克尔旋转角θ_k 为0.24-0.29°。得到了θ_k 随过渡金属 Co 含量而变化的曲线。当 Co 在 TM 次网络中含量达50%时,θ_k 有最大值0.29°。在膜被复盖一层 SiO_2或 AlN 之后,θ_k 从0.29°提高到0.55°或1.48°。(TbFeCo+AlN)膜的θ_k 达到1.48°这样高的值,尚未见文献报导。这种膜可以直接用作磁光记录介质。     

SmDyFeCo磁光薄膜的制备和性能研究

本文采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜。研究了氩气压、溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响。实验表明，反射率随氩气压升高而降低。矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减小。高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差。本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减小。反射率随溅射     

聚焦光斑磁光极克尔磁滞回线的热效应分析

实验设计并组建了一套磁光极克尔磁滞回线测量装置,该装置可以通过改变照射到样品上的激光功率来改变薄膜样品上被聚焦光斑照射的测试点的温度。同时通过计算模拟了激光照射在TbFeCo磁光薄膜上的温度分布情况,得到了薄膜的矫顽力随照射激光功率的变化关系,由此可以确定薄膜的居里温度和补偿温度。为研究磁光薄膜样品在各种温度条件下,磁光性能的变化以及多层磁光薄膜的磁耦合效应提供了有效的手段。     

磁光薄膜在椭偏测量中的应用

由费尔德常数大的石榴石磁光薄膜制成的磁光调制器具有体积小，驱动功率低等优点，将它应用于椭偏测量中，可以降低对激光器输出光强稳定性的要求，测量准确度也会得到较大的提高。     

新型掺钆铁石榴石磁光薄膜材料

对新型掺钇石榴石磁光薄膜材料的制备工艺、磁光特性及理论分析进行了较全面的评述，并指出今后研究的方向。     

溅射气压对TbFeCo磁光薄膜的光学常数的影响

利用直流磁控溅射制备了TbFeCo/Si薄膜，采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪，测量了用磁控溅射法制备的TbFeCo/Si薄膜的光学常数，测量能量范围为1．5～4．5eV。分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的TbFeCo/Si磁光薄膜的光学常数的影响。实验结果表明，在低能区域，样品的所有光学常数均随压强增加而增加，受制备工艺影响较大。但在高能区域，光学常数随压强的变化相对说来不再明显．     

TbFeCo磁光薄膜飞秒激光感应超快磁化动力学研究

利用时间分辨磁光克尔光谱技术,研究TbFeCo磁光薄膜飞秒激光感应超快磁化动力学过程。观测到亚皮秒的超快退磁过程,符合"三温度"模型中由电子-自旋散射引起的超快退磁机制。磁化动力学的激发功率流密度依赖关系结果表明,随着激发功率流密度的增大,超快退磁程度增加和磁化恢复时间延长,符合"三温度"模型的解释。在衬底厚度不同的TbFeCo样品对比实验中发现,同功率流密度激发下衬底较薄的样品退磁程度更高,磁化恢复速率更快。     

溅射工艺条件对TbFeCo/Pt薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.     

Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜

采用柠檬酸络合物型溶胶 凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比,在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃。     

非晶稀土——过渡金属磁光薄膜热稳定性研究

采用射频磁控溅射方法制备非晶ＤｙＦｅＣｏ磁光薄膜。样品的克尔回线、转矩曲线的测试显示，薄膜具有优良的磁和磁光性能。退火研究表明，随着退火时间的增加，矫顽力下降，垂直磁各向异性能减少，但克尔角变化不明显，其内在机制与薄膜中的微缺陷和应力的弛豫过程有关。     

RE－TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。     

离子掺杂钇铁石榴石磁光材料研究进展

综述了钇铁石榴石型磁光材料的研究进展,以及通过离子掺杂提高单晶和薄膜材料的比法拉第旋转角、改善材料温度稳定性以及近年来受到重视并有望在磁光器件中得到广泛应用的低成本钇铁石榴石纳米晶/有机分散介质复合薄膜材料的研究进展与存在的问题,概述了目前实际使用中的磁光法拉第转子材料的应用情况,并展望了高性能磁光材料的发展。     

稀土铁石榴石磁光材料及其应用

本文综述了稀土铁石榴石磁光材料及磁光器件研究的最新进展；对最具应用价值的高掺Ｂｉ系列和掺Ｃｅ系列石榴石磁光材料作了介绍，在磁光器件方面选择了最具代表性的磁光隔离器和光纤电渗／磁场测试仪加以讨论。     

新型掺铈钇铁石榴石磁光薄膜材料

对新型掺铈钇铁石榴石磁光薄膜材料(Ce:YIG)的制备工艺、磁光特性及理论分析进行了较全面的评述,并指出今后研究的方向。