多电平逆变器直流侧电压平衡控制策略综述

针对这种在输出有功功率时直流侧电容电压不平衡的问题,介绍了用于二极管箝位五电平逆变器的四种基于电容的辅助稳压电路：基于单级电容的辅助稳压电路、通用直流辅助稳压电路、单电容辅助稳压电路和简化的单电容辅助稳压电路,和三种基于电感的辅助稳压电路,详细说明了每一种电路的电路结构、脉冲宽度调制控制策略以及工作原理,并通过MatIab／Simuljnk仿真验证了控制结果。     

集成直流稳压电源的设计

本文介绍了集成直流稳压电源电路工作原理,设计电路图。分析了变压、整流、滤波、稳压电路的实现过程。通过元器件的选定原则选取合适的参数大小实现电源的设计。     

厚膜混合集成不对称双路输出DC／DC变换器的研制

本文介绍了两路输出功率不等的小功率ＤＣ／ＤＣ电源的设计思想，重点阐述了利用耦合电感的预稳作用及低压差方式实现负路稳压的电路工作原理。     

一种应用于射频卡的集成稳压电路的设计

介绍了一种应用于射频卡中稳压电路的设计方案，分析了该电路各个模块的结构和整个电路的工作过程，用HSPICE对其进行了模块仿真验证，并进行了多目标流片，测试结果达到了设计要求，表明该稳压电路可以应用于射频卡芯片中。     

绝缘电阻测试仪的高压电源设计

本文介绍了一种绝缘电阻测试仪的高压电源设计方案,详细描述了开关电源的原理设计及在稳压电路中的器件应用,并给出了变压器的具体参数。这种高压电源电路简单、易于调节,且通过仿真分析和实验验证了该设计的可行性。     

基于KA3525的单片机辅助PWM控制电源电路

根据KA3525的应用特点,设计了一种基于该电流型PWM控制芯片和单片机控制实现输出电压可调的稳压电源电路.本文主要介绍了它的主电路、调控电路以及调控电路所包含的控制电路、稳压电路和保护电路,并介绍了它们的实现原理与方法.     

杭州士兰微电子三端低压差稳压电路

杭州士兰微电子推出一款3、3V三端低压差稳压电路SC1033，SC1033是SCIOXX系列三端低功耗稳压电路的一种，有几种固定的输出电压，输出电压范围为1．5V～7．0V。该电路采用CMOS工艺制造，以获得低电压降和低静态电流。尽管该电路主要设计用来作为固定的电压稳压器，但也可与其他外部元件配合作为可调电压源和电流源使用。主要特点包括，     

半导体激光器驱动电路设计

设计了一种半导体激光器驱动电路,论述了半导体激光器的构造及其电路原理,阐述了半导体激光器驱动电路中恒流电路与恒压电路的工作原理与设计思路.通过在电路设计中增加恒压电路模块,有效地降低了半导体激光器的功耗.     

CMOS高速低功耗LVDS驱动电路设计

随着半导体技术的发展,芯片接口的数据传输率制约着芯片性能的提升,采用低压差分接口能够有效提升接口的数据传输率、降低接口功耗并抑制传输噪声。文中介绍了典型的低压差分接口电路及其工作原理,并在此基础上对低压差分接口电路进行了重新设计。设计的低压差分接口电路能够工作在1.8V,数据传输率达1.6Gb/s,功耗0.45mW。     

超小型直流电源电压变换电路

介绍了一种新颖的超小型DC／DC电压变换电路，对电路的工作原理进行了理论分析，并用仿真算法对理论计算结果进行了校验，最后给出了基于Maxim器件的实用稳压电路。     

一种低压CMOS LDO稳压电源电路

提出了一种低压CMOS LDO稳压电源电路。与常规CMOS LDO稳压电源电路相比,该电路有两个主要特点:引入了低压带隙基准电路;将带隙基准电路置于串联稳压管后端。通过上述设计,提出的稳压电源电路能在输出电压较低的情况下提供较稳定的输出,同时也能提供稳定的偏置电压及具有较高PSRR的基准输出。对电路进行了仿真,并给出了仿真结果。     

一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容 低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益 频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。     

一种具有过温和短路保护的低压LDO设计

在分析各种低压LDO结构的基础上,设计了一款新型的基于0.18 μm CMOS工艺的LDO低压降线性电压调整器。该LDO电路采用了折叠低压带隙和折叠共源共栅结构的运放,采用密勒补偿以保证整体LDO的稳定性。具有很低的输入/输出电压差、超低的静态电流,良好的负载调整能力、线性调整能力和良好的电源抑制特性,此外,还具有过温保护和短路保护电路,保证电路的安全工作。该电路配以简单外部设备即可为各种电子产品提供灵活、高效、可靠的电源解决方案,大大降低了设计成本。     

Low leakage and high CMRR CMOS differential amplifier for biomedical application

In order to increase user experience in using near field communication smartcard, analog front-end (AFE) module is required to provide a sufficient and a well-regulated voltage regardless the distance between the card and the reader. A highly stable AFE design for energy harvesting purpose is introduced in this paper. The design consists of antenna, rectifier, voltage limiter, bandgap reference, and low-dropout (LDO) voltage regulator circuit. The antenna is designed to resonate at 13.56 MHz as regulated by ISO/IEC 14443-2. In order to simplify the implementation using 0.18 μm CMOS process, a full-wave rectifier circuit is built of all low-threshold-voltage diode-connected PMOS transistors. To protect the system from undesired excessive input voltages, a voltage limiter circuit is included in the module. Moreover, control and maintain a stable supply voltage for the whole system, a robust LDO voltage regulator and bandgap circuits are specially designed for this purpose. The LDO is able to provide a stable 1.8 V of supply voltage with a sub-1% ripple factor even under a low input current as low as 20 mA.     

0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器

设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014%,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。     

基于LDO电压调整器的带隙基准电压源设计

设计一款应用于电压调整器（LDO）的带隙基准电压源。电压基准是模拟电路设计必不可缺少的一个单元模块,带隙基准电压源为LDO提供一个精确的参考电压,是LDO系统设计关键模块之一。本文设计的带隙基准电压源采用0.5μm标准的CMOS工艺实现。为了提高电压抑制性,采用了低压共源共栅的电流镜结构,并且在基准内部设计了一个运算放大器,合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Cadence的Spectre进行前仿真验证,结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较高的电源抑制比,其对抗电源变化和温度变化特性较好。     

一种适用于开关电源的内部供电电路设计

本文提出了一种适用于开关电源的内部供电电路。该电路采用齐纳二极管的稳压原理,将开关电源的高输入电压稳压输出5V,供模拟模块和数字模块使用,简化了以往采用基准和低压差线性稳压器(LDO,Low Dropout Regulator)供电的设计方法。本电路基于0.35 um BCD工艺,对所设计电路进行了仿真验证。仿真结果表明,该电路在-40℃~125℃应用环境温度范围内都能够实现高精度的输出电压,具有较强的稳定性。     

基于LDO稳压器的带隙基准电压源的设计

基准模块是LDO线性稳压器的核心部分,它是影响稳压器精度的关键因素之一。本文针对LDO线性稳压器对基准模块一方面有较高的精度要求,另一方面又有较低静态电流要求的矛盾设计了一款简单实用的电压基准电路。仿真结果表明该电路在-40~140℃的温度系数为7.7′10-6℃,低频时的电源抑制比可达-76dB,基准源电路的供电电压范围为2~4.5V。     

一种快速响应低压差线性稳压器的设计

介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器(LDO)。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45 nm DRAM 掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10 ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280 ps,符合JEDEC标准。     

基于模糊自适应控制的数字电源设计与实现

为使电源输出纹波小、效率高,设计了以DC-DC变换电路串联LDO电路构成数字式直流稳压电源,将开关电源和线性电源结合起来,兼顾两者的优点。采用模糊自适应PID控制算法对DC-DC变换电路和LDO电路进行控制,得到了满意效果。实验表明,该系统具有输出稳定性好、精度高、效率高等特点,具有较好的实用价值。