半化学法制备（Bi2-xNdx）（Zn1/3Nb2/3）2O7微波介电陶瓷与介电性能的研究

采用半化学法制备微波介电陶瓷（Bi2-xNdx）（Zn1/3Nb2/3）2O7（0≤x≤0.6），系统地研究了陶瓷的相结构及低频介电性能。结果表明：当Nd^3＋取代量较少伍≤0．25）时，样品的相结构仍然保持单斜焦绿石单相，随着Nd^3＋取代量的进一步增加，样品中出现立方焦绿石相，样品结构呈现单斜相与立方相的共存。同时，样品的介电性能随Nd^3＋取代量的变化为：介电常数先增大后减小，而介电损耗先减小后增大，在X=0.25处取得最佳电性能，分另1是εr=83，tanδ=0．0029（100kHz）。     

添加La2O3对Mg2TiO4陶瓷的显微结构与微波介电性能的影响

采用传统烧结工艺,制备了具有不同La₂O₃含量的镁钛镧陶瓷,并研究了La₂O₃组份对材料晶相构成、晶粒、晶界的演变、介电常数和品质因数的影响.结果表明,不含La₂O₃的钛酸镁陶瓷主晶相为Mg₂TiO₄,其平均晶粒尺寸>60μm;引入La₂O₃后,出现新晶相La_0.66Ti_O2.99,材料的晶粒尺寸明显下降;随La₂O₃含量的增加,材料的介电常数线性增加,材料的品质因数Q在10GHz出现最大值(16558).     

B位掺杂对（Pb,Ca）（Fe1／2Nb1／2）O3陶瓷微波介电性能的影响

研究了Ｂ位分别掺杂Ｓｎ＾４＋、Ｚｒ＾４＋、Ｃｅ＾４＋对（Ｐｂ０．４５Ｃａ０．２５）（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＣＦＮ）陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结果表明,掺杂样品能在相对较低的温度下烧结（１２００℃／２ｈ）,Ｂ位大半径离子的掺入使介电常数降低,适量的Ｂ位掺杂能不同程度的改进ＰＣＦＮ陶瓷的综合微波介电性能。用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为９２８．４ＭＨｚ下,插入损耗为２．４６９ｄＢ,满足插入损耗应小于３ｄＢ的要求,在移动通信中有着实际应用前景。     

(BaPb)O-Nd_20_3-Tio_2的微波介电性能

（BaPb）O－yNd2O3－zTiO2（y=0.8，0.9，1．0；z=3．0，3．5，3.7,3．9，4．5,5．0）陶瓷的介电常数随y增大而减小，随Z增大而增大改变NdZO3或TiO2的量都可以调整此系统的频率温度系数τf，获得τf≈0的瓷体     

La2O3—TiO2系陶瓷物相与介电性能研究

固相法合成Ｌａ２Ｏ３－ＴｉＯ２系陶瓷介质材料,ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＳ分析其结构、形貌和成分。高精度电容测量仪测试其介电性能。Ｌａ２Ｏ３／ＴｉＯ２比１∶２、２∶１９组分可获得极低介质损耗,ＸＲＤ分析主晶相为Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７和Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４。Ｌａ２Ｏ３／ＴｉＯ２比１∶３组分可获得Ｌａ２／３ＴｉＯ３、Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４复相、缺陷型钙钛矿相Ｌａ２／３ＴｉＯ３不利于介质损耗降低。ＥＤＳ分析表明晶界富集Ｓｉ杂质,有效促进了液相烧结。     

具有过量PbO的Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—PbTiO3系陶瓷的相结构和介电性能

合成了添加过量ＰｂＯ后的Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ）系陶瓷，并研究了其相结构及介电性能，在（１－ｘ）ＰＺＮ－ｘＰＴ（０．１＜ｘ＜０．２）系陶恣体中，添加过量ＰｂＯ提高了钙钛矿结构的稳定性，但过多地添加ＰｂＯ不利于提高其介电性能。当ＰＴ的摩尔浓度为１４－１９ｍｏｌ％时，这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关，而其介电常数的温度特性及仍随频率变化而弥散。     

Al2O3对镁镧钛陶瓷介电性能及显微结构的影响

制备了具有不同Al2O3含量的镁镧钛陶瓷,并通过XRD和SEM及材料介电性能测试结果的分析研究了Al2O3对镁镧钛陶瓷材料的介电性能、晶相组成和显微结构的影响。结果发现,材料的相对介电常数εr随Al2O3含量的增加而降低,其品质因数Q（Q＝1／tgδ）则相对保持了较高数值,最高可达14430（10GHz),不含Al2O3的镁镧钛陶瓷的晶相为MgTiO3和La0.66TiO2.99,加入Al2O3后,出现新晶相MgAl2O4和Mg4Al2Ti9O25,同时晶粒的平均尺寸有显著的减小。     

V^5＋取代对Mg4（SbNb1-xVx）O9陶瓷介电性能的影响

研究了不同V5 含量Mg4(SbNb1-xVx)O9[MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V5 取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V5 针含量的增加,样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小,样品的谐振频率温度系数Tf逐渐减小,这是由于V5 的取代使得B位键价增强所致.在x=0.15,1250℃烧结,可获得εr=9.98,Q·f=20248GHz(8GHz),Tf=-23.3x10-6.K-1的新型微波介质陶瓷.     

Sr,Zr对BaTi4O9陶瓷微波介电性能的影响

本文以材料的微波介电性能ε＇ｒ、ｔａｎδ和τε的测量数据为主，配合Ｘ射线衍射分析，对ＢａＴｉ４Ｏ９陶瓷进行掺杂Ｓｒ、Ｚｒ的研究，发现只有形成掺杂相时，介电常数的温度系数τε数据才会产生明显变化，介电性能中的τε更能表征掺杂相形成。得到不掺Ｚｒ掺Ｓｒ量从６ｍｏｌ％开始和掺Ｓｒ２．５ｍｏｌ％掺Ｚｒ量从６ｍｏｌ％开始出现明显的掺杂相；在Ｓｒ置换Ｂａ和Ｚｒ置换Ｔｉ的ＢａＴｉ４Ｏ９固溶体中，ＳｒＯ－ＺｒＯ２成分是介质损耗ｔａｎδ升高的主要源泉。     

La2O3对ZTM陶瓷晶界性能的影响

以电熔莫来石为原料制备的ＺｒＯ２增韧莫来石陶瓷在高温下力学性能不像莫来石那样随温度升高反而呈现有所增长的趋势，研究发展这一变化与原料中含有的Ｋ，Ｎａ等有害杂质有关，本文主要研究以稀土氧化物做添加剂来抑制或消除该陶瓷玻璃相中存在的有害杂质的作用，从而改善ＺＴＭ陶瓷的力学性能，并探讨Ｌａ２Ｏ３对ＺＴＭ陶瓷晶界改性的作用机制。     

Pb（Sc1／2Ta1／2）O3铁电体的有序结构和介电性质）

通过铌铁矿预合成法制备Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３（ＰＳＴ）陶瓷，经适当的热处理获得了钙钛矿化合物Ｂ位离子的高有序和高无序试样，ＰＳＴ陶瓷的介电性质研究结果表明，高有序试样（Ｓ＝０．７７）的居里温度为２９℃，并具有较低的介电常数表现出普通铁电体性质特征，而高元序试样（Ｓ＝０）具有很高的介电常数，并表现出明显的弥散性相转变和Ｔｍ的频率色散行为，即高介电常数的驰豫铁电体性质。文中还利用ＸＲＤ，ＳＥ     

SrO－Y_2O_3－TiO_2体系的相关系与电性质

测定了ＳｒＯ－Ｙ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２体系（１２００℃）的相关系及其电性质，发现：本体系内有７个三相区，１５个二相区，７个单相区。本体系内无三元新相存在。且Ｓｒ＿２ＴｉＯ＿４和ＳｒＴｉＯ＿３存在有限二元固溶体。ＳｒＴｉＯ＿３、Ｓｒ＿３Ｔｉ＿２Ｏ＿７和Ｓｒ＿２ＴｉＯ＿４的介电常数ε＇颇大（＞１００）。添加某些元素以改性，可望获得较好的功能材料。     

等离子喷涂Al_2O_3-TiO_2-ZrO_2涂层及其耐磨损性能

采用液相喷雾造粒法将准微米Al_2O_3,TiO_2,纳米ZrO2颗粒团聚成微米粉体,并用等离子喷涂技术制备了含纳米颗粒的Al_2O_3-TiO_2-ZrO_2陶瓷涂层.在MM200型环块磨损试验机上进行了常温干摩擦试验,比较了含有纳米颗粒的Al_2O_3-TiO_2-ZrO_2涂层和传统Al_2O_3-TiO_2陶瓷涂层的耐磨损性能,并用扫描电镜观察磨损后的磨痕形貌.结果表明,含有纳米颗粒的涂层耐磨损性能明显优于传统的陶瓷涂层.     

Al_2O_3-TiO_2-ZrO_2含纳米结构等离子喷涂层的显微硬度及韧性

为了提高传统Al_2O_3+40%TiO_2等离子喷涂层的力学性能,将纳米结构的ZrO_2粉末引入热喷涂层,采用液相喷雾造粒的方法将纳米ZrO_2-准微米级Al_2O_3/TiO_2颗粒团聚成适用于等离子喷涂的微米级粉体,并用等离子喷涂技术制备出含有纳米结构的陶瓷涂层.利用X射线衍射仪、扫描电镜和显微硬度计等对涂层的微观结构和性能进行了检测.结果表明,最佳喷涂功率40 kW下制备的纳米陶瓷涂层的显微硬度和韧性比传统涂层有了明显提高.     

B2O3对BaO-Sm2O3-TiO2微波介质陶瓷性能的影响

为了满足微波器件小型化的需要,开发高介电常数的低温烧结微波介质材料成为一种趋势.采用复合掺杂低熔点氧化物来降低BaO-Sm2O3-TiO2系(BST)微波介质陶瓷的烧结温度,通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析其物相组成和显微结构,用阻抗分析仪测量了陶瓷材料的介电性能.结果表明:在Ba4(Sm1-0.15Bi0.15)28/3Ti18O54的基质陶瓷材料中,复合掺杂3%的ZnO和2%的B2O3时,其烧结温度为1060℃,得到的BST微波介质陶瓷的介电性能为:εr≈64,tanδ≈1.2×10-3,τf=-8.3×10-5/℃.     

掺杂Bi_2Ti_2O_7对Y_2O_3-2TiO_2系微波介质陶瓷材料性能的影响

目前国内外对εr范围在40～80左右的中介电常数微波介质陶瓷体系的研究还很缺乏。为适应现代微波通讯技术发展需求,本实验研究开发了新型中介电常数Y2O3-2TiO2系微波介质陶瓷,并在此基础上添加Bi2Ti2O7陶瓷粉料进行复相掺杂。利用网络分析仪,阻抗分析仪,XRD,SEM等方法,本文重点研究了不同Bi2Ti2O7掺杂量对Y2O3-2TiO2系微波介质陶瓷材料烧结性能和介电性能的影响。通过分析发现适量掺杂能够有效降低材料的烧结温度,并使材料致密化。同时由于Bi3+置换主晶相中的Y3+形成了固溶体,材料主晶相为烧绿石结构并未改变。当添加质量分数为8wt%时获得介电性能较好的陶瓷材料,烧结温度从未掺杂的1460℃降低到1320℃。在1M下:εr≈62.14,tanδ≈1.22×10-3,微波频率(4.55GHz)下εr≈62.85,Q.f=4122.8GHz,τf=-7ppm/℃。     

Pb（Zn1／3Nb2／3）O3基复相陶瓷的制备及其介电温度特性

采用两相混合烧结法制备Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ陶瓷。结果表明：在一定烧结温度下起始两组元可以共存形成复相结构，从而改善材料了的温度特性，成功地获得了低烧，高介，具有Ｘ７Ｓ温度特性的温度稳定型ＰＺＮ复相陶瓷。／     

复合钙钛矿Pb（Fe1／2Nb1／2）O3的弛豫特性

制备了纯钙钛矿相Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）陶瓷，研究其介电性能表明，ＰＦＮ陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变（ＤＰＴ）现象，未退火试样εｍａｘ对应的温度Ｔｍ不随测量频率变化，退火试样的Ｔｍ随频率变化，即表现出Ｔｍ频率色散现象，结合ＸＲＤ分析，指出ＰＦＮ应属弛豫铁电体。