一种L波段大功率T/R组件的设计

应用于舰载相控阵雷达上的L波段T/R组件,对小型化、高密度、大功率、高效率等方面提出了很高的要求,本文采用宽禁带半导体功率管实现发射功放,在1.3~1.5GHz频率范围内,实现了饱和输出功率大于500W,发射效率大于55%的四通道T/R组件.该T/R组件包含4个通道,共有4个发射支路,12个接收支路,满足实际应用中实现多路信号的接收.由于组件使用较多的裸芯片和封装器件,对工艺流程也做了简要介绍.组件测试结果表明组件满足各项指标要求.     

X波段大功率T/R组件

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在X波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。     

X 波段双极化T/R 组件研制

T/R 组件是雷达有源阵面的关键部件,有源相控阵雷达对其突出要求是高性能、高可靠和低成本。本文介绍了 一种X 波段四单元双极化T/R 组件,简述其工作原理及设计思想,列出该组件的主要性能指标。     

大功率T/R组件的研究与设计

现代相控阵雷达系统对探测距离的要求越来越高,这就需要相控阵雷达系统中的关键部件T/R组件提供更大的输出功率,但单个GaAs功率芯片的输出功率的提高较为缓慢。文章介绍了一种通过功率合成的方法来大幅提高单个组件输出功率的设计方法,可将单个组件的输出功率提高到百瓦级,同时通过合理的时序嵌套设计来保证大功率组件的安全工作。将设计结果应用于实际产品,制作出大功率、低噪声的T/R组件,应用于某重点型号雷达系统的研制。     

一种X波段宽带T/R组件的实现

介绍了一种宽带X波段四通道T/R组件的实现方法。在小尺寸空间中包含了微波电路、DC/DC电源、波束控制、功率故障检测和温度监测功能。结构上输入输出、加电端口均设计在同一侧。对组件复杂功能和特殊结构以及由此带来的工艺装配问题进行了分析和阐述,并研制出符合各项指标要求的宽带X波段T/R组件,该组件有完善的工艺措施来保证,性能好、重量轻、可靠性高;通过电性能和结构性能指标的测试,达到了总体技术要求。     

X波段高功率T／R组件的设计与制作

介绍一种X波段高功率T/R组件的设计与制作,该组件运用两只功率放大器裸芯片和一个Wilkinson耦合器设计了一个平衡放大器作为发射通道的高功率末级功放.详细讨论电磁兼容分析和装配工艺,充分利用了混合集成电路(HMIC)和多芯片组装(MCM)相结合的技术,该平衡放大器能实现16 W的高功率.     

一种L波段宽带双极化大功率T/R组件的设计与实现

介绍了一种L波段宽带双极化大功率T/R组件,该T/R组件采用GaN基功率管作为发射末级功率器件,为了降低成本和减小组件的尺寸,设计大功率双极化开关,在末级功率管输出处实现T/R组件的双极化输出。组件发射支路输出功率≥48.5d Bm,效率≥35%,接收支路增益≥35d B。     

一种P波段大功率T/R组件的设计

T／R组件是相控阵雷达有源分布阵列天线的核心部件,其性能直接影响雷达整机的指标。介绍了一种P波段大功率T／R组件的工作原理、设计方法和检测技术,并根据设计方法加工了实物样件,该T／R组件采用相控阵体制结构来实现：发射通道主要由移相器、衰减器和高功率放大器组成;接收通道主要由低噪声放大器、移相器和衰减器组成。在2dBm输入功率的情况下实现了200W输出功率,效率高达35％,在采取幅相一致设计措施后,该功放组件在100dB的动态范围内实现了相位误差在±3°以内。     

一种S波段高功率T/R组件的研制

介绍了一种S波段高功率T/R组件的研制方法和关键技术。该T/R组件包含4个通道,功能结构复杂,共有4个发射支路和12个接收支路,满足实际应用中实现多路信号的接收。12路接收信号通过3个独立的1∶4功分器合成到3个输出端口,对功分器进行仿真优化电路。发射通道输出功率大于100 W,效率达到40%以上;12路接收通道增益平坦度和增益一致性均在1 d B以内。由于组件使用较多的裸芯片和封装器件,对工艺流程也做了简要介绍。测试结果表明,组件满足各项指标要求。     

C波段高功率T/R组件设计

针对对海探测、跟踪以及成像的相控阵雷达或成像雷达而言,C波段T/R组件是其关键部件之一。介绍了一种C波段基于多芯片微波组件(MCM)技术和低温共烧陶瓷(LTCC)基板的20 WT/R组件的理论分析、设计思路和基本构成,从腔体效应、发射功率合成方式、收发支路、低温共烧陶瓷LTCC设计、微组装技术等几个层面进行了分析,并给出了最终的测试结果,该组件具有高功率、高密度、高效率等特点。     

X波段双通道T/R组件的LTCC基板电路的设计

介绍了X波段双通道T/R组件用LTCC多层基板的电路布局,阐述了基板电路布局中重点考虑的电磁兼容性问题及其解决办法,同时给出了微波电路的输入输出匹配和接地层参数的优化设计.经优化设计的双通道T/R组件体积小、重量轻,实测得到的单通道输出功率大于5W.     

X波段双极化收/发组件优化设计

介绍了一种X波段双极化收/发组件的优化设计过程。通过对组件的拓扑结构、极化隔离度、功能集成度等方面进行优化,设计出一种双极化收/发组件。该组件工作于X波段,具备发射分时、接收同时双极化工作能力;组件设计中采用了低温共烧陶瓷微波基板,提高了组件集成度;组件内部集成了定标耦合器及定标二合一合成网络,简化了系统应用中的阵面馈电;通过优化设计使组件实现了35dB以上的极化隔离度,解决了传统设计中该指标实现上的难题。     

一种高功率密度T/R组件的设计

主要针对某款C波段大功率T/R组件的小型化进行研究。通过对T/R组件的电路与结构的分析与设计,制作了发射功率大于100 W、接收通道增益大于8 d B、体积90 mm×80 mm×37 mm的T/R样机,该项研究对高功率密度T/R组件的设计与研制具有一定的工程指导意义。     

一种高功率小型化T／R组件发射通道的设计

介绍了一种高功率小型化T／R组件的组成及工作原理；结合该型T／R组件发射通道的特点，论述了小型化发射通道设计的几项关键技术，这主要包括：匹配电路小型化设计；3dB电桥的设计；输出功率可调的实现。