孔金属化直接电镀工艺研究及其品质保证

本介绍了印制线路板生产的Ｃｏｎｄｕｃｔｒｏｎ直接电镀工艺，对该体系所采用的加速剂Ｇ２和ＥＸ进行了对比试验，并对药液浓度、试验溶液温度和浸没时间进行了总结。对Ｃｏｎｄｕｃｔｒｏｎ直接电镀的品质保证技术进行了简单介绍。     

铜蚀刻废液制备氧化铜

PCB行业主要存在酸性和碱性两种废液,当前对蚀刻废液的处理方法有许多种,其中沉淀法是经济的处理方法,而且去除铜率高。通过加入试剂,将废液中的铜离子转变成氢氧化铜沉淀,然后加热煅烧,得到最终产品氧化铜。分别采用单独对酸和两种废液混合二种方式制取氧化铜;讨论了酸度对沉铜量的影响,结果表明,铜离子沉淀的最佳pH分别为9和4.5,沉淀最佳的分解温度和时间分别为500℃和30 min。探讨了水洗量和次数对杂质的去除影响,分别得到水洗三次,纯净水两次为最佳结果。     

控制蚀刻质量是保证电路图形高质量的关键

前言:由于现代印制线路板(PCB)设计要求向高密度、细导线、细孔径发展,给蚀刻线的蚀铜带来相当困难,根据本人对蚀刻工作积累的经验,特别强烈要求处理侧蚀现象的问题。所谓问题就是要求(客户所规定)     

我国印制电路蚀刻机发展的三个阶段

本文首次提出我国印制电路蚀刻机发展的三个阶段,即以三氯化铁蚀刻机为主的初级阶段;以各种类型蚀刻机相继出现为特点的上升阶段;以制造出口蚀刻机为龙头的成熟阶段。并简述各个阶段的发展简史以及具有代表意义的典型蚀刻机。本文还就我国印制板蚀刻机的发展趋势进行了有益的探索。     

基于真空蚀刻线的外层蚀刻模型建立

蚀刻对控制印制电路板（PCB）线路精度能力有着直接影响。文章通过蚀刻机理分析,筛选影响蚀刻效果的影响因素,通过控制变量探讨了线速、喷压、预蚀刻对线宽的影响,并总结输出真空蚀刻线线宽、阻抗交叉反馈到线速的蚀刻参数调整逻辑,从而建立外层蚀刻模型。     

碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究

介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。     

方舱的屏蔽工艺和技巧

从结构设计和工艺制造两个方面提出了提高方舱屏蔽效能的方法。为保证导电的连续性,分析了有、无金属衬垫情况下的屏蔽方法,并给出了方舱接缝、门窗孔口屏蔽处理的细节。     

ICP刻蚀技术与模型

从ICP刻蚀装置、ICP刻蚀技术及模拟模型以及可用于ICP刻蚀模拟的CAD工具研究现状等几方面,对ICP刻蚀过程中所涉及的原理和模型做了较为详细的介绍和比较,以使对ICP刻蚀技术及模型有一个较为全面的认识。     

碱腐蚀工艺对微通道板性能的影响研究

本文探究了微通道板腐蚀工艺中碱溶液的腐蚀时间对其增益的影响。利用X射线光电子能谱分析仪和原子力显微镜,测试了不同碱腐蚀时间作用后微通道板通道内壁碱金属元素的含量变化情况,以及通道内壁粗糙度变化趋势。结果表明,在不影响微通道板通道内壁粗糙度的情况下,一定程度上减少碱腐蚀时间可以降低微通道板通道内壁的碱金属元素的流失,从而提高通道内部二次电子发射能力,提高微通道板增益。微通道板电性能以及制管后产品增益和噪声性能结果表明,减少碱腐蚀时间,并未增加制管后噪声系数,而通过提高微通道板内表面碱金属的含量,有助于制管增益的提高。     

GaAs基VCSEL干法刻蚀技术研究综述

GaAs基垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL)自1977年问世以来,凭借阈值电流较低、光束质量很高、可集成到二维阵列、易单模激射等优势被广泛应用于各个领域,但是其尺寸过小而在制造中难以精确控制精度、等离子体刻蚀时易对掩膜和侧壁造成形貌损伤、刻蚀过程中生成副产物过多等问题,影响了应用范围和提高了制造难度。如何保持高刻蚀速率并尽可能地减小刻蚀损伤成为了目前的研究热点问题。分析了GaAs基VCSEL干法刻蚀技术的研究现状与技术难点,并展望了未来的发展趋势。     

微波等离子体刻蚀技术研究

以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点．并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应用于质量控制和失效分析等环节。     

反应离子刻蚀硅槽工艺研究

在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫描电子显微镜观察硅槽侧壁形貌,分析各参数在反应离子刻蚀中所起到的作用,得到对硅槽形貌影响较大的因素,最终得到一种能够与CMOS工艺兼容的硅槽刻蚀方法。该方法能够制作出深度6μm、深宽比4∶1、侧壁光滑的硅槽,可以用于光电继电器、硅电容等新型器件的研发。     

刻蚀设备在太阳能晶硅电池刻蚀工艺中的应用

介绍了激光划线设备在太阳能电池中的应用。与传统等离子体刻蚀设备对比,从设备结构,工艺原理,试验测试等方面做了深入的分析,并从理论角度分析得出激光刻蚀具备效率损失小,能够提高电池片的转换效率的优点,同时用实验验证了激光划片设备具有优异的刻蚀效果,对提升电池片效率的贡献。     

硅的深槽刻蚀技术研究

研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现，以氟基气体作为工艺气体，铝或铝合金作为掩蔽层时，可以获得极高的选择比；通过增大射频功率，改变气体组分，气体流量等方法，可以较好地解决等离子刻蚀中的各向同性问题。     

SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀

利用ICP对研制的SiC衬底上AlGaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔. 器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底进行了刻蚀;最后将Cl2和BCl3混合气体的ICP刻蚀技术运用于AlGaN/GaN外延材料的刻蚀,完成了深度为50μm的AlGaN/GaN HEMT通孔制作,通孔侧壁具有一定的斜率,适合良好的金属覆盖以形成器件正面和背面的连接. 这一技术非常适合AlGaN/GaN HEMT及其单片集成电路的研制.