光纤陀螺信号处理电路MCM-C的版图与工艺设计

介绍一种光纤陀螺信号处理电路MCM-C的版图设计与工艺设计,15层LTCC基板、效率达31.91%的高密度组装、基板与外壳的一体化封装。     

低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术

微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100 μm以内.基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术.通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度.     

基于LTCC微波多层基板的双面微组装技术研究

传统的微波组件通常在低温共烧陶瓷(LTCC)微波多层基板上单面组装裸芯片和片式元器件,组装密度难以进一步提高.文中采用了LTCC微波多层基板双面微组装技术以提高组装密度,重点研究了高精度芯片贴装技术和芯片金丝键合技术,实现了LTCC微波多层基板双面高精度芯片贴装和金丝键合,大大提高了微波组件组装密度.实验结果表明:裸芯片的双面贴装精度均达到了±20 μm;双面金丝键合强度(破坏性拉力)均大于5 g,满足国军标要求.     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

用于制造微波多芯片组件的LTCC技术

低温共烧陶瓷(LTCC)是实现微波多芯片组件(MMCM)的一种理想的组装技术,具有高集成密度、多种电路功能和高可靠性等技术优势.介绍了国内外应用于微波组件的LTCC技术发展现状,概述了LTCC的制造工艺流程,分析了其关键工艺难点,对LTCC基板电路的设计进行了详细阐述,并讨论了埋层电阻的设计和微带线和带状线间的垂直微波互联的方式.利用LTCC技术研制的微波多芯片组件,在现代雷达和通讯领域具有广泛的应用前景.     

高密度单片机系统MCM-C的版图与工艺设计

介绍一种高密度弹上8位单片机系统MCM-C的版图设计与工艺设计，20层LTCC基板、效率达54．75％的高密度组装、基板与外壳的一体化封装。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

基于LTCC技术的SIP研究

SIP是继SOC后快速发展起来的,采用微组装和互连技术可以在单封装内实现子系统或系统功能.低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现SIP的重要途径.采用LTCC技术的SIP具备高集成度,方便集成无源元件无源功能器件,通过调整配料和多种不同介电常数基板混合共烧的方式提高电路设计灵活性等.对基于LTCC技术的SIP特点和优势进行了讨论,并根据需要结合实际工作给出了一个采用LTCC的X波段射频接收前端SIP的实例.     

LTCC三维微流道工艺研究

随着电子技术的发展，电路功率显著上升，散热成为电路设计的一个关键问题。用LTCC技术制作的三维（3D）微流道冷却器可以吸收芯片上的热量，通过液体循环将热量传给外界。本文重点研究了内嵌三维微流道LTCC多层基板成型中的关键工艺：热压、烧结。利用热压牺牲层技术防止微流道在热压过程中塌陷、变形，同时优化烧结曲线，避免多层基板开裂、分层。利用优化的热压、烧结工艺参数，可制备出完好的3D微流道LTCC多层基板，便于后续的散热试验以及优化改进设计。     

LTCC基板制造及控制技术

低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件.本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制.     

LED的LTCC封装基板研究

LTCC基板广泛应用于先进的LED封装技术。阐述了LED的陶瓷封装基板的特点,介绍了制造LTCC封装基板的生瓷片性能和制造工艺,通过对LTCC基板热电分离结构的优点分析,指出金属散热通孔是提高LTCC基板散热效果的关键原因,并展望了LTCC封装基板发展方向。     

基于LTCC技术的无源器件设计方法

作为一种新型的集成封装技术,低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性,小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术,其产品在封装和小型化方面具有明显优势;LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势,以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。     

大尺寸LTCC焊接组件热变形特性的仿真研究

为了研究不同封装条件对低温共烧陶瓷(LTCC)基板封装焊接后残余热应力的影响,该文针对不同温变载荷下LTCC基板的热应力变形进行了仿真计算和实验测试,结果显示仿真计算与实验测试结果具有较好的一致性,验证了数值仿真用于LTCC基板封装焊接后残余热应力仿真的可行性。在此基础上对零膨胀合金底板和硅铝合金封装条件下3种典型工作温度对应的LTCC基板的热应力进行了仿真计算。结果表明,封装焊接后LTCC基板两侧边缘应力集中,中间残余应力小,呈翘曲状态,采用硅铝合金封装焊接的热应力小于零膨胀合金封装。     

LTCC微波一体化封装

文章介绍了采用LTCC技术制作微波一体化封装,重点研究了X波段LTCC一体化封装的微带穿墙结构及其微波特性。同时对封装的散热结构进行了研究,根据不同的散热要求采用不同的散热结构。采用导热孔散热的方式,其热导率与导热孔的排列方式(孔径和间距)有关,热导率可达50W(m·K)-1。封装的气密性与导热孔的结构有密切关系,热沉的焊接可大大提高封装的气密性。     

低温共烧陶瓷基板及其封装应用

低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术一文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。     

一种应用于电子封装的热匹配工艺设计

作为组件封装材料,铝合金与芯片和电路基板之间存在热膨胀不匹配问题.采用热匹配工艺设计,选择合适的热匹配材料,为铝合金盒体与LTCC基板热膨胀匹配提供了一种理想解决方案.根据匹配设计理念,利用Abaqus有限元软件对热匹配材料及铝盒体的结构进行了仿真和优化,并与加工出试验样品的测试结果进行了对比,验证了模拟结果,为铝合金...     

基于LTCC技术的三维集成微波组件

低温共烧陶瓷(LTCC)技术和三维立体组装技术是实现微波组件小型化、轻量化、高性能和高可靠的有效手段.本文研究实现了基于LTCC技术的三维集成微波组件,对三维集成微波组件的立体互连结构、三维集成LTCC微波电路的垂直微波互连、微波多芯片模块(MMCM)的垂直微波互连等关键技术进行了重点阐述.研制出的三维集成微波组件的体积和重量分别比传统的二维平面LTCC集成微波组件减小40%和38%,电气性能相当.     

LTCC在SiP中的应用与发展

SiP是实现先进电子设备小型化、多功能化和高可靠性的有效途径。SiP的组装和封装载体是基板。LTCC通过采用更小的通孔直径、更细的线宽/线间距和更多的布线层数能实现SiP复杂系统大容量的布线。通过采用空腔结构可以优化系统元器件的组装,提高散热能力。利用埋置无源元件,可以减少SiP表贴元件的数量。利用3D-MCM和一体化封装可以进一步减少系统的面积和体积,缩短互连线。未来SiP的发展要求LTCC具有更好的散热能力、更高的基板制作精度和更多无源元件的集成。