白光LED用MMoO_4∶Eu~(3+)红色荧光粉制备工艺研究

用溶胶-凝胶优化法合成了红色荧光粉MMoO4∶Eu3+(M=Ca、Sr、Ba),通过SEM、PL表征了荧光粉的形貌及发光性能。结果表明:烧结温度为800℃时,颗粒粒度分布均匀,粒径约为0.5-1μm,有很好的分散性;掺杂0.25molEu2O3在395nm和464nm两主激发峰下,均可得到616nm处红光发射极峰,属于Eu3+典型的5 D0→7F2的跃迁所致;助熔剂NH4F明显提高了钼酸盐荧光粉的发光强度;通过比较M0.5MoO4∶Eu03.+25,Li0+.25(M=Ca、Sr、Ba)发光性能得知:在395nm激发下,Ca0.5MoO4∶Eu30.+25,Li0+.25荧光粉最有利于提高发光强度。     

Gd_2O_2SO_4∶Dy~(3+)纳米粉体的共沉淀法合成及光致发光研究

采用Gd2O3、Dy2O3、H2SO4和NaOH为实验原料,通过共沉淀法合成了Gd2O2SO4∶Dy3+纳米粉体。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)光谱等手段对合成的粉体进行了表征。XRD分析表明前躯体在空气气氛下900℃煅烧2h能转化成纯相的Gd2O2SO4∶Dy3+。TEM观察显示Gd2O2SO4∶Dy3+粉体形貌为近球形,分散性良好,粒度大小为20～40nm。PL光谱分析表明在277nm紫外光激发下,Gd2O2SO4∶Dy3+的主次发射峰分别位于575nm(黄光)和485nm(蓝光),分别归属于Dy3+的4F9/2→6H13/2和4F9/2→6H15/2跃迁。Dy3+的猝灭浓度是2%(摩尔分数),猝灭机理是由于Dy3+和Dy3+之间的交换相互作用。余辉光谱研究表明Dy3+的4F9/2→6H13/2和4F9/2→6H15/2跃迁均具有e单指数衰减行为,荧光寿命分别为0.468和0.462ms。     

用水热法制备的Ba_(1-x)Pb_xWO_4微晶及其发光性能研究

采用水热法制备了Ba1-xPbxWO4固溶体微晶,通过XRD、SEM、荧光分析等测试手段,研究了微晶的晶相结构、表面形貌及室温光致发光特性。结果表明,当x从0～1.0变化时,Ba1-xPbxWO4固溶体微晶的表面形貌由四方锥型向树枝状变化。在270nm紫外光激发下,其发射光谱均呈现两个发射峰,即位于320nm左右的弱发射峰和400～470nm左右的强发射峰,前者为WO42-四面体的本征发射,其强度和波长随x值变化不大;而后者为掺入的Pb2+引起的激活发射峰,掺入Pb2+量(即x)对其强度和发射波长有较大的影响。当x=0.03时,微晶发射强度达到最强。     

Ca2SiO3Cl2∶Dy3+单一基质白光荧光粉的制备及发光特性

采用溶胶-凝胶法合成了发射白光的Ca2SiO3Cl2∶Dy3+荧光粉。利用XRD分析了荧光粉的晶体结构,其为四方晶系。在350nm近紫外光激发下,荧光粉呈白光发射,有两个主发射峰位分别于482和573nm,分别对应于Dy3+的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2跃迁;监测573nm最强发射峰,激发光谱覆盖200～450nm,主激发峰位于350nm。研究结果表明保温时间的延长有利于发射强度的提高,伴随着Dy3+浓度的增大,发射光谱图中的两个主发射峰先增强后减弱,Dy3+的最佳浓度为2%(摩尔分数)。     

白光LED用KNaCa2（PO4）2∶Dy3+材料的制备与发光特性研究

采用高温固相法制备了KNaCa2(PO4)2∶Dy3+发光材料并对其发光特性进行了研究。光谱显示,KNaCa2(PO4)2∶Dy3+激发谱为300～500nm范围内的一系列锐谱,可被InGaN管芯和蓝光有效激发。尤其在385nm紫外光激发下,样品呈现较强白光发射,主发射峰位于485和577nm,对应Dy3+的4F9/2-6 H15/2、4F9/2-6 H13/2跃迁,形成"黄+蓝"单一基质白光。研究了Dy3+掺杂浓度对KNaCa2(PO4)2∶Dy3+发光性能的影响,随Dy3+浓度增加,发光强度先增大后减小,最佳掺杂浓度为0.04mol,Y/B值在较小范围内先增大后减小。根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。测量并标定了Dy3+不同浓度下样品的色坐标均呈现白光发射。研究表明,KNaCa2(PO4)2∶Dy3+材料是一种适合紫外-近紫外-蓝光激发的单一基质白光荧光粉。     

一种白色发光二极管用Ag2Sr(MoO4)2∶xSm3+红色荧光粉发光性能的研究

采用水热制备系列Ag2Sr(MoO4)2∶xSm3+红色荧光粉,并对其进行X射线衍射、扫描电镜和荧光光谱测试.结果 表明,Sm3+的掺入不影响Ag2 Sr(MoO4)2∶xSm3+晶相的形成,合成的荧光粉体晶粒较小,粒度分布均匀.在紫外灯照射下,Ag2 Sr(MoO4)2∶0.08Sm3+荧光粉发出更亮的红光,而且具有...     

Zn2+含量对Ca0.925-xZnxMoO4:Eu0.0753+红色荧光粉发光性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Ca0.925-xZnxMoO4∶Eu30+.075红色荧光粉,并对粉体的物相结构、发光性能、粒径方面进行研究。实验得出,适量的Zn2+取代Ca2+没有改变Ca0.925MoO4∶Eu30+.075的晶体结构,而且明显提高了Ca0.925-MoO4∶Eu30+.075的发光强度。同时,掺杂Zn2+可以使红色荧光粉Ca0.925-xZnxMoO4∶Eu30+.075的电荷吸收带发生红移,Zn2+的最佳掺杂量为7%(原子分数)。对Ca0.925MoO4∶Eu30+.075和Ca0.855Zn0.07MoO4∶Eu30+.075进行对比研究,得出Ca0.855Zn0.07MoO4∶Eu30+.075的粒径稍大,但是其发光性能优于Ca0.925MoO4∶Eu30+.075。     

杂质离子对Y_2O_3∶Eu~(3+)发光性能的影响

研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,A+ 0 .0 2 (A =Li、Na、K)和Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,B2 + 0 .0 2 (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的荧光、余辉发光及热释光特性。余辉光谱数据表明 :杂质离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的荧光发射主峰 (611nm)一致 ,为经典Eu3+ 的5D0 7F2 电偶极跃迁 ;杂质离子的引入明显地延缓了Y2 O3∶Eu3+ 的余辉衰减 ,其中Y2 O3∶Eu3+ ,A+ (A =Li、Na、K)的余辉衰减趋势几乎完全一致 ,而Y2 O3∶Eu3+ 、B2 + (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca、Sr、Ba、Mg。热释光谱数据显示 ,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成 ,这是导致余辉衰减减慢的直接原因。Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 的热释峰都位于 175℃左右 ,相应电子陷阱能级深度为 0 .966eV左右 ;而Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释峰由高到低分别位于 192℃ (Ca)、164℃ (Sr)、13 5℃ (Ba)、118℃(Mg) ,电子陷阱能级深度分别为 1.0 0 3eV(Ca)、0 .942eV(Sr)、0 .880eV(Ba)、0 .843eV(Mg)。结合余辉衰减数据 ,可以看到 ,Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 和Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好 ,由此可以得出 ,一定相同的条件下 ,热释峰值温度越高 ,杂     

Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光性能研究

通过高温固相反应制备Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光材料,利用XRD、FTIR、SEM、XPS和激发-发射光谱表征合成样品的性能。研究表明,使用Li2CO3-NH4F复合助熔剂,形成了长柱状形貌。在349nm或274nm激发下,Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发出Dy3+特征峰,色坐标接近白光区域。Gd3+→Dy3+的能量传递增强了Dy3+发光强度。Dy3+最优的掺杂浓度为2%,临界传输距离为30。Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光材料可作为潜在的单一掺杂单一组成的白光LED发光材料。     

(Sr_(1-x)Ba_x)_(3-y)SiO_5:y Eu~(2+)橙红色荧光粉的制备与发光性能

采用高温固相法在还原气氛下合成橙红色荧光粉(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+,并用X射线衍射仪和荧光分光光度计对合成的样品进行表征。结果表明:合成样品的晶体结构与Sr3SiO5相同,(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+的荧光光谱为宽带谱,激发峰发射主峰分别位于365nm和592～609nm。随着Eu2+和Ba2+掺杂浓度的不同,样品的热稳定性和发射峰也发生了相应的变化。最终,并对其机理进行简单讨论。     

(Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷的研究

由于钙钛矿结构无铅压电陶瓷具有高的压电性能，已成为无铅压电陶瓷研究的热点．本文综述了钙钛矿结构无铅压电陶瓷（Na0．5K0.5）NbO3的研究进展和趋势．重点从添加第二组元、添加助烧剂、取代改性和制备方法四个方面，归纳和分析了（Na0．5K0.5）NbO3基无铅压电陶瓷的研究开发进展，并对（Na0.5K0.5）NbO3基无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出一些建议．     

Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末化学镀铜前后的电磁性能

本文用溶胶-凝胶自燃烧法制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末颗粒,以甲醛为还原剂在Ni0.5Zn05Fe2O4颗粒表面进行了化学镀铜,制备了Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体.用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对镀铜前的Ni0.5Zn0.5Fe2O4颗粒以及镀铜后的复合纳米颗粒进行了表征.对镀铜前的Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉体和不同镀铜量的Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体进行了电磁性能的研究,结果表明镀铜后镍锌铁氧体的吸波性能明显提高,增重量为65%的Cu/Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合粉体在频率为11GHz处反射率可达-12dB左右.     

一种改性铌酸盐系无铅压电陶瓷的合成与特性研究

K0.5Na0.5NbO3(KNN)系铌酸盐是一类可能替代铅基压电陶瓷的无铅压电陶瓷.利用Ta和Sb掺杂或者取代KNN中的相关离子,在陶瓷的准同型相界(MPB)处显现出高的压电和介电性能.利用传统技术制作出一种新的致密度较高的无铅压电陶瓷(1-x)(K0.5Na0.5)(Nb0.96Sb0.04)O3-xLiTaO3(简记为KNNS-LT).所有的组分在MPB处都存在纯的钙钛矿结构,主要压电性能在MPB处达极大值,其机电耦合系数kp为40%,压电常数d33为225pC/N,居里温度Tc为355℃.     

Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同，它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0．8at％，分凝系数为0．8，与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0．78相当；用称重法测定其密度为5．00g／cm^3；用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12．5W／mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。     

(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷研究进展

(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷体系是目前研究最广泛的功能陶瓷材料之一.综述了BNT基无铅压电陶瓷的研究现状,讨论了相关体系的设计方法、铁电性、压电性以及BNT体系的制备方法.分析比较了BNT系压电陶瓷与Pb(Zr,Ti)O3(PZT)压电陶瓷的性能差异以及存在的问题,对BNT基无铅压电陶瓷进行了展望.     

非铅系统压电陶瓷的研究

本工作对 xNa_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-(1-x)K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3系(0.73≤x≤1.0)和 xNa_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-(1-x)BaTiO_(?)系(0.81≤x≤0.99)陶瓷固溶体的压电、铁电性质进行了研究。发现两系统的准同型相界分别位于 x=0.81和x=0.94处;在相界附近的富钠一侧的组分,是开发超声换能材料的较佳组成范含。在这两个系统中,获得了高厚度机电耦合系数(≥0.48)、低平面机电耦合系数(0.165～0.255)、高频率常数(N_(?)≥2550 Hz·m)、低相对介电系数(290～524)的超声换能材料。该材料还具有无公害、不需密封烧结等工艺优点。     

NbO3-LiNbO3无铅压电陶瓷的烧结特性和压电性能研究

采用传统陶瓷烧结工艺制备了（1-x）（K0．5Na0．5）NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷，研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征．制备的（K0．5Na0．5）NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钦矿结构，室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变，显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异．与（K0．5Na0．5）NbO3陶瓷相比，（K0．5Na0．5）NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低，烧结特性得到改善．（K0．5Na0．5）NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能，其中0．94（K0．5Na0．5）NbO3—0．06LiNbO3（x=0．06）陶瓷的压电常数d33达到205pC／N，机电耦合系数kp为40．3％，kt达到49．8％．     

MSnO_3和MSn_（0．5）Zr_（0．5）O_3（M＝Sr，Ba）的水热合

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＩＣＰ等方法对产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２－ＳｎＯ２（或ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ／（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５～７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）２－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质碱度来获得ＭＳｎＯ３＋ＭＺｒＯ３混合物和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３，并根据合成规律初步探讨了反应过程．     

PbSc0.5Ta0.5O3热释电材料及其红外探测器列阵

热释电红外探测器具有探测波长范围广、室温工作、无需致冷等优点。近年来，工作于介电方式下的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)热释电材料由于具有热释电系数大，热释电探测优值高等特点，成为热释电应用研究的热点之一。本文综述了目前PST热释电陶瓷材料的介电，热释电性能及其探测器列阵的发展。由于小型化的要求，PST薄膜亦倍受关注，因此本文还对目前PST热释电薄膜的制备方法，薄膜的热释电、介电性能及薄膜型探测器结构和发展进行了概述。     

(Bi0.5Na0.5)TiO3系无铅压电陶瓷研究现状与展望

BNT陶瓷由于具有良好的压电性、高居里温度和烧结过程中无毒、易控制性等优点而倍受青睐.本文介绍了无铅压电陶瓷的研究概况、相变过程及其基本性质、制备工艺,根据已有的研究经验着重对BNT陶瓷掺杂改性进行了探讨,并展望了它的发展前景.