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相似文献
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1.
采用燃烧法在550℃合成了红色纳米发光材料ZnAl2O4:Eu^3+,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。XRD分析证实样品具有尖晶石结构的ZnAl2O4相。测定了样品的激发光谱和发射光谱,光谱数据表明:对应于Eu^3+的。^5D0→^7F2跃迁的发射强度。^5D0→^7F0,1,3,4跃迁的发射强度,ZnAl2O4:Eu^3+ 形成红色发光材料,推测是由于基质结构的不对称性,Eu^3+在基质ZnAl2O4中占据非对称中心的格位所致。并考察了不同退火温度处理后,样品Eu^3+的^5D0→^7Fj跃迁辐射变化情况。  相似文献   

2.
采用凝胶-燃烧法合成了Sr2SiO4∶Eu3+红色荧光粉,利用XRD、SEM、PL对样品进行了结构、形貌及发光性能表征。结果表明,所得样品为单斜晶系结构,呈粒径为0.1~0.3μm、长1μm左右的纤维状小颗粒。在波长394nm的紫外激发下,样品发射光谱由位于红光区的5个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于578nm、590nm、612nm、650nm和700nm,对应Eu3+的5 D0→7F0、5 D0→7F1、5 D0→7F2、5 D0→7F3和5 D0→7F4特征跃迁发射,612nm处的发射最强,是一种适用于白光LED的红色荧光粉。  相似文献   

3.
采用高温固相反应法合成了新型LaInO3∶Eu3+红色荧光粉。晶体物相和发光性能分别用XRD、荧光分度计进行表征。XRD图谱表明在1150℃制备了纯相的LaInO3∶Eu3+荧光粉。该荧光粉能够被394nm近紫外光和464nm蓝光有效激发,其最强发射峰位于610nm处,对应于Eu3+离子的5 D0→7F2的特征发射。改变Eu3+离子掺杂浓度,发射峰形状和位置基本不变,发射强度在Eu3+离子浓度超过20%(摩尔分数)时剧烈下降,出现了浓度猝灭效应。Eu3+位于610nm的发射自身猝灭机理是电四极-电四极的相互作用。研究结果显示LaInO3∶Eu3+是一种有潜力的用于制造白光LED的红色荧光粉。  相似文献   

4.
采用微波水热法制备Al2O3∶Eu3+红色发光材料。通过XRD、SEM和荧光光谱对系列样品的物相、形貌、发光性质进行表征。XRD测试结果表明合成的样品为γ-Al2O3;SEM显示样品形貌为片组装成的微球;光致发光测试表明,Al2O3∶Eu3+的发射以594nm的5 D0→7F1磁偶极跃迁为主,最佳激发波长为394nm。随着掺杂浓度的增大,样品5 D0→7F2电偶极跃迁强度变大,掺杂量为0.09%(摩尔分数)的样品在618nm的5 D0→7F2电偶极跃迁强度明显提高。  相似文献   

5.
本文报道了Pr掺杂SrBi2Ta2O9(SBTO)铋层状铁电材料的光致发光特性。通过适量的Pr掺杂制得的SrBi2Ta2O9陶瓷样品在室温下具有很强的红光和绿光发射。光致发光激发谱显示样品具有蓝光激发特性,该激发带对应Pr3+离子的基态3H4到激发态3PJ(J=0,1,2)的跃迁吸收。在蓝光激发下,样品具有宽带发射,发射峰对应Pr3+离子f-f辐射跃迁中:3P1→3H5(532 nm),3P0→3H5(546 nm),1D2→3H4(600 nm),3P0→3H6(620 nm),3P0→3F2(656 nm)和3P0→3F4(743 nm)跃迁。Pr掺杂SBTO样品蓝光激发的光致发光特性将可能使其在白光LED及其相关器件中得到应用。  相似文献   

6.
采用高温固相法合成了Ca2SiO3Cl2∶Eu3+红色发光材料。利用X射线分析了材料的晶体结构,其为四方晶系;在400nm近紫外光激发下,材料呈红色发射,主发射峰位于582、599、623、655和691nm,分别对应Eu3+的5D0→7F0、7F1、7F2、7F3和7F4特征跃迁;监测599nm最强发射峰,激发光谱覆盖200~450nm,主激发峰位于400nm。研究了Eu3+摩尔浓度对Ca2SiO3Cl2∶Eu3+材料发射强度的影响,结果显示,随Eu3+浓度的增大,强度先增大、后减小,Eu3+浓度为1%时,强度最大。引入Li+后,材料的发射强度进一步增大。  相似文献   

7.
王治龙  王育华 《功能材料》2005,36(9):1328-1330
用硫熔法制备了系列红色蓄光材料Y2O2S :Eux^3+(0.01≤x≤0.10)的多晶粉末样品并系统研究了其发光特性。XRD结果表明,晶胞参数c随着Eu^3+含量的逐渐增大而增大,而晶胞参数α没有明显的线性变化关系,这与Y2O2S :Eu^3+的晶体结构有关。Y2O2S :Eux^3+(0.01≤x≤0.10)的激发光谱相似,在626nm发射光监控下最大激发波长约在330nm附近。在330nm激发下,随着Eu^3+含量逐渐增大,发射光谱最强发射峰位置从540nm右移至626nm,观察到红色特征发射峰626nm的强度逐渐增大,在Eu^3+含量为0.09时,其强度达到最大。在最佳合成条件及最佳Eu^3+含量下,正在进行掺杂Mg^2+和Ti^4+及其发光特性的研究。  相似文献   

8.
以H3BO3助熔剂采用高温固相反应法制备了LiMo2O8∶Eu3+红色荧光粉。通过XRD、SEM及激发和发射光谱对样品进行了研究,结果表明,引入助熔剂为3 wt%时样品具有好的结晶和优良的光谱性质;光谱测量的结果表明,在近紫外、蓝光激发下,能发射出615nm的红光,具有较高的色纯度。因此,可作为目前已商品化的白光LED的红色补偿荧光粉,也可作为近紫外LED和三基色荧光粉组合型白光器件的红色荧光粉的候选材料。  相似文献   

9.
采用传统的高温固相反应法在较低温度下制备红色荧光体Eu~(3+)掺杂的Ca_2SiO3_Cl_2,研究了Ca_(2-x)SiO_3Cl_2∶xEu~(3+)(x=3%~18%)的晶体结构和发光性质。激发和发射光谱表明,样品可以被近紫外350~420nm波段激发,最强激发峰位置位于394nm,发射光谱呈现出Eu~(3+)的特征红色发光,谱带峰值位置在592nm和620nm,分别对应于~(5 )D_0→~7F_1和~(5 )D_0→~7F_2特征跃迁。结果表明:最强发射对应的掺杂浓度是15%(摩尔分数),样品Ca_(1.85)SiO_3Cl_2∶0.15Eu~(3+)荧光粉是一种具有应用潜力的近紫外激发三基色白光LED用红色荧光粉。  相似文献   

10.
孟献丰  高俊  何禾  王云龙 《功能材料》2012,43(20):2782-2784,2789
以Eu2O3、Sr(NO3)2和(NH4)6Mo7O24.4H2O为原料,采用水热法合成了Eu3+离子掺杂的Sr0.6MoO4∶Eu0.43+红色荧光粉。用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和荧光光谱(PL)等分析手段研究了荧光粉的结构和光致发光性能。结果表明,制备的荧光粉颗粒分散均匀,形状呈类四方双锥状,粒径在0.5~2μm之间,荧光粉可以被近紫外光(396nm)和蓝光(466nm)有效激发,发射出峰值位于614nm的红光,激发波长与紫外和蓝光LED芯片相匹配。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。  相似文献   

11.
高温固相法合成了Ca10-xK(PO4)7:xEu3+(x=0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.12,0.14和0.16)的红色荧光粉。X射线衍射表明,样品具有标准的Ca10K(PO4)7六角晶体结构,且无第二相存在。在393nm的波长激发下,样品获得由Eu3+的4f-4f跃迁产生红光发射,其中以613nm附近的5 D0→7F2电偶极跃迁发射为最强。通过调节Eu3+的掺杂浓度,获得了色坐标与商业化Y2O2S:Eu3+荧光粉十分接近的接近纯色的红色荧光粉。Ca10K(PO4)7:Eu3+是一种可望应用于紫外激发的白光LED的红色荧光粉。  相似文献   

12.
通过高温固相方法合成了红色荧光粉Ca3Y2Si3O12∶Pr3+,研究了Pr3+掺杂浓度及助熔剂对荧光粉发光性能的影响。结果显示,所合成的荧光粉的主晶相为Ca3Y2Si3O12。通过分析荧光光谱,发现Ca3Y2Si3O12∶Pr3+硅酸盐荧光粉的有效激发范围可以在430~490nm范围内,并发射红光。在445nm激发下,样品发射光谱中的主发射峰分别位于610nm(3P0→3 H6)和644nm(3P0→3F2),其中610nm处峰值最大。通过改变Pr3+掺杂浓度,发现荧光粉发光强度先增大后减小,最佳Pr3+掺杂量x(Pr3+)为2.0%,超过最佳掺杂浓度表现为由离子间的相互作用导致的浓度淬灭。该荧光粉色温为2261℃。通过观察助熔剂的助熔效果,发现最佳的助熔剂H3BO3添加量为2.0%。  相似文献   

13.
采用高温固相法,合成CaO:Eu^3+,Na^+等一系列红色荧光粉。研究煅烧温度和Eu^3+、Na^+离子的掺杂量对样品发光性能的影响,并对样品的物相、激发和发射光谱进行分析。结果表明,当前驱物的煅烧温度在950℃以上时,分别作为激活剂和敏化剂的Eu^3+和Na^+离子全部进入到CaO晶格中并占据Ca^2+的位置,其最佳掺杂量分别为1.5mol%和10mol%;Na^+离子的掺杂不仅有利于基质的稳定,而且可以提高样品的发光强度;煅烧温度升高有助于样品发光强度的提高;在波长为200~400nm氙灯的激发下,最强激发峰值为244nm,属于Eu^3+-O^2-的电荷迁移跃迁;最大发射峰值位于592nm,对应于Eu^3+离子的^5D0→^7F1跃迁,并且Eu^3+离子在CaO基质中主要处于严格对称中心的格位上。  相似文献   

14.
采用高温固相法合成Ca3B2O6:Eu3+,A(A=Li+,Na+,K+)系列红色荧光粉。以395nm的近紫外光激发样品,Ca3B2O6:Eu3+,A(A=Li+,Na+,K+)荧光粉发红光,以614nm附近的5 D0→7F2电偶极跃迁发光最强。材料能非常好地吸收395nm波长的光,与近紫外光LED芯片匹配良好。Ca3B2O6:Eu3+红色荧光粉合成最佳条件为Eu3+掺杂浓度为4%,Li+的掺杂浓度为8%,在900℃灼烧2h。从而简化了合成工艺,优化了合成条件。  相似文献   

15.
采用高温固相法制备双层钙钛矿Sr3Ti2O7:Eu3+系荧光粉。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱,研究了不同煅烧温度对双层钙钛矿Sr3Ti2O7:Eu3+荧光粉的晶体结构、形貌和发光性能的影响。结果表明:荧光粉在煅烧温度为1300℃时为纯双层钙钛矿Sr3Ti2O7相,且其有效激发波长为在395nm和465nm,这与当前近紫外和蓝光LED芯片的输出波长相匹配,激发产生的相应发射波长分别为618nm和626nm。该荧光粉是一种理想的白光LED用红色荧光粉。  相似文献   

16.
采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7:Eu^2+荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7:Eu^2+(x=0.1,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)荧光体。XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu^2+离子部分取代Sr^2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格。Sr2Al2SiO7:Eu^2+荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu^2+的4f→5d跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu^2+离子4f^65d→4f^7跃迁导致的宽带发射。XRD结果表明Mg^2+添加浓度从x=0.1~1.0增加,Mg^2+离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格。Mg^2+离子添加浓度x=0.1时对Sr2Al2SiO7:Eu^2+发射光谱影响不大,Sr1.9Mg0.1Al2SiO7:Eu0.02^2+发射主峰仍位于500nm;z〉0.2后,Mg^2+离子取代Sr^2+离子使晶体场强度减弱,Eu^2+离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7:Eu^2+发射峰蓝移至460nm。  相似文献   

17.
Zn4B6O13:Eu3+的合成与光致发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
用高温固相扩散方法首次合成了由Eu^3 离子激活的ZnB6O12红色光致发光材料,用XRD分析了样品结构,结果表明:Zn4B6O13:Eu^3 为立方晶系,晶胞参数α=0.7471nm,V=0.4170nm^3,研究了Eu3 在Zn4B6O13中的强激发带位于394nm,主要发射峰位于610nm归属Eu^3 离子的5D0→7F2电偶极跃迁发射,根据发射光谱计算色坐标为x=0.281,y=0.619,SEM摄取了样品的清晰晶体外貌,平均颗粒度为15um左右,加入一定量助溶剂使发射光谱的相对发射强度增加了2.32-3.86倍。  相似文献   

18.
为制得LED用红色荧光粉,以Na2MoO4溶液为沉淀剂,采用共沉淀法制得前躯体,在马弗炉中经900℃灼烧2h,Pr3+的掺杂浓度为2at%时,成功地合成BaSrMoO4:Pr3+粉体。并对样品分别进行了x射线衍射分析、扫描电镜测试和荧光光谱等测定。该荧光粉可被400~500nm的蓝光范围有效激发,红色荧光粉的激发峰位于451nm,发射光谱在647nm处较强的发射峰,与Pr3+的3P0→3F2跃迁对应。  相似文献   

19.
利用高温固相法合成了Ca9Gd2W4O24:Eu3+和Sr9Gd2W4O24:Eu3+两个系列四钨酸盐体系以及Ca3La2W2O12:Eu3+二钨酸盐体系荧光粉,对比其荧光性能,结果发现此三种多钨酸盐荧光粉在395nm的近紫外和460nm的蓝光区都有较高的激发强度,与现有商业化近紫外光、蓝光LED芯片的发射光谱吻合,可以被这两种LED芯片有效激发,发射色纯度较高的红光,是潜在的紫光和蓝光转换型白光LED用红色荧光粉.Eu3+离子在Ca9Gd2W4O24和Sr9Gd2W4O24两个四钨酸盐体系中没有浓度猝灭效应,而在Ca3La2W2O12二钨酸盐体系中的最佳掺杂浓度为40%.以其中性能优良的Ca9Eu2W4O24、Sr9Eu2W4O24和Ca3La1.2Eu0.8W2O12结合400nm发射的紫光InGaN芯片以及460nm发射的蓝光InGaN芯片制备LED器件,探讨稀土多钨酸盐红色荧光粉在白光LED中实际应用存在的优点和局限性.  相似文献   

20.
采用高温固相法合成了绿色荧光粉Zn2Ca(PO4)2:Tb3+,测定了该荧光粉的XRD图谱、激发光谱及发射光谱。XRD图谱表明在高温还原气氛下合成了纯相的荧光粉Zn2Ca(PO4)2:Tb3+。该荧光粉的激发谱位于340~400nm。在紫外激发下主要发射峰位于490、544、584、622nm,对应于Tb3+的5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3的特征发射。考察了Tb3+的掺杂浓度对样品发光效率的影响,分析了Tb3+的544nm发射的自身浓度猝灭机理并探讨了敏化剂Ce3+离子的加入对荧光粉发光的影响。此绿色荧光粉Zn2Ca(PO4)2:Tb3+是一种很有潜力的适于UVLED管芯激发的发光粉。  相似文献   

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