从电子、家用电器元器件到基本电路(十六)

五、晶体三极管 1.基本概念晶体三极管是一种具有两个PN结的半导体器件,它又可分为NPN型和PNP型两大类。每一类都分成基区、发射区和集电区,分别引出基极(b)、发射极(e)和集电极(c)。每一类都有两个PN结,基区和发射区之间的结称为发射结,基区和集电区之间的结称为集电结,其结构示意图和表示符号分别如图125和图126所示。国产硅管(如3D系列)多为NPN型,锗管     

MP3/MP4播放器常用三极管及场效应管介绍(上)

一、三极管1.三极管的概念、图形符号、标识及分类半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它的最主要功能是电流放大和开关作用。顾名思义,三极管具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极称为三极管的基极(用字母b表示),其他的两个电极称为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。根据组合方式的不同,形成NPN型三极管和PNP型三极管。这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分为:单栅、双栅场效应管。一、结型场效应管1.结型场效应管的结构原理、类型及符号结型场效应管的内部结构如图1所示。在N型半导体两侧是两个高掺杂的P型区,从而构成了两个PN结(又称耗尽层),在两个耗尽层的中间形成一条导电沟道。两侧P型区相连接,引出一个称为栅极(G)的控制极;在N型半导体上下两端分别图2两种结型场效应管的符号图3常见结型管的外形和管脚排列引出漏极(D)和源极(S)。它与普通三极管相比较…     

晶体管复合运用应注意的两个问题

在电子维修和电子制作中,有时需要将两只或三只晶体管复合成为一只高β值的等效晶体管使用。本文简要谈一谈晶体三极管复合运用时两个应注意的问题,参看图1、2、3。复合三极管VT由两只三极管VT1和VT2复合而成,现假定VT1、VT2均为硅半导体三极管,假定VT1、VT2的b、e结导通电压为0.7V,假定c、e饱和导通时的饱和压降V_(ces)均为0.5V(实际上,V_(ces)在0.3     

答读者问

1、我在家电维修中经常检查出晶体三极管损坏，有时是be结或cb结开断，阻值无穷大，但有的却是PN结短路无阻值，不知什么原因造成晶体管损坏有截然不同的表现?     

几种经典的实用电路

1.温敏晶闸管温度报警电路温敏晶闸管又叫晶闸管温度开关器,它是一种PNPN结,是由三个PN结串联而成的三端半导体器件.它有三个电极,即阳极、阴极和门极,电路图形符号如图1(a)、(b)所示.文字符号用VST表示.温敏晶闸管的结构特性与普通晶闸管(VS)基本相同.只是VST用"离子注入法"使其结构对温度极为敏感,使得器件...     

半导体三极管的基本电路、特性曲线和参数

关于半导体材料的电特性、PN 结的作用和半导体三极管的放大原理已在本刊第七、八期中作了介绍。半导体三极管总是要接到电路中去,才能发挥作用,这时在三极管的三个极     

DT系列带阻三极管的命名规律与代换

带阻三极管的结构如图1所示,三极管的内部串联～只电阻R1在b极上,并且b—e结上又并联一只电阻R2。有了R1、R2,可以省去电路的匹配电阻,从而简化电路,降低生产成本,因此带阻三极管近年来在彩电、碟机、功放等电器中应用日益广泛。熟悉其内部结构,了解其命名规律,有利于维修中的变通代换。本文介绍ROHM（罗姆）公司的DT系列带阻三极管的命名规律。     

基础——从电子、家用电器元器件到基本电路(十)

四、晶体二极管 1.基本概念晶体二极管是用半导体材料制成的,因此也称半导体二极管。常用的半导体材料就有锗和硅两种。各种晶体二极管都是利用硅或锗的“P型”(“空穴”是主要载流子)半导体材料和“N型”(“电子”是主要载流子)半导体材料制成的。在“P型”半导体和“N型”半导体相结合的地方,形成一个叫做“PN结”的特殊薄层(见图73所示)。“PN结”的最基本的特性就是它对电     

判断彩电行输出管好坏的经验

彩电上使用的行输出管大部分是由一只大功率管和一只阻尼二极管及一只电阻组合而成,其中阻尼二极管跨接在大功率三极管的c、e极而电阻跨接在三极管的b、e结,如图1所示。所以用传统的方法,即测各结正反向电阻的方法判断其好坏就不灵了。如b、e结正常时其正反向电阻都很小,它常被人误判为击穿,使维修人员走了很多     

什么是PN结? 有何特性?

用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起后,在它们交界面上所形成的特殊带电薄层,称做PN结,如图1所示。由图可知,PN结在P型材料(称为P区)一侧带负电,在N型材料(称为N区)一侧带正电,形成一个内电场。该电场的方向由N区指向P区。     

紫外光源

紫外光发射元件【专利】／三菱电线／／CN1586015A。直接在晶体基片（B）或在晶体基片（B）上的缓冲层上形成包含GaN系晶体屋的发射区的层压结构（S）。发射区具有多个量子势阱结构。这虚张声势势阱层由可以发射紫外光的InGaN制成。势阱层的层数为2至20，并且阻挡层的厚度为7至30nm。因此，通过由InGaN制成的发射层，实现了高输出能量的紫外光辐射。     

具有可控基区底面空穴注入的新型二极管结构

本文提出了一种3.3kV可控基区底面空穴注入的新型二极管结构,简称CIBH(ControlledInjectionofBacksideHoles)二极管。新二极管结构的特点是在阴极侧埋入浮置p层。这些p掺杂区在nn 结形成强电场,避免在nn 结产生雪崩。与无p层相同结构的二极管相比,CIBH二极管显著改善了动态皮实性以及小电流密度下的软反向恢复特性。仿真和首次试制结果显示这一新二极管概念是可以实现的。     

几款光电池控制电路

光电池,又叫太阳能电池,它是一种把光能直接转换成电能的半导体器件。当光线照射到光电池上时,它能产生一定的电动势。实际上,光电池是一个大面积的PN结。在PN结两边引出两条电极引线(正极和负极),在光线的照射下,用万用表的直流电压档就可测量出光电池的空载电压值。光电池的用途颇多,这里列举数例经典电路以飨读者。一、光电池——锗管电路光电池的电路图形符号如图1(a)所示。文字符号为BP。常见的光电池外形如图1(b)所示。光电池是功率输出型器件,使用时可直接取其电压或电流输出信号,用于锗晶体管的基极,如图1(c)所示。因锗管发射结…     

外延生长单晶FeRh/MgO/PMN-PT异质结与电场调控磁性能

引入MgO薄膜作为缓冲层,采用磁控溅射镀膜方法在(001)取向[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.7—x[PbTiO3]0.3(PMN-PT)单晶铁电衬底上外延生长单晶FeRh二元合金薄膜,从而获得单晶FeRh/MgO/PMN-PT多层膜异质结.利用XRD进行物相分析和结构表征,表明MgO缓冲层的插入促使单晶FeR...     

从电子、家用电器元器件到基本电路(十八)

5.晶体三极管放大器的偏置电路(直流工作点) 众所周知,放大器的基本任务就是将信号不失真地进行放大,要使信号不产生失真,必须选择合适的工作区域,使晶体三极管必须工作在特性曲线的放大区内(在截止区或饱和区内都要给信号造成非线性失真,甚至根本没有放大作用),并满足下列两个条件:一是发射结要处于正向偏置(对NPN型管,要求Vb>Ve,即b极电位高于e极;对PNP型管,要求Vb相似文献   

采用缓冲层结构的软恢复二极管研究

介绍了一种采用缓冲基区结构的快速软恢复二极管。二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N^-与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区)两部分组成。实验结果表明，该二极管不仅具有传统PIN二极管的高电压、低压降特性，而且反向恢复软度因子提高到了1．0左右，大约是传统的电子辐照PIN二极管的3倍。     

光电耦合器在继电保护中的应用

光电耦合器由发光元件(一般为红外发光二极管)和受光元件(光敏三极管)组装在同一管壳内构成(图一a)。光敏三极管有三种不同形式,分别如图一a、b、c所示: a)无基极引出端——用于检测光的有无,     

SiC和Si混合PiN/Schottky二极管的模拟和设计

介绍一种具有肖特基正向持性和PN结反向特性的新型整流器－混合PiN/Schottky二级管（MPS0，它速度快，击穿电压高，漏电流小，正向压降低，适合功率系统使用。理论分析了该器件的正向导通，反向阻断和击穿特性。主要考虑4H SiC，模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚,肖特基接触和PN结网格宽度，PN结深度和掺杂浓度等主要的结构参数。     

显示器中场效应管工作特点与检测方法

场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN结在反向偏置下所产生的耗尽区,绝缘栅型则利用栅极电压产生的感应电荷来改变导电沟道的宽窄,从而控制多数载流子在沟道中的漂移运动所产生的漏极电流。所以它属于电压控制类型的器件。从工作性能的角度来看,场