光伏型HgCdTe探测器近室温特性的研究

文章介绍了光伏型碲镉汞探测器在干冰温度的特性。给出了理论估算和实际测量的结果。进行了探测器和半导体致冷器的互连试验。笔者认为以半导体致冷器致冷的碲镉汞探测器用于10.6μm CO_2激光通讯是可行的。     

半导体致冷器与探测器杜瓦瓶钎焊的实验研究

本文论述了四级微型半导体致冷器与红外探测器金属杜瓦瓶的钎焊方法。实验证明:预先在致冷器底面和杜瓦瓶底座挂上钎料,采用钎剂和保护气体加热钎焊,可降低加热温度,提高钎焊质量;采用快速冷却可大大减小由于长时间热滞所导致致冷器性能的下降,从而为半导体致冷的红外探测器提供了最佳的组装方法和实验参考。     

大功率半导体激光器阵列

综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构、封装技术、散热致冷技术以及发展现状;给出了当前大功率半导体激光器的研究发展方向。     

利用L4970A实现的某半导体致冷装置电源

针对半导体致冷装置中对电源要求的特殊性 ,文章介绍了一种利用新型 10A电流输出的PWM式开关电源芯片L4 970A实现的半导体致冷装置的电源系统 ,并给出了其详细的工作原理、具体电路、调试安装和注意事项等     

GJ331型1.5μm InGaAsP/InP激光器

GJ331—B型实用化封装1.5μm InGaAsP/InP激光器系电子部44所85年6月鉴定的科研成果项目之一。该产品是我所自行设计并研制的一种长波长激光器新产品。该产品采用了激光器与半导体致冷器、热敏电阻、PIN光电探测器组件封装的光纤耦合结构。该产品性能稳定可靠,结构紧凑,功能齐全,使用方便等优点。它主要用于中长距离,大中容量的光纤通信系统。     

半导体致冷温度控制器

介绍了一种半导体致冷器件的致冷温度控制方法，包括温度控制原理及控制与检测电路等。该控制器采用连续式控制方式，实际控温精度可优于±０．０８℃，并具有冷却温度预设置，上下限取警等功能。     

半导体工艺中基片的冷却方法

本文首先叙述冷却基片的各种方法。然后介绍LK—2型离子束蚀刻机所采用的半导体致冷器冷却基片的方法。在典型的工作条件下,对半导体致冷器冷却效果进行了测量,根据基片的温升曲线、表明采用半导体致冷器冷却基片是一个有效方法。     

半导体致冷复合相变硅镜光照热有限元模拟

为克服高能激光用相变致冷镜两次出光时间间隔长的缺点,设计了一种新型半导体致冷复合相变硅镜,并采用ANSYS有限元程序模拟了实心硅镜、相变镜和半导体致冷镜的光照热行为.由最大温度-时间曲线可知,在净吸收热量为100W、环境温度为0℃,制冷量为5W时,半导体致冷复合相变硅镜只需5s就可使镜体的温度和弹性变形恢复至初始状态.     

半导体致冷功率放大系统

一、问题的提出 目前声频功率放大器有两个趋势:①专业功放的输出功率越来越大。大型场馆动辄配置数以千瓦计的音箱。②Hi Fi功放追求完美的音质,除尽可能增加功率储备外,不少人主张回到甲类状态。以上两种趋势均使功率管的承受能力及散热问题变得严峻起来。为了改善功率管的工作条件,把它置于致冷槽中显然是可取的。只须把功率管的工作温度控制在室温附近,即可大大地改善其各项实用指标,包括噪声系数及稳定性。进一步降温还可望提高功率管的Pcm。对于工作在甲乙类的功放,Pcm每提高一倍,输出能力可提高五倍。 致冷放大本来不是新问题,但由于元器件的关系,大功率管致冷的应用一直受到限制。近年来由于半导体致冷器件的发展,对大功率管实行半导体电致冷,理应提到议事日程上来。 我们把电致冷功放分成二类:①强迫致冷——即直     

双应力交叉步进加速退化试验下大功率半导体激光器寿命预测方法

高可靠性已成为大功率半导体激光器实用化的重要指标之一，而寿命预测是大功率半导体激光器可靠性评估的首要环节。文中提出了一种双应力交叉步进加速退化的试验方法，对830 nm F-mount封装的大功率半导体激光器进行了四种不同的双应力条件A[22℃，1.4 A],B[42℃，1.4 A],C[42℃，1.8 A],D[62℃，1.8 A]下的电流-温度交叉步进加速退化试验研究，对光输出功率退化轨迹进行拟合，按照80%功率退化作为失效判据，结合修正后的艾琳模型和威布尔分布外推得到器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF)为5 811 h。文中给出了完整的加速退化模型建立过程与详细的外推寿命计算方法，并对模型进行了准确性检验，误差不超过10%。该方法相比单应力恒定加速试验方法，可以大幅度节约试验时间和试验成本，这对于大功率半导体激光器的自主研制具有重要的指导意义。     

复杂环境下半导体致冷器的动态模型及温度控制

半导体致冷器在环境温度变化大,热传导不稳定,温度调节时间要求快等恶劣条件下工作时具有复杂的热电．特性,基于小信号线性化方法得出了半导体致冷器在复杂环境下的线性动态模型,推导结果表明该模型有两个极点和一个零点,并且模型随工作条件的变化而变化．基于平均意义上的动态模型,采用模糊自适应PID控制算法和脉宽调制技术设计了半导体致冷器冷端的温度控制系统．阶跃反应表明该温度控制系统具有良好的动态性能和稳态品质,并具有良好的抗干扰特性,制冷10％的时间约为70s,稳态误差非常小,达到0．1℃．在简单环境下工作．其温度控制效果优于0．1℃．实验亦表明该温度控制系统在常温环境下,最大制冷温度与环境温度之差达到23℃,且随着控制温度的降低,阶跃反应的时间也越来越长,主要是和半导体致冷器的制冷效率、热沉的散热功率和半导体致冷器的供电电流饱和有关．     

温差电致冷光伏型HgCdTe探测器组件的研制

已研制成用六级半导体致冷器致冷的10.6μm光伏型HgCdTe探测器组件,组件的黑体探测率D~*(500,1000,1)可达3×10~7cm Hz~(1/2)W~(-1)。将组件用于10.6μmCO_2激光大气通信机,进行通信实验,取得了较好的结果。     

用于冷却红外探测器的两级固体致冷器的研制与轨道运行

这里介绍用于星载红外辐射计的两级固体致冷器的研制与轨道运行。主要致冷剂是甲烷(CH_4),它将聚焦光学系统和探测器维持在64K。而第二级致冷剂是氨(NH_3),它将会聚光学系统的一些部分冷却到152K,并对CH_4提供绝热保护。致冷器和一个独特的收缩装置互连,允许放入探测器组件与致冷系统,而无须和致冷器进行光学和电学互连。该系统在雨云F号飞船上于1975年6月射入轨道,为上述辐射计提供了6个月的致冷温度,温度变化约1K。     

半导体激光器的高精度温控仪

温度对半导体激光器的特性有很大的影响.在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度的控制。本文利用高信噪比的运算放大器和普通的负温度系数温度传感器及半导体致冷器做控温元件,研制了一种用于半导体激光器温度控制的高精度温控仪,控制精度可达±0.05℃.     

一种大功率半导体激光器恒温控制系统的设计

介绍了利用高效、大功率H桥驱动集成块DRV592作为热电致冷器的驱动器构成大功率激光二极管恒温致冷系统的方法.该系统温度探测器利用软件实现负温度系数的热敏电阻的非线性校正(在线参数自整定模糊PID控制方法).核心控制器采用MCS-52单片机来实现对系统的精确控制,对电流的控制精度达到毫安级,温度的控制精度可达±0.1℃.     

干涉法测量半导体激光器波长

本文给出了一种用于测量低功率半导体激光器波长的新方法,测量精度可小于0.2nm。用此方法对GaAlAs半导体激光器的发射波长和模特性进行了测试和分析,得到了GaAlAs半导体激光器波长随工作电流和温度的变化关系。     

玻璃半导体的电导和开关作用

研究了 As-Te、As-Te-Ga 和 As-Te-Ga-Ge—Si 硫族化合物玻璃半导体的电导率、热激发电流、光电导率和开关效应。发现,电导率σ可由σ=σ_0exp(△E/kT)表示;在300°K～500°K 的温度范围内随着组分的变化,电导率激活能△E 从0.12电子伏变到0.47电子伏。在开关实验中呈现出记忆效应的样品,其电导率与温度的关系曲线呈现记忆效应;在 T=500°K 时的高电导率状态直至室温都保持不变。热淬火给出室温下初始的低电导率。从热激发电流的测量中,发现陷阱中心的能级大约是0.18电子伏和0.23电子伏。在室温下进行了薄样品和厚样品的开关实验。     

大功率半导体激光器贴片层空洞热效应影响

随着输出功率、转换效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低,大功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。大部分商业化销售的半导体激光器阵列/巴条是用铟作为焊料封装的。然而,在半导体激光器封装过程中不可避免地会在贴片层形成一些小空洞,这些小空洞在铟的电迁移和电热迁移作用下逐渐变大,这将导致芯片贴片层形成大量的空洞,造成芯片局部温度迅速上升。针对808 nm连续波40 W传导制冷单巴条半导体激光器阵列,系统地分析了半导体激光器贴片层空洞对发光点温度的影响以及贴片层内不同位置不同尺寸的空洞对发光点温升的影响,得到了发光点温升与空洞尺寸间的关系曲线。提出了利用空洞与发光点温度的关系及空间光谱来估算贴片层的空洞分布的方法,并将估算结果与实验测得的贴片层扫描声学显微图像进行了对比。     

温差电致冷红外探测器的设计准则

在中等致冷温度(190～270K)下工作的红外探测器正在夜视、机载跟踪系统、舰载跟踪器和夜间观测装置上得到越来越多的应用。硫化铅、硒化铅、光电导碲镉汞和光伏碲镉汞单元探测器及阵列很适用于这些系统,而温差电致冷器则是产生这些探测器所需工作温度的一种常规方法。致冷器、封装和探测器的最新进展,已使整个工艺达到了高可靠性、长真空寿命和较高探测器灵敏度的水平。本文所述的一些选择方案和折衷方案有利于系统设计者使用温差电致冷的红外探测器。     

户外型程控交换机专用半导体空调器

本文介绍的户外型程控交换机能像电力变压器一样安装在室外，省掉了价格高昂的空调房间，这无疑给许多地区特别是贫困地区的通信事业的发展带来了福音。户外型程控交换机之所以能不怕酷暑和严寒，除了在结构上与普通型稍有不同之外，还因为在柜机内装了一套特别的装置——半导体空调器。半导体空调器是以半导体致冷器作为核心致冷源并配置以适当的散热器，吸热器，风机等元器件所构成的。由于元件的体积小，重量轻，因而适用于大小不同的各种交换机。以目前已经批量生产的MCH－482型户外型程控交换机采用半导体空调器为例，其主要技术参数…