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红外热像法无损分析硅片直接键合界面的键合强度 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了用红外热像无损检测SDB界面空洞和定量检测界面键合强度的方法,并与破坏性粒拉力实验和喷砂造型法对照,证明了该方法的可行性。 相似文献
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描述了低温硅片直接键合(LTSDB)的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微(HREM)和表面电离质谱分析(SIMS)的方法对键合界面特性进行了研究。用HREM图象了诸如位错和SiO2的随机分布等界面结构,SIMS结果表明了靠近键合界面的分布情况和Si-H原子团的其他特性,提出了一种新的两步LTSDB机理。 相似文献
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键合强度是关系到键合好坏的一个重要参数。本文介绍了键合强度测试方法的理论基础;随后列举了几种常见的测量方法,包括裂纹传播扩散法、静态流体油压法、四点弯曲分层法、MC测试方法、直拉法及非破坏性测试方法(超声波测试法和颗粒法)。分析了各种方法的优缺点:裂纹传播扩散法操作简单,但它受测量环境、如何插入刀片等因素的影响,而且只适合于较弱的键合强度测试;对于较强的键合强度还是采用直拉法来测量,但它受到拉力手柄粘合剂的限制;对于器件中的键合强度测量采用MC测试方法更为适宜;超声波测试法现在只适用于弱键合强度。本文能对键合强度测量方法的开发、改进工作有所帮助。 相似文献
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本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。 相似文献
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本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n~+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5μs。 相似文献
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本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究,根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实,提出了键盒介面的吸杂试验,分析了其吸杂效应的机理,给出了吸杂方程。理论计算和实验结果得到了较好的吻合。 相似文献
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适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术 总被引:1,自引:0,他引:1
采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VDMOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。 相似文献
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在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进行了验证.杂质通过SiO2再向Si中扩散的杂质总量与Si-Si扩散相比大大减少,使所形成的p-n+结的结深减小. 相似文献
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在Si-Si直接键合过程中,界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2.Si对SiO2中的杂质的抽取效应,导致了杂质在界面处的浓度大大降低,根据改进了的杂质在Si-Si直接键合片中分布模型,推导出了杂质分布的表达式,在理论上和实验上都对该式进行了验证.杂质通过SiO2再向Si中扩散的杂质总量与Si-Si扩散相比大大减少,使所形成的p-n 结的结深减小. 相似文献
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无压力辅助硅/玻璃激光局部键合 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法. 相似文献
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无压力辅助硅/玻璃激光局部键合 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法. 相似文献
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