红外电荷耦合器件

电荷耦合的概念简单而又极其实用,是以电荷包在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中的转移为基础的。将简单的电荷耦合器件(CCD)与各种模拟形式结合起来,可以发展成多样化的器件,在红外探测和成象方面,采用电荷耦合器件及其有关的器件,最初引入大面积的探测器阵列是显著改进灵敏度和分辨率的关键。此外,通过这种改进,可以降低电、热损耗,减小体积和重量等。本文评述红外敏感的电荷耦合器件(即IRCCD)的物理特性及工作原理。IRCCD可分为单片器件和混合器件两大类。单片器件的红外敏感衬底可以是窄带半导体,也可以是有适宜杂质电离能级的非本征半导体;混合器件则由选取的各种红外探测器耦合硅标准CCD而     

红外电荷耦合器件系统

一、引言热成象系统采用电荷耦合器件(CCD)后,预计可部分或全部地在以下方面得到改进: 1.采用集成电路工艺而降低了成本。 2.由于简化或完全不使用机械扫描、所用分立电子元件较少和探测器的封装得到简化,因而减小了体积和重量。     

背照式电荷耦合器件的研制

简要介绍了背照电荷耦合器件的工作原理、潜在优势和应用领域.设计了对常规电荷耦合器件芯片进行衬底减薄进而实现背照电荷耦合器件的技术方案.给出了相关的设计方法和工艺流程并对关键工艺技术进行了探讨.对所制成的背照电荷耦合器件组件的性能进行了分析和讨论.结果表明所提出并采用的技术方案是可行的.     

红外电荷耦合器件(IRCCD)

本文介绍IRCCD的基本种类,叙述其结构形式、制作材料、目前存在的问题及改进措施。并评述其各方面及各种器件的发展前景,给出了典型器件、某些常见窄带半导体材料、非本征硅红外材料和肖脱基势垒的主要性能参数表和国外正在研制的某些军用器件的一些参数。     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件的研制技术

本文仅对硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)的结构、工艺及提高性能的途径作一综合描述。     

电荷耦合器件

一、引言 电荷耦合器件简称 CCD。首次发表于1970年3月,发明人是美国贝尔电话实验室的 W.S.Boyle 和 G.E.Smith。CCD 的出现是70年代电子学的一项重大进展,其工作原理和概念完全不同于过去建立在电压和电流调制理论上的所有有源器件。因此,有人认为它是电子学的第五代,即属于“分子电子学”领域的功能器件。正因为如此,它一出现就引起世界各主要国家电子科学界的普遍重视,短短几年内 CCD 便从实验室阶段进入了定型生产,并在具体应用中得到了突飞猛进的发展。用途主要有三个方面:成象、存储、模拟信号处理。由于     

电子轰击电荷耦合器件的研制

作者采用多碱光电阴极、静电聚焦的电子透镜系统、背照CCD、高密度引脚的玻封结构以及超高真空处理技术,成功研制出了具有实时电子成像功能的电子轰击电荷耦合器件(Electron Bombarded Charge-CoupledDevice,简称EBCCD)。该器件的主要结构和性能参数为:有效光阴极直径18 mm、光谱响应范围400~850nm、光电阴极灵敏度200μA/lm、CCD像素数512×512、暗信号不均匀性18%。图1为该EBCCD样管实物照片,图2为该样管所输出的图像。图1制成的EBCCD样管的实物照片图2 EBCCD的输出图像电子轰击电荷耦合器件是一种对微弱光信号敏感的成像型…     

电荷耦合红外成象用PbS MIS器件

PbS MIS器件的实验研究结果说明研制单片两维红外电荷耦合成象器件(CCID)是可能的。这种电荷耦合成象器件可在77K工作,并具有直到3.5微米左右的中等成象灵敏度。测量了用热分解SiO_2。绝缘介质制备的MIS电容器,证明PbS表面电势可随通过反转累积起来的偏压而变化。界面态密度为～1×10~(12)厘米~(-2)电子伏~(-1),在77K时的存储时间为2秒左右。计算说明有效电荷转移必须在外加零电平电荷(即“肥零”工作)时才可达到,而成象灵敏度也许将受可达到的均匀度控制。     

用红外电荷耦合器件改善导引头设计

本文探讨利用红外电荷耦合器件改进空—空红外导引头的性能的可能性,并给出了设计有关探测器尺寸、积分时间、灵敏度和光学分辨的扫描传感器的折衷方案。     

红外电荷耦合器件研制中抗反射保护膜应用的探讨

本文介绍二氧化硅(SiO_2)、一氧化硅(SiO)、硫化锌(ZnS)等抗反射保护膜在红外电荷耦合器件(IRCCD)研制中的应用情况.     

使用红外夜视电荷耦合器件的相机

美国专利US7319226 (2008年1月15日授权)本发明提供一种红外夜视相机,它由外壳、光源组件、拍摄组件以及电源装置等组成。外壳内共有两个室,光源组件和拍摄组件装在第一个室内,电源装置则装在第二个室内。两个室之间有一个用于穿电源线和信号线的小孔。电源线连接光源组件和拍摄组件,以便为     

混合红外电荷耦合器件的注入效率

一、引言在直接注入的红外CCD中,光生电荷是直接引入CCD移位寄存器的。因为这实际上是个直流耦合系统,而CCD处理电荷的容量有限,所以,只有直流电很小的探测器(即光伏本征探测器)可以与CCD耦合。直接注入红外CCD的关键参数是注入效率,它的定义是引入CCD的电荷与探测器产生的总电荷之比。本文证明,注入效率与频率     

InSb电荷耦合器件和其他用于红外的MIS器件

一、器件制造已有一种工艺用于在InSb上制造多层金属-绝缘体结构,并已能制造InSb CCD、多元MIS探测器阵列、MOS场效应管和其他MIS器件。制造器件的原材料是掺碲的InSb单晶,其施主浓度为4×10~(14)/厘米~3～1×10~(15)/厘米~3。本文报导的器件均是采用标     

单片式非本征硅红外电荷耦合器件

为确保光生电荷输出在直接注入到CCD时不超过存贮容量,介绍了非本征硅红外光电导体的所需掺杂浓度、厚度和其它参数的计算。当CCD用来从非本征硅红外光电导探测器阵列读出红外信号时,每个元件产生的光生电荷可以传输到CCD和移位到探测器阵列的边     

红外电荷耦合器件计算机自动测试系统的研究

本文在国内首次提出了统计平均的方式为基础的红外电荷耦合器件计算机自动测试方案,概述了测试系统构成和测试结果分析,介绍了新型红外电荷耦合器件驱动电路的设计。     

美国红外电荷耦合成象器件的进展情况

一、引言国外红外多元器件的研制开始于六十年代初期,随着红外材料与器件的性能和工艺水平的提高,到七十年代已出现了多种多元多波段的扫描装置和红外前视装置。红外焦平面上的探测器元数已从单     

科学电荷耦合器件

1历史、操作、性能、设计、制造和理论 1.1科学电荷耦合器件的历史 1.2操作与性能 1.2.1操作 1.2.2性能函数 1.2.3性能规范 1.3结构、设计、光刻与制造 1.3.1结构 1.3.2设计与光刻 1.3.3加工与制造     

电荷耦合摄像器件

本文列举了当前国内外常见的几种CCD摄像器件,并对其结构,性能的优缺点进行了比较。叙述了改进CCD摄像器件性能的工艺和器件像素数的突出水平。介绍了CCD彩色摄像管的几种结构。