共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
光网络体系中的有源光子集成 高速响应、低啁啾、单稳频集成光子源 半导体分布反馈(DFB)激光器作为光通信的光子源器件已占据不可替代的重要地位,然而DWDM光网络对光子源却提出更高的要求。直接调制DFB激光器受到固有张弛振荡效应的限制,响应速率难以越过5Gb/s,同时在高速率下,频移啁啾效应已比较严重,因此必须采用外调制技术,从光网络体系考虑,调制器宜结构简单并能与DFB激光器实现单片集成。现在的激光器均已采用量子阱(MQW)结构,因此人们致力于发展基于MQW中量子限制Stark效应(QCSE)的电… 相似文献
2.
3.
我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源.为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构.本文从理论上分析了该新型器件的可行性,优化设计了器件结构.在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件.器件阈值电流为35mA,在—5V调制电压下消光比达5dB.静态调制过程中,激射波长与阈值没有变化. 相似文献
4.
我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源,为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构,本理论上分析了新型器件的可行性,优化设计了器件结构,在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件,器件电流为35mA。 相似文献
5.
利用MBE生长的GaAAlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相一次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器,经腔面多功能摹一器件已稳定工作4500多小时。 相似文献
6.
7.
8.
采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 相似文献
9.
10.
本文报道了采用选择区域生长(Selective area growth, SAG)方法,在 SiO2作掩膜的 InP衬底上选择生长出高质量的 InGaAsP-MQW,并成功地制作出波长调谐范围达 6.5 nm的可调谐 DBR激光器和性能可靠的电吸收调制DFB激光器.SAG成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了DFB激光器与电吸收调制器的单片集成 (electroabsorption modulated DFB Laser, EML).我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破. 采用 … 相似文献
11.
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后的发射模块阈值电流约为20~30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mW,在3V的反向调制电压下消光比约为17dB.我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输实验.经过240km普通单模光纤传输后,在误码率为10-10的情况下功率代价小于0.5dB. 相似文献
12.
13.
我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAlAs/GaAs量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器,激光器在室温下的激射波长为860nm,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW。器件在至少0-80℃的范围内始终保持单纵模激射,作为初步结果,条宽为5-6μm的氧化物条件形结构器件的脉冲工作阈值电流约为700mA。 相似文献
14.
15.
人类社会的信息化建设正在加速进行,即使是在全球经济发展不景气的情况下,通信和信息行业也十分红火。光通信呈现着蓬勃发展的新局面,正朝着高速、超高速光纤传输、超大容量的WDM、OTDM以及全光网等方向发展。但这些系统的实现还依赖于相应的光电子技术的进步。一系列的光电子器件将在未来的通信网中起着重要的作用,因而各国从事光电子器件的研究者都在奋力开发各种高性能器件,研究其材料及工艺,并取得了丰硕成果。1.DFB激光器/EA调制器集成光源DFB激光器/EA调制器集成光源具有低啁啾、低驱动电压(Vpp:2~3v,LiNbO3调制器的Vpp:4~5v)、低功耗、容易与激光器或其它波导器件集成、耦合损耗低、调制效率高、且体积小(一般长0.2cm左右,而LiNbO3调制器长8cm)等优点,特别是含有增益耦合的DFB激光器因为具有动态单模和调制啁啾小等特性,有助于减小集成器件线宽,而且它还具有较强的抗端面反射能力,从而减小因端面反射引起的啁啾,改善集成器件的啁啾特性等。该光源现已广泛用于2.5Gbit/s、10Gbit/s等高速传输系统,其中2.5Gbit/sDFB激光器/EA调制器集成器件已成为干线光纤通信系统的主要光源。10... 相似文献
16.
17.
18.
19.
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准14脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为20 ̄30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mV,在3V的反向调制民压下消光比约为17dB。我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输 相似文献