第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs HEMT     

第七届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞忠钰出席了大会,并就我国电于工业的发展作了重要讲话。会议录用论文176篇,其中特邀报告8篇,在大会上宣读了4篇。它们是:国家自然科学基金委员会许振嘉研究员的“金属-砷化镓研究”;北京大学秦国刚教授的“发可见光的多孔硅”;北京电子管厂苏里曼高级工程师的“InP异质结晶体管”和河北半导体研究所所长毕克允的“集中力量发展我国的砷化镓技术”。     

1988年国际固体器件和材料会议简况

<正> 1988年国际固体器件和材料会议于8月24日至26日在日本东京市举行。来自16个国家和地区的755名代表参加了会议,共宣读论文175篇。我国派出5名代表,发表了3篇论文(北京师范大学,东南大学,南京电子器件研究所各1篇)。这次会议内容涉及面非常广泛,包括了当今世界上正在研究的许多重要课题,主要内容有:MOS器件和技术,功率器件,硅工艺技术,金属化,高速器件,栅绝缘和热电子,SOI,硅异质结构,Ⅲ—Ⅴ族特性和工艺技术,光电器件,化合物半导体生长等。会议举行了四个专题报告会:高温超导薄膜性能和应用,原子尺寸器件结构和材料性能,高级硅器件工艺和性能,高级Ⅲ-Ⅴ族器件物理和性能。会议还举行了题为“高速器件低温工作”的自由讨论会,讨论气氛非常热烈,表示高速器件的低温     

第三届全国半导体化合物、微波和光电器件学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1984年12月4日至8日在四川省永川市举行第三届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自39个单位、共127名.会上宣读的论文共150篇,其中大会报告8篇,有关化合物半导体材料的论文63篇,微波器件方面的25篇,光电器件方面的42篇,其它通用工艺的论文12篇.     

Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展

低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料包括量子阱、量子线、量子点的制备技术的进展 ,展望了这些技术在光电子器件等方面的应用前景。     

1983年全国砷化镓和有关化合物学术交流会在上海召开

<正> 由中国金属学会半导体材料专业委员会和上海市金属学会负责筹备的1983年全国砷化镓及有关化合物学术交流会于 1983年11月21日至25日在上海召开.参加会议的代表除来自国内53个单位的127名外,还邀请了4名国外学者. 会议收到论文报告135篇,会上宣读119篇,其中包括英文宣读的大会报告15篇.这些论文反映了我国在Ⅲ-Ⅴ族化合物方面科研工作的进展.     

全国化合物半导体和微波光电器件学术年会在泉州召开

中国电子学会电子材料学会和半导体与集成技术学会于1986年12月13日～18日在福建省泉州市召开了“第四届全国化合物半导体和微波光电器件学术年会。来自全国46个单位,160名代表出席了会议 年会期间宣读论文101篇,大会报告7篇论文,按材料工艺、材料特性、微波器件和光电器件四个专业组进行交流。     

半导体超晶格材料和光电子器件的研究和发展

半导体超晶格材料和以这些材料为基础的光电子器件是半导体科学和技术的一个新生长点。 超晶格材料是新一代半导体材料,它为新一代光电子器件奠定了基础。而这些新一代光电子器件正是廿一世纪光电子产业的核心。 半导体超晶格材料的研究和发展,把半导体光电子器件的研究和发展推进到一个崭新的阶段。可以预言,正如廿世纪是电子产业的时代一样,廿一世纪必定是光电子产业的时代。     

全国化合物半导体、微波器和光电器件学术会议成功举行

第十一届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议于2000年10月31日至11月4日在海南省海口市召开。来自全国科研院所、大专院校和工矿企业公司等39个单位共140多名专家、学者和企业家参加了本次学术交流会议。这次会议共发表了121篇论文,内容涵盖材料生长与测试、高速电子与微波器件、光电器件与测试、其它等四部分。会议的精彩报告全面、充分地反映了当前国内外化合物半导体、微波器件与光电器件领域的欣欣向荣景象,受到了与会代表的热烈欢迎。与此同时,参加这次会议的专家、学者和企业家共聚一堂,对化合物半导体、微波器件与光…     

第二届全国化合物半导体及微波光电器件学术年会即将在昆明召开

<正>继1979年南京第一次“全国化合物半导体及微波光电器件学术年会”后,“第二届全国化合物半导体及微波光电器件学术年会”论文征集及评审工作业已结束,并定于今年第四季度在昆明召开.这次学术年会是由中国电子学会半导体及集成电路和半导体材料两个分会共同主持并委托河北半导体研究所、中国科学院半导体研究所、电子工业部电子材料研究所三个单位负责筹办的.会议共收到一百三十多篇论文,由全国八个单位共十一人组成的评选小组,从全部论文中选出大约一百篇,准备分成材料、微波器件和光电器件三个小组进行宣读.此外,还有几篇特邀报告将在大会上宣讲.     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础,如果将经们集成在一个芯片上,信息传输速度,存储和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现有的集成电路是采用硅材料,而发光器件用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟,因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件成为发展光电     

第一届全国MBE学术会议概况

<正> 由中国科学院半导体所和长春物理所共同承办的全国第一届分子束外延(MBE)学术会议于1991年8月21日至24日在吉林省安图县召开。来自全国各科研单位、高等院校和工厂的代表约80人参加了会议,中国电子学会电子材料学会主任委员宋秉治也出席了这次会议。会议组织委员会主席、半导体所孔梅影研究员作了题为“中国分子束外延技术的发展”的报告。会上共发表了大会报告14篇、小会报告44篇,就MBE材料生长、性能研究、器件研制和设备的研制、改进等方面进行了充分、广泛的学术交流。国际上著名的MBE设备生产厂家之一——法国Riber公司的代表也在会上介绍了国外MBE的进展和他们的产品。     

第15届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于今年11月召开

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实     

1979年全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会

<正> 由中国电子学会半导体集成技术专业学会和电子材料专业学会主办的《全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会》于1979年12月15日至21日在南京召开. 中国电子学会半导体集成技术专业学会副主任武尔贞主持了这次会议.江苏省革委会副主任汪冰     

中科院上海微系统所研制出高性能短波红外波长扩展器件

据科学网(www.sciencetimes.com.cn)报道,中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收不利于阵列规模提高及同质pn结不利于探测性能提高的问题,凭借该所在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料与器件及分子束外延技     

超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势

作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数。这些特点决定了AlN在GaN外延、紫外光源、辐射探测器、微波毫米波器件、光电器件、电力电子器件以及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景。介绍了AlN材料在功率器件、深紫外LED、激光器、传感器以及滤波器等领域的应用现状,并对AlN材料及其应用的未来发展趋势进行了分析和展望。     

二维半导体光电性质与器件研究进展简述

二维半导体材料,如过渡金属硫族化合物,以其在光电器件方面展现出的独特性能与巨大潜力,成为后摩尔时代有极大发展前景的新半导体材料.二维材料具有独特的光电性质,如直接带隙的电子结构,谷自旋电子学特性,强激子效应等,而利用以上性质,此类材料可用于光探测器、场效应晶体管、高效微纳传感器、光电子电路等微纳光电器件中.因此,以过渡金属硫族化合物为代表的二维半导体材料无论在基础科学与未来应用方面,都是重要的备选材料.     

韩国光电子集成回路的研究

韩国光电子集成回路的研究１．引言韩国Ⅲ－Ⅴ族半导体的研究开始于７０年代中期，仅在几个大学进行。８０年代初，有较多大学、政府和工业实验室认识到这种半导体的潜力，也开始加入Ⅲ－Ⅴ族半导体器件研究的行列，包括光器件和电子器件的研究。随着光器件、电器件和光电...     

键合技术的研究进展及应用

晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制造传统外延生长技术不能制造的结构和器件.概括介绍了近年来Ⅲ-V族化合物半导体材料键合技术的最新研究进展及其在光电子器件和集成领域的应用.     

由WNi金属薄膜形成光弹波导结构的研究

平面型光电子器件具有易集成的特点,所以它一直是人们感兴趣的研究课题．光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构．自７０年代中期,人们就开始研制平面图ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体材料的光弹效应波导器件．然而由于不易控制引入半导体内的应力场分布,尤其是引入应力场分布的热稳定性差,因而这种平面型波导器件的制作技术没有得到广泛地使用．最近发现利用金属与半导体间的界面反应,或者样品在直流负偏压作用下射频溅射倔强系数大的金属薄膜于ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体表面,使金属薄膜下的半导体内形成稳定的应力…