反相微乳液方法制备氧化锡纳米粒子及其性能研究

以AOT-异辛烷反相微乳液体系制备了粒径3～6nm的单分散金红石相氧化锡纳米晶及其掺杂体系．X-射线衍射分析表明所得氧化锡纳米粒子为纯金红石构型．分别以XPD，TEM，FTIR和UV-VIS对产物进行了表征．此反相微乳液方法制备的掺杂与未掺杂氧化锡纳米体系均具有较好的分散性和较小颗粒的尺寸．此外两体系的紫外吸收光谱均出现两个分离的激子峰，铜离子掺杂引起氧化锡吸收带边的微弱红移．     

纳米氧化锡粉体的制备及性能表征

以SnCl4.5H2O为主要原料,以十六烷基铵为分散剂,NH3.H2O作为沉淀剂,利用液相沉积法成功制备出了SnO2纳米颗粒。通过透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）以及热重分析（TG）,研究了纳米氧化锡粉体的形貌、尺寸分布和结构特征。SnO2颗粒平均粒径在30nm左右,呈不规则多面体,有些近似于球形,粒径分布窄,分散性良好。通过表征发现,SnO2纳米粉体的尺寸受几种反应因素的影响。     

反相微乳液方法制备氧化锡纳米粒子及其性能研究

以AOT 异辛烷反相微乳液体系制备了粒径 3～ 6nm的单分散金红石相氧化锡纳米晶及其掺杂体系 .X 射线衍射分析表明所得氧化锡纳米粒子为纯金红石构型 .分别以XRD ,TEM ,FTIR和UV VIS对产物进行了表征 .此反相微乳液方法制备的掺杂与未掺杂氧化锡纳米体系均具有较好的分散性和较小颗粒的尺寸 .此外两体系的紫外吸收光谱均出现两个分离的激子峰 ,铜离子掺杂引起氧化锡吸收带边的微弱红移 .     

锑掺杂氧化锡半导体粉末的制备

溶胶法和凝胶法制备的锑掺杂氧化锡粉末的电阻率随热处理时间、焙烧温度和溶液中锑浓度而变化。在最佳制备条件下，用溶胶法可获是粒子大于为０．０２－０．１μｍ的高导电性微粉。导电性显著地依赖于粉末的分散度，并且根据粒界散射机理对此进行了阐述。     

电化学沉积法制备一维氧化锌的研究

采用不同条件电化学沉积法在氧化铟锡（IT O ）导电玻璃基底上自组装生长了一维ZnO阵列。利用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM ）对其结构和形貌分别进行表征。结果表明,以种晶预生长时间为40 s的样品为衬底,Zn2＋浓度为0.005 mol/L ,CTAB浓度为0.005 mol/L ,HMT浓度为0.01 mol/L ,沉积时间为10 min ,沉积电位为0.90 V条件下,能够制备出高度取向且致密的一维氧化锌阵列。     

一维钼掺杂氧化钒纳米结构的制备及表征

以V2O5作为钒源,金属钼粉作为钼源,无水乙醇为还原剂,水热法合成了不同形貌的钼掺杂氧化钒纳米结构。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和能谱(EDS)对产物进行表征,并用电化学分析仪测试其电化学特性。结果表明,反应产物为低价氧化钒,形貌为柳叶状的纳米带,宽度约为50~200 nm,长度约为1μm。研究发现,在加入0.02 g金属钼粉,0.18 g V2O5条件下,还原剂的用量不同(V(C2H5OH)=5 mL或20 mL),产物的形貌和掺杂量不同。还原剂用量高时,纳米带表面光滑且形貌均匀,分散性好,且钼掺杂含量高。掺杂钼的氧化钒纳米结构具有较好的电化学性能。     

硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征

采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究，发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状，大多为3C-SiC单晶，其［111］方向与纳米线长度方向一致,间或有折线，弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上，提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固（VLS）机制：硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L)，与碳纳米管反应(S)，生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长.     

软模板法合成具有一维纳米结构的聚苯胺

采用软膜板自组装方法,以甲基橙为软模版、过硫酸铵为氧化剂,在酸性条件下合成聚苯胺。探究了反应温度、加料顺序对聚苯胺的微观形貌与导电性能的影响。利用傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜、X射线衍射表征所得到具有一维纳米结构聚苯胺的结构与微观形貌,并且对其进行了电导率测试。实验结果表明,在低温下,先加入过硫酸铵,再加入苯胺单体,可得到长度达到6 μm、电导率达到8.67×10-1 S/cm的一维纳米结构聚苯胺。     

气相法控制生长四脚状氧化锌纳米针的研究

以H2O2陈化处理的锌粉为原料,采用化学气相沉积法通过控制载气中氧的含量、反应时间、沉积温度等参数条件,实现了四角状氧化锌纳米针的控制生长．借助于扫描电镜、X线衍射和X线能谱仪对不同实验条件下制备的样品进行形貌和结构的细致表征．实验结果表明,在高温气相反应中,锌蒸气的超饱和是控制四角氧化锌纳米结构初始形核孕育和形貌尺寸长大的关键因素．在此基础上,对氧化锌纳米结构的生长机理进行了探讨．     

利用静电纺丝技术制备一维纳米纤维材料

静电纺丝技术制备一维纳米纤维是一种有效、便捷的方法.通过高压静电装置提供静电力作为驱动力,使溶液以细流状喷射,经溶剂蒸发,在收集板上得到一维纳米纤维.溶液粘度、纺丝电压和固化距离是影响纤维性能的主要因素,因此,对纤维制备过程参数的调控及装置的改进成为静电纺丝技术研究的热点.     

Synthesis of novel SnO2 quantum cubes and their selfassembly

Nano-structured cubic SnO2 crystalines were successfully synthesized through solvothermal route.The obtained products were characterized by X-ray diffraction (XRD),transmission electron microscopy (TEM) and high resolution TEM (HRTEM).The study showed that,the SnO2 particles were rutile structured and almost uniformly cube shaped crystals in quantum size (3-8 nm).Self-assembly behavior of the cubic SnO2 quantum dots was also observed.The synthesis process can be defined as an nonhydrolysis (NH) hydroxylation reaction provided by the amide elimination of carboxylated precursors.The formation of cubic morphology of SnO2 can be ascribed to the mild reaction featured by high nucleation rate and low growth rate,surface energy difference of the crystallographic facets of SnO2 and the passivation effect of the starting material-dodecylamine which drastically reduced the dipole interation.The selfassembly of the cubic SnO2 quantum dots was driven by van der Waals force and capillary force.     

超长SnO2纳米带的制备及表征的研究

本文以锡粉为原料，采用化学气相沉积法制备了SnO2纳米带．SnO2纳米带的制备在高温加热炉中进行。加热温度为1000℃．X射线衍射（XRD）分析表明，所制备的样品为具有正方金红石结构的SnO2．扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析表明，所制备的样品为尺寸均匀一致的纳米带．选区电子衍射（SAED）结果证实所制备的SnO2纳米带为单晶．通过对其生长过程及机理分析可知，SnO2纳米带的生长是由气一固生长机制来控制的．     

掺杂(Co,Nb,Pr)的SnO2介电与压敏性质

研究了（Co,Nb,Pr)掺杂的SnO2材料介电和压敏性质。当Pr6O11的量分数从0％增加到0.1%时，SnO2压敏电阻的相对介电常数从670降到280，击穿电压从827V/mm猛增到2150V/mm。微观结构分析发现：当Pr6O11的量分数从0％增加到0.1%时，SnO2的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm。晶界势垒高度测量揭示SnO2的晶粒尺寸迅速减小是介电常数迅速减小及击穿电压急剧增高的原因。对Pr增加引起SnO2晶粒减小的根源也进行了解释。     

一维光子晶体微谐振腔性能分析

介绍了三种一维光子晶体微谐振腔的结构,并利用传输矩阵法对其性能进行了分析。研究发现,三种结构的入射波都发生了谐振,且缺陷模中心波长随缺陷介质层厚度变大而向长波长区移动,缺陷模式的带宽随缺陷介质层厚度先减小后增大,品质因子则实现增大后减小。     

弱酸性介质中介孔Sn-SiO2的合成以及形貌控制

采用原位一步合成的方法,成功地在弱酸性水溶液中合成出具有介孔结构的Sn-SiO2材料。小角X-射线衍射(XRD)的结果表明,当合成母液中Sn/Si的摩尔比为0.05时,所得样品具有高度有序的介孔结构;继续增加Sn的掺杂量会使得有序介孔的规整性下降。同时,广角XRD和紫外-可见漫反射谱的结果显示,Sn物种在介孔SiO2中以四配位骨架掺杂和六配位氧化物纳米粒子两种形式存在。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,随着Sn掺杂量的变化,样品的形貌会发生明显的改变。     

碘化铅多晶合成与单晶体生长研究

碘化铅 (PbI2 )的平均原子序数较大 ,碘化铅晶体有较宽的禁带宽度 ,作为一种新型的室温核辐射探测器材料有广泛的前景。本文对碘化铅原料的合成与晶体生长工艺进行了初步研究 ,用垂直布里奇曼法生长出了直径达 2 0mm、长约 3 0mm的完整半透明的碘化铅单晶体     

Synthesis of 3D ordered macroporous indium tin oxide using polymer colloidal crystal template

Three-dimensional (3D) ordered macroporous indium tin oxide (ITO) is pre- pared using a polymer colloidal crystal template that is formed by self-assembly of the monodisperse poly(methyl methacrylate) (PMMA) microspheres. The morphologies and BET surface area of the macroporous material is examined by scanning electron micro- scope, transmission electron microscopy and N2 adsorption/desorption. Results indicate that the macroporous material has highly ordered arrays of the uniform pores replicated from the PMMA colloidal crystal template when the polymer colloidal crystal template is removed by calcinations at 500℃. The pore diameter (about 450 nm) of macroporous ITO slightly shrank to the PMMA microspheres. The BET surface area and pore volume of the macroporous material are 389 m2·g-1 and 0.36 cm3·g-1, respectively. Moreover, the macroporous ITO, containing 5 mol% Sn and after annealing under vacuum, shows the minimum resistivity of ρ = 8.2×10-3 Ω· cm. The conductive mechanism of macroporous ITO is discussed, and it is believed that the oxygen vacancies are the major factor for excellent electrical properties.