SnO2：Pt薄膜和SnO2／SnO2：Pt双层膜气敏响应的次方因子

用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2：Pt薄膜和表面层掺杂SnO2／SnO2：Pt双层膜，测量了薄膜在不同CO体积分数下的灵敏度和电导，研究了两种薄膜对CO响应的次方因子，测定了工作温度和薄膜厚度对次方因子的影响。实验结果表明，由室温至200℃，这两种薄膜对CO气体都显示了较高的灵敏度和选择性，两种薄膜电导对CO的响应服从次方定律关系，薄膜工作温度及厚度对次方因子均有影响，次方因子在0．5—0．8之间，次方因子在膜厚60-70m附近存在极大值，对两种薄膜测量结果的比较说明，这两种薄膜的气敏响应主要发生在薄膜表面。     

掺杂对SnO2薄膜性能影响研究

SnO2薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视,本文就各种掺杂对SnO2薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

Zn掺杂对SnO_2纳米线的气敏性能的影响

为了提高SnO2纳米线基气敏传感器在实际应用中存在着灵敏度低、选择性差等问题,采用物理热蒸发法制备纯SnO2纳米线和不同质量百分比（7%,8%,9%,10%）的Zn掺杂SnO2纳米线,将制得的气敏基料制备成旁热式气敏元件,应用静态配气法对浓度均为500ppm的无水乙醇蒸汽、CO及CH4分别进行气敏性能测试.实验结果显示,Zn掺杂SnO2纳米线相比纯SnO2纳米线的气敏性能有了明显提高（乙醇提高2.46倍,CO提高13.88倍,CH4提高1.43倍）,并得出无水乙醇气敏性能在工作温度为280℃最高,CO,CH4在300℃最好.当Zn的掺杂比例为质量百分含量为9%时,各种比例材料所制成的气敏元件气敏性能最高.     

CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究

采用化学气相沉积法（CVD）制备了Sb掺杂SnO2薄膜（ATO），研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征，XRD结果表明在基板温度为665 ℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜，XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在。讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响，结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势。最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性，认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因。     

粉末溅射SnO_2-Pt薄膜的气敏特性

用粉末溅射方法制备了体添加型SnO_2-Pt薄膜材料。该材料不仅对CO气体有很高的灵敏度、良好的选择性和较低的工作温度,而且其电导在CO气体中有振荡现象。振荡波形除锯齿形、简谐波形外,还出现了“拍振”等更为复杂的波形,振荡频率可达5.2Hz。     

掺镍多孔纳米SnO2材料的制备及其气敏性能

以SnCl4·5H2O为原料,聚乙二醇(PEG-1000)作为分散剂,利用沉淀法制备出SnO2纳米粉体,采用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)对其形貌和微观结构进行表征.并以其作为基底材料以离子的形式掺杂摩尔比为1%的Ni2+作为气敏材料,制作掺杂和未掺杂两种旁热式气敏元件,测试其对乙醇、甲醇和丙酮的气敏特性.发现在较低的工作温度下两种元件对三种气体都有较高的敏感性,同时Ni离子的掺杂对三种气体的灵敏度有不同的影响,对乙醇表现出很好的选择性.     

基于Pt电极的TiO2紫外探测器研究

针对宽禁带半导体紫外探测器响应不够灵敏和响应度偏低等问题,将具有高功函数的Pt电极引入TiO2紫外探测器,采用溶胶凝胶法制备了纳米TiO2薄膜。以金属Pt为电极,采用磁控溅射的方法,将Pt电极溅射在TiO2纳米薄膜上,制作了MSM（Metal-Semiconductor-Metal）型紫外探测器件。在5 V偏压下,探测器的暗电流为4.5 nA,260 nm波长光照下的光电流为5.7μA。在260 nm的紫外光照射下,探测器的响应度达到最大值,约为447 A/W,与其他紫外探测器（200 A/W左右）的响应度均值相比有了很大的提升。最后,设计外围电路,制作出功能完整的紫外强度测试仪。实验表明,该探测器成功地解决了传统宽禁带半导体紫外探测器灵敏度及响应度偏低等问题。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜的研究

利用金属醇盐以溶胶-凝胶方法制备In掺杂SnO2薄膜,并用正交试验系统地研究各种因素对溶胶稳定性和薄膜成膜性的影响,研究表明：溶液配比、加水量、催化剂是制备良好成膜性溶胶的关键因素,适当地稀释倍数对抑制膜层开裂有明显作用。In^3 离子注入极大地提高了薄膜的导电性。     

溶胶水热法制备纳米SnO2气敏材料的研究

利用溶胶水热法制备出纳米SnO2，对其进行了XRD、TEM、TG-DTA、FT-IR等表征；通过研究其粉体IR光谱的Sn-O振动，发现纳米SnO2随着粒径的减小存在明显的红移现象，并对水热制备SnO2产物进行气敏性分析，结果表明：水热SnO2与传统沉淀法制备SnO2产物相比具有对酒精灵敏度高，响应与恢复时间短的特点，适合于用作气敏材料．     

一种两级微桥结构快速测温微型传感器的研制

设计了一种新型薄膜热电阻温度传感器.传感器感温结构由基片（Si）/绝缘层（SiO₂）/感温部（Pt）组成,Pt薄膜片以悬空的微桥连接方式搭接在SiO₂片上,SiO₂片也以同样的方式搭接在Si片上,以此构成两级微桥机构.较之传统温度传感器,该感温部件采用悬空布置结构可使测温过程中的热损失大为减少,并能保证温度传感器热响应的线性度和可靠性. 通过ANSYS有限元软件仿真Pt薄膜片在不同厚度SiO₂片下的温度分布情况. 当SiO₂片厚度为2μm,该传感器热响应时间常数达到最小的10ms,与SiO₂片厚度为5μm 和10μm相比其时间常数减小了50%以上. 研究结果表明:在温度测量过程中,SiO₂片厚度对感温的Pt薄膜片热损失影响很大,在设计中应尽可能减小SiO₂片厚度.     

添加稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂的制备方法

以共沉淀法制备的氧化锡和氧化铈混合物为载体,负载Pt,得到含稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂。考察了该催化剂对CO氧化的催化活性,并与以氧化锡为载体、用浸渍法制备得含稀土氧化物的Pt/SnO_2催化剂进行了比较。实验结果表明:两者对于CO的催化氧化活性基本相同。还进一步考察了该催化剂中晶格氧的作用。     

Al2O3(Pt)修饰SnO2气体传感器的气敏性能

采用共溶溶胶凝胶法及半透膜渗析技术,合成SnO_2纳米粉体．采用旁热式结构,制成了Al_2O_3(Pt)修饰SnO_2双层膜的气体传感器．通过TEM、SEM分析方法分别对SnO_2粉体、敏感膜以及Al_2O_3(掺质量分数3%Pt)表面催化层的表面形貌进行观察和表征．实验结果表明,Al_2O_3(掺质量分数3%Pt)修饰SnO_2双层膜气体传感器对甲烷有好的选择性和较高的灵敏度。在φ(CH_4)= 5×10~(-3)时灵敏度最高可达到5以上．     

SnO2超微粒非晶薄膜对n—Si光电效应的影响

用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜。Ｘ－光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ经超过化学计量比。ｎ－Ｓｉ和ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ的表面光电压谱显示,ＳｎＯ２薄膜的处理条件不同,光电压响应所需光强也不同。将ＳｎＯ２薄膜沉积在ｎ－Ｓｉ上,可使其光电转换效率提高３个数量级以上,并且也能使ｎ－Ｓｉ光电流和光电压有所提高。     

射频反应溅射制备SnO2薄膜机理研究

SnO2薄膜的成膜机制是研究其结构的一项重要内容，本文就射频反应溅射成膜过程中影响成膜质量的因素进行了讨论，给出了薄膜形成过程的初步模型，分析了影响薄膜成长和特性的因素。     

液相沉积法制备氧化锡隔热树脂膜的研究

当今世界以节能减排为主题的低碳经济发展潮流中,包括汽车玻璃和建筑玻璃的隔热贴膜节能技术受到了越来越多的关注.本文采用液相沉积法制备纳米二氧化锡聚丙烯酸酯隔热有机膜.首先选择有利于产生异相沉积的前驱体溶液浓度及pH值,配制浓度为2mM~10mM的低浓度四氯化锡溶液,盐酸浓度选择0.1M~0.4M;选取甲基丙稀酸甲酯34.5%~90%、丙烯酸丁酯10%~35.5%、甲基丙稀酸0~30%、偶氮二异丁腈0.1%~0.3%,制备聚丙烯酸酯薄膜;将制得的聚丙烯酸酯薄膜放入氯化锡溶液中,控制反应温度为40℃~80℃,反应时间为6h~18h,将薄膜拿出,洗涤、干燥得纳米氧化锡有机隔热薄膜.通过XRD分析及SEM观察,氧化锡均匀沉积在有机薄膜表面,具有较好的隔热性能.     

SnO2基压敏陶瓷的烧结

通过对影响SnO2基压敏陶瓷的烧结添加剂CoO，Cr2O3，Nb2O5，Ta2O5，La2O3等化合物以及不同烧结工艺条件对SnO2密度的影响的研究，给出了添加剂的影响结果，并对其进行了理论解释；对烧结工艺条件进行探索，分析其结果，并给出相应的理论解释。为SnO2基压敏陶瓷烧结的进一步研究提供了依据。     

纳米级二氧化锡的清洁制备

以结晶氯化锡为原料,采用水热法制备纳米级二氧化锡,过程中不添加沉降剂和分散剂,避免在晶体洗涤过程中产生酸液及有机废液,实现了纳米二氧化锡的清洁制备.采用X射线衍射仪(XRD)、热重分析仪、傅里叶红外光谱(FT-IR)、粒度分析仪、扫描电子显微镜(SEM)对制备的纳米级二氧化锡进行晶体结构及性能表征.结果表明:所制备纳米二氧化锡具有良好的结晶性、热稳定性和较高的相纯度;粒径分布均匀,粒径范围在40~60 nm之间.     

超长SnO2纳米带的制备及表征的研究

本文以锡粉为原料，采用化学气相沉积法制备了SnO2纳米带．SnO2纳米带的制备在高温加热炉中进行。加热温度为1000℃．X射线衍射（XRD）分析表明，所制备的样品为具有正方金红石结构的SnO2．扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析表明，所制备的样品为尺寸均匀一致的纳米带．选区电子衍射（SAED）结果证实所制备的SnO2纳米带为单晶．通过对其生长过程及机理分析可知，SnO2纳米带的生长是由气一固生长机制来控制的．     

Carbon Nitride Films Deposited on Pt Substrates by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Carbon nitride thin films have been synthesized on polycrystalline Pt substrates using microwave plasma chemical vapor de- position (MPCVD) technique. The N/C atomic ratio is close to the stoichiometric value 1.33 of C_3N_4. The experimental X-ray diffraction spectra contain all the strong peaks of α-C_3N_4 and β -C_3N_4. The films are a mixture of α-C_3N_4 and β -C_3N_4. The observed Raman and FT- IR spectra support the existence of C-N covalent bond in carbon nitride compound. The bulk modulus detected by Nano II nanoindentor is up to 349 GPa.