耐高温的16K位EEPROM

美国一家公司最近开始出售一种耐高温的16K位电可抹可编程只读存贮器(EEPROM).该电路排列方式为2K×8位,工作温度范围-55°～+200℃.此电路型号命名为8014.新混合电路除在150℃温度下可编程、在200℃高温下仍能读出之外,其它工     

位片设计—控制器和运算器(续)

二、简单的控制器最简单的微程序设计的控制器由PROM(从现在起假定这表示ROM或PROM)和寄存器构成,如图2—1所示。寄存器的加载使能端与时钟信号相连接,寄存器输出一地址给PROM存贮器,用该地址取下一个要执行的微指令,它不包括也不需要下一个地址逻辑。在延迟一定时间之后,存贮器将控制信号输送到系统的其它部分,并将下一个地址装入寄存器,这个延迟时间等于寄存器输出达到稳定所要的时间加上存贮器的读取时     

磁芯只读存贮器可靠性

DJS-112机(100系列机)是一台采用微程序控制技术的小型计算机,它需要一个只读存贮器存放微指令和初始引导程序。其技术要求是:存贮容量为192字×32位;工作速度长周期2.4微秒,短周期1.2微秒;读出时间小于300毫微秒;可靠性要高。考虑到取材条件和经济要求,我们选用预线式磁芯存贮器作存贮部件,在磁芯体结构上采用双磁环做存贮单元。这样既可使读“0”读“1”信号数值相等,极性相反,又可使每根线的驱动电流基本相同,保证读出信号的幅值离散小,从而提高读出放大器的鉴别能力,提高本部件的稳定性。此外逻辑设计还采用偶校验出错重读电路。只读存贮器逻辑结构图1是DJS-112机只读存贮器逻辑框图。μJd′_(0～7)为微地址寄存器,称作前台。它由八个D触发器组成,它们的状态由微指令地址字段μJd_(0～7)(后继地址)和     

图象存贮体

在数字图象处理系统中,常常需要把整幅数字图象矩阵的信息或数字图象矩阵中的某一行、某一帧的信息存贮起来.因此图象存贮体是数字图象处理系统中不可缺少的关键部件之一.存贮数字图象信息的方法是很多的.一般有外存和内存,外存贮体有磁鼓、磁带及磁盘等.内存贮体有磁芯存贮体及半导体存贮器之分.在图象处理系统的设备中都采用内存贮体.由于半导体存贮器体积小、速度快、使用方便、价格比磁芯存贮体便宜.因此近年来都采用半导体存贮器.这里我们介绍一个应用MB8114半导体静态存贮器所设计的图象存贮体.它的容量为256×256×12位,写入速度取决于所连接的计算机速度,而读取速度是每一象点为0.2微秒.     

四端口存贮器IDT7MB1041介绍

人们一般对多口器件有特殊的偏爱,因为它不仅扩展了功能,而且提供了一种联接手段。双端口存贮器就是一个例子,它已应用于很多场合。本文介绍它的新一代产品──四端口存贮器IDT 7MB 1041,供读者选用。 产品描述 IDT 7MB 1041是 64k-bit(8k × 8)高速CMOS四端口存贮器模块,四个端口互不相干,可各自独立操作。每个口均具有控制端、地址线和 I/O端,允许异步地对各个地址进行访问(读或写)。它的访问时间最快可达35ns。其性能如下:     

简讯

图象处理计算机日本东芝公司最近开始出售TOSPIX-II型图象处理计算机,处理速度高达120毫微秒/帧,是日本制造的同类计算机中速度最快的一种.此计算机体积为685×500×750(毫米),约比一般计算机小75%.它有一个512K只读存贮器,能存贮相当于八个屏幕的图象信息,它还有一个双体8英寸软磁盘驱动器,组合容量为2兆比特,可选用14英寸黑白或彩色监视器. (陈善海)     

256K位电可编程只读存贮器

美国先锋微器件公司采用分步重复光刻技术,在仅为49平方微米的晶片上集成了256K位电可编程只读存贮器. 这种存贮器在12.5伏电压下就可编程,采用智能编程算法,约在5分钟内能将32K位存贮单元全部写     

1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBH LD)。器件正向泄漏电流小于1μA/5V,阈值电流20mA,20℃时的光功率线性输出大于10mW,最大功率输出大于20mW,50℃光功率线性输出10mW,70℃连续工作,光功率输出大于1.3mW,外微分量子效率50％,比接触电阻3.6-4.8×10~(-5)Ωcm~2,光谱为极好的单纵模,远场辐射θ_2～15°,θ_1～15°-30°,耦合效率高达90％。     

8279可编程键盘／显示接口芯片的应用

在微型计算机系统中,键盘输入和显示输出两个接口往往是必不可少的。大多数微机系统都采用软件扫描方式。但在实时控制系统中,有时CPU很忙,在这种情况下采用8279可编程键盘/显示接口芯片比较合适,它的电路组成和软件编程也比较简单。一、8279芯片简介 8279是一种可编程键盘和显示输入输出器件,它的管脚排列图如图1所示。芯片中的显示RAM可以由编程作为16×8或两个16×4的存贮器,并且可以由大多数微处理器写入或读出。显示器可以从右或从     

用E~2PROM代替EPROM及SRAM的通用方法

E~2PROM是电可擦除电可改写的只读存贮器。近年来INTEL公司、XICOR公司、TRISTAR公司等相继推出了2816A、2817A、2864A等新型E~2PROM器件。这种新型E~2PROM器件的主要优点是内带V_(pp)编程电源,可以使用单一+5V电源擦除和写入,而不必外加V_(PP)编程电源及紫外灯,使用十分方便。虽然它的价格比EPROM贵得多,但由于它具有上述优点,所以仍然得到了迅速地推广和应用。     

芯原股份和中芯国际发布0.13μm半导体标准设计平台

芯原股份与中芯国际共同发布针对中芯国际0.13μm CMOS先进工艺的半导体标准设计平台。这套平台包括存储器编译器,有单口和双口静态随机存储器,扩散可编程只读存储器,双口寄存器组,标准单元库和输入/输出单元库。该平台是针对高密度、高速及低功耗、低漏电要求为中芯国际的0.13     

高效率四声道立体声功放芯片STA530

<正> STA530是意法半导体公司推出的立体声BASH(BASH意指高效率)功率放大器系列的一种。在RL=4/8Ω和THD=1％下,它可输出4×30W、2×60W或(2×30W+1×60W)的功率。     

50℃下室温连续振荡波长638nm的短波长半导体激光器

日本东芝综合研究所的电子部品研究所研制成温度50℃下输出3 mW 连续振荡波长为638nm 的短波长半导体激光器。至今,日本电气公司已制成20℃下连续振荡波长为640nm的半导体激光器。现今波长接近 He-Ne 激光器(633nm),提高了可靠性。市售的半导体激光器波长为660nm。若缩短半导体激光器的波长,有可能提高光盘的记录密度。如换成 He-Ne 激光器,能缩小光学系统。阈值电流为100mA(25℃下)。束放射角:水平方向为7～8°;垂直方向为38°。AlGaInP 系是折射率波导型。由于电流集中在有源层中心区,代替以前的电流狭窄层,其结构是在 p 型接触层中埋入台面状的 p 型涂层。为此,减少在高温下成膜次数,控制涂层的杂质扩散,保证涂层的杂质浓度,能在50℃下连续振荡。     

VIRTEX系列FPGA在SDH中实现片上系统

介绍了VIRTEX系列现场可编程门阵列 (FPGA)作为系统级可编程器件的结构特点和在光同步数字传送网 (SDH)产品中开发片上系统 (SOC)的高效应用。VIRTEX系列FPGA系统集成度高达 10 0万门 ,存贮器为三级存贮结构 ,四个独立的锁相环电路用于内外时钟同步 ,接口采用选择接口技术。成功地用XCV10 0型FPGA开发了 8× 8路的VC - 4数据的数字交叉连接(DXC)芯片。     

倍频器相位变化的测量

本文给出了原子频标中的一种倍频线路。作者设计了相位测量系统和单边带多周期测量系统。用这些系统测定了倍频器的相位漂移和相位噪声。测量表明,温度从30℃升至50℃时,×18倍频器的90MHz输出的相位变化为14°;电源电压从20V升至22V时,相位变化为4.7°;取样时间τ=1s时,倍频器6840MHz输出由相位噪声引起的频率误差σ_τ=1.1×10~(-12),τ=10s时,σ_τ=3.9×10~(-13)。     

重庆光电技术研究所新产品简介

GZ4271Z 型384×491位面阵电荷耦合摄像器件1 工作原理该器件以隔行扫描方式工作。它由491(V)×384(H) 个光电二极管阵列、二相时钟脉冲驱动的体沟垂直 CCD 移位寄存器(V-CCD)、三相时钟驱动的体沟水平 CCD移位寄存器 (H-CCD)、转移栅φ_(TG)控制     

用PIC16F877的CCP2实现等间隔A/D采样

<正> PIC16F877的CCP模块(捕捉/比较/脉宽调制PWM模块)有10种工作方式,特殊事件触发方式是其中常用的一种。通过将CCP2CON寄存器的CCP2M3～CCP2MO位设置成1011,就可使CCP2模块工作于特殊事件触发工作方式。在这种工作方式下,将产生一个内部硬件触发信号,它可以用于启动一个动作。CCP1的特殊事件触发输出将对TMR1寄存器复位,这使得CCPR1寄存器可以作为TMR1的16位可编程周期寄存器。CCP2的特殊事件触发输出也将对TMR1寄存器复位,并且启动模数转换(如果模数转换使能时)。在本程序中,正是采用CCP2特殊事件触发输出启动A/D转换的功能来实现等时间间隔A/D采样的。     

高可靠SOS固态压力传感器

本文报导了高可靠SOS压力传感器研制的实验结果,特别是可靠性试验方法和应用效果。所得传感器的主要性能为:量程0～20MPa,工作温度-55°～300℃,精度0.2～0.5％,满度输出100±20mV,平均寿命(MTTF)≥1×10~6次。     

Atmel推出四种新型LCD AVR闪存微控制器

(BW)(CA-MATRLX-SEMICONDUCTOR)Matrix半导体公司日前发布第二代3D集成电路存贮器技术，这是通过在单个芯片内建立多层存贮器以生产低成本、高密度半导体存贮器产品的一次创新，从而最有效地使用硅晶片。Matrix 3D(3DM)存贮器是一个可编程、非易失性存贮器，也是第一个基于Matrix半导体公司技术的产品系列。     

半导体激光器、集成光学激光器

0103628高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术[刊]/唐淳//强激光与粒子束.—2000,12(5).—544～546(L) 0103629915-980nm 应变量子阱激光器新进展[刊]/徐遵图//功能材料与器件学报.—2000,6(3).—293～296(K)报道了915～980nm 半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为7°和23°,组合件输出功率大于150mW。