首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
基于气层伤害自身的一些特殊性如液相聚集或滞留、压力敏感性、反向吸入现象、气藏的气、水流动阻力大等特点,对延长气田上古生界气藏储集层进行气层敏感性因素评价实验,并对敏感性室内实验评价方法和程序进行对比和研究,最终形成一套完整的延长气田上古生界气藏储集层敏感性室内评价方法.  相似文献   

2.
由于低电阻率油气层的电阻率低于或接近邻近水层的电阻率,降低了利用电阻率识别油气层和水层的分辨率,给测井解释带来较大的难度。青海柴达木盆地第四系涩北气田的储层岩性主要是含泥粉砂岩、粉砂岩和泥质粉砂岩。为了利用测井等资料评价第四系低阻气层,文章在分析和研究测井曲线、岩心分析资料的基础上,提取水层、气层测井曲线以及储层物性特征,剖析了低阻气层最主要原因是储层亲水且较高束缚水饱和度和高地层水矿化度的综合反映。  相似文献   

3.
自来屯油田低阻油层较多,利用常规测井方法识别困难。低阻油层的形成有较多的影响因素,主要地质因素是储层泥质含量高,岩石粒度细,束缚水饱和度高,粘土矿物附加导电性等,钻井过程中咸水泥浆的侵入也是低阻油层形成的主要原因。利用电阻率与自然伽马相对值关系图版进行低阻油层的判别,或是利用不受岩性影响的核磁共振测井技术评价低阻油层,两种方法在自来屯油田低阻油层的评价上均取得较好效果。  相似文献   

4.
珠江口盆地东部低阻成因已进行多次研究,认为主要成因是由于泥质含量高、岩性颗粒细导致束缚水饱和度高形成导电网络而引起,但始终没说明何种成因是主控因素。目前国内对低阻成因的微观机理研究已经比较多,但是对宏观地质规律研究较少。本文从珠江口盆地发现的两种类型的低阻油层出发,从区域盖层的角度分析了低阻形成的主要成因,认为区域盖层的变化是低阻油气藏形成的主控因素,并据此分析对低阻油层可能出现的区域做出钻前预测。  相似文献   

5.
目前我国新发现的天然气田,有60%的天然气储量分布于低渗特低渗砂岩气田中,该类气田储量大,但储量风度低;产能低,产能变化大。由于低渗特低渗砂岩气层的产能受地层岩性、沉积微相、物性、孔喉结构、非均质性、油气充注和含气性等多种地质因素的复杂影响,导致产能预测与实际结果有较大的误差,严重影响后期的开发决策。广义回归神经网络(GRNN)本身具有很强的非线性映射能力,能逼近任意类型的函数。运用广义回归神经网络,综合地质、测井参数,并组合测井参数,敏感性分析,建立预测模型,对气层产能进行预测,取得相对较为满意的结果。  相似文献   

6.
低阻油藏是油田老井挖潜和增储上产的主要方向。从三肇地区目前发现的低阻油层井来看,这些井都具有较高的产能,研究低阻油藏的形成机理和识别方法具有重要的意义。根据三肇地区已发现的低阻油层井,从宏观机理和微观机理入手,重点分析了该地区低阻油层形成机理。认为沉积环境、岩性细、泥质和粘土矿物含量高、储层束缚水含量高、黄铁矿发育是导致该区低阻油层形成的主要原因,为该地区低阻油层的识别提供了地质依据,并对高泥质含量的低阻油层的油水识别方法进行了研究。  相似文献   

7.
板桥油田中浅层发育低阻油层,在测井解释中极易漏失,给油层评价带来一定的困难.通过分析板桥低阻油层的形成原因及影响因素,认为咸水泥浆侵入、粘土矿物附加导电性、高束缚水饱和度、砂泥岩薄互层、低幅度构造及复合因素是板桥油田油层低阻的主要原因.提出了优选低阻油层解释图版、提高测井资料纵向分辨率、应用地质背景、多因素结合分析的低...  相似文献   

8.
针对延长气田储层本身物性,低孔、低渗、低压气层较多,必须进行压裂改造作业,减小钻井过程中对地层污染,保证压裂作业施工正常,射孔作业起着相当重要的作用,本研究通过优化模拟射孔参数,降低孔眼摩阻,进一步减小压裂过程中油管压力。评价出适合延长气田的射孔方式是选用射孔枪孔密为16孔/Mm,孔眼直径需大于1.1cm,127型射孔弹进行射孔,可大大降低孔眼摩阻,降低油管压力。  相似文献   

9.
通过对大港油田港中浅层四性关系研究、储层物性影响因素分析、油藏分析等综合研究评价,发现断块存在常规油层、低阻油层、气层、油水同层四种类型,以常规油层为主、其次为油水同层,存在少量低阻油层和气层。低阻油气层是指油气层电阻率相对邻近水层电阻率而言,电阻率值偏低并引起油水层解释困难的一类油气层。该文通过分析低阻油藏成因,研究形成低阻油藏油气水层综合识别方法,在港中房32-38井区应用后效果显著。  相似文献   

10.
在对气田地质特征精细研究的基础上.选用美国DCI公司研制的Earthvision三维空间建模软件,对气田地下地质特征进行综合研究,建立气田的构造、储层物性、孔隙度、渗透率、含气层饱和度模型,实现了气田的可视化,使气田描述更加全面、合理。  相似文献   

11.
东濮凹陷低渗致密气藏储层物性差,非均质性强,气层自然产能低,为了有效地开发好低渗透气藏,在研究和开发实践基础上形成了储层改造、排液采气、储层保护等配套工艺技术.针对特殊地质状况和开发中难以解决的技术问题,提出适用于东濮凹陷低渗致密储层的采气配套工艺技术对策,以延长气田稳产期.  相似文献   

12.
近些年来,随着勘探认识加深、勘探程度不断提高,新老油区中不断有相对低电阻率油层发现,并逐步成为其主要产油层系。由于新系列测井对辨别低阻油层具有局限性,本文依托录井、地层水、试油、测井及解释等常规资料,对定边地区长2油层组低阻因素进行分析,认为:储层孔隙结构复杂所导致的束缚水饱和度高,是形成低阻油层的主要原因,另外绿泥石粘土膜所吸附的地层水及砂岩储层中高放射性物质含量也会造成长2油层组电阻率值一定程度降低。而较高的地层水矿化度所导致的较差的油水分异特征,是常规辨别低阻油层的薄弱环节,需引起重视。  相似文献   

13.
国内近年来不少油田都有低电阻率油藏的发现和研究,东濮凹陷也有不少地区发现了低电阻率油层,东濮凹陷西斜坡胡状集地区也存在低阻油层形成的条件。近年来在老区增储挖潜过程中加强对低阻油层形成条件的认识和研究,发现了一批低阻油层,深化了对低阻油层形成条件的认识,提高了低阻油层解释的成功率。本文以胡5块为例从地质特征和储层性质方面对低阻油层的成因进行了分析,认为该块地层平缓、泥质含量重、束缚水含量高、岩石亲水是产生低电阻率油层的主要因素。  相似文献   

14.
低渗气田的开发受很多因素影响,其中阻流带对影响开发效果的研究较少,阻流带发育的低渗透气藏井型选择将直接影响开发效果。通过分析阻流带的性质、地质成因、空间分布和双对数压力曲线特征,基于这些阻流带的特征利用目标模拟方法建立地质模型。并通过数值模拟方法,共设计6套开发方案用于对比直井和水平井的开发效果,对比了采收率,累计产量,采气速度等指标。最终认为相对于直井,水平井开发这类气田存在一定优势。  相似文献   

15.
在延长气田气藏开发过程中,山2层产水普遍,平均产水2.85m3/d且存在多种类型,气水分布在纵向和横向上都相对复杂.根据试气、测井和生产动态资料,将气井产水划分为纯水层、致密水层、气层产水和煤层水4种类型,每种类型都受成藏环境、构造条件、储层岩性与物性等方面控制.除正常边底水类型的纯水层外,在延长气田部分井区中,由于储层条件变差,气体驱替能量不足,造成孔隙中水未受到天然气的大规模排驱而残留了大量地层水,形成致密水层、气层产微量地层水和压裂改造与煤层沟通后的煤层水,影响因素主要为成藏环境,古今构造以及储层岩性和物性等.  相似文献   

16.
东濮凹陷白庙气田构造破碎、储层相变快、储量分布不均匀。如何以较少的钻井投资,尽量多地钻遇气层层数,以较少的钻井数最大限度地控制气田地质储量,是高效开发白质气田的难点。通过气田地质研究及气藏工程论证,提出定向井设计思路,并根据不同的地质条件,研究设计出不同类型的定向井,应用于白庙气田产能建设中,效果显著。  相似文献   

17.
介绍了阿根廷Cupen Mahuida海相火山岩气藏的基本地质概况。通过内乌肯盆地海相火山岩气藏勘探开发的成功实例,分析了Cupen Mahuida气田海相火山岩油气藏储层主要受沉积环境,成岩作用,构造运动等因素的控制。沉积环境决定了储层的分布与发育程度;成岩作用决定着储层的孔隙类型,次生溶蚀孔是储集油气的主要空间;构造作用是形成火山岩储层的基础,后期构造活动形成的裂缝在一定程度上改善了储渗条件。  相似文献   

18.
本文以王集小断块油田为主要研究对象,以石油地质学和测井学作为理论基础,从岩心实验、试油资料、测井资料入手,对可能引起低阻因素进行分析[1],揭示本地区低阻油层成因的主要控制因素和次要因素。得出环境因素、岩性、油层厚度、地层水矿化度、孔隙结构是形成低阻油层的主要原因。而泥质成分、含油高度是形成低阻油层的次要原因。  相似文献   

19.
低阻油层作为一个新的研究领域,在石油勘探寻找新的油气藏或在油田开发中后期寻找剩余油的潜力层分布中,占有十分重要的作用。本文通过分析低阻油层形成的主要因素及其形成机理,指出胡状集油田低阻油层形成主要受控于形成油气藏的内外因素。  相似文献   

20.
《应用化工》2022,(Z2):209-212
西区油田发育低阻油气层,因其低阻油层是电阻增大率偏低的一类油层,在测井解释过程中经常被遗漏。根据西区油田特点,在对大量实验数据资料分析对比的基础上,对西区油田旦八区低阻油气层机理进行了分析,认为储层电阻率低的原因主要有:喉道微细、地层水矿化度高,油藏圈闭幅度低等,这为识别低阻油层提供了科学依据。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号