DY—5型亚微米电子束曝光机

本文介绍了ＤＹ－５型微米电子束曝光机的主要技术性能；最细特征线宽０．４μｍ，图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ＾２和２×２ｍｍ＾２；最高扫描速度１ＭＨｚ，可加工１００×１００ｍｍ＾２掩模版或Х７５硅圆片，给出了部分曝光试验结果。     

C波段单片矢量调制器

报道了Ｃ波段单片矢量调制器的设计和制作。采用双栅场效应晶体管（ＤＧＦＥＴ）放大器作为控制器。偏置电路在芯片内。采用集总薄膜电容、电感、电阻作为匹配元件。采用离子注入、背面通孔接地、空气桥跨接等先进工艺技术。描述了ＤＧＦＥＴ器件Ｓ参数的提取步骤。两路放大器和９０°相移网络制作在３．１５ｍｍ×２．５ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上，同相功分器制作在１．６（１．８）ｍｍ×２．９ｍｍ×０．１ｍｍ的芯片上。电路可获得在０～８７°内连续变化的相移量，输出幅度可控。     

非晶硅X－射线探测阵列的研究

研制出ａ－Ｓｉ：Ｈｐｉｎ型Ｘ－射线间接探测线阵，它探测的是Ｘ－射线在闪光体（Ｃｓｌ）所激发的荧光，制备出单元面积分别为２．５×２．５ｍｍ２、１．６×１．６ｍｍ２和１００×１００μｍ２的１６、２５、３２０单元的线阵．器件的暗电流达到１e－１２Ａ／ｍｍ２（－１０ｍＶ），光灵敏度～０．３５μＡ／μＷ（６００ｎｍ）．本文报道了Ｘ－射线探测阵列的制备及测试结果．     

YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

1～20GHzGaAs单片功率放大器

南京电子器件研究所在７６ｍｍ圆片上研制成功超宽带单片功率放大器,芯片尺寸为３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．１ｍｍ,采用栅长０．５μｍ的ＰＨＥＭＴ为有源器件,在１～２０ＧＨｚ频带范围内测得放大器的线性增益为８±０．５ｄＢ,带内输出功率大于１００ｍＷ,最大输出功率超过２５０ｍＷ,输入输出驻波比小于２．０。ＧａＡｓ单片超宽带功率放大器在宽带范围内具有较高的增益和输出功率,增益平坦,驻波特性好,容易级联,可广泛应用于电子工程、微波多路通讯、宽带仪器仪表等领域,可使相应的电子设备进一步小型化、固体化,具有很…     

一种新的微型PTC元件的制造工艺

介绍了一种新的微型ＰＴＣ元件的制造工艺，并对各个工序的技术重点做了详细阐述。作者采用等静压成型和切片、划片新工艺制成２ｍｍ×２ｍｍ×０．３ｍｍ微型ＰＴＣ元件，其居里温度为１２０℃，室温电阻率为１００Ω·ｃｍ，升阻比ρｍａｘ／ρｍｉｎ大于１０３，电阻温度系数α≥１５％℃－１，时间常数小于２ｓ。     

HgCdTe分子束外延薄膜的研制

本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。     

小型电压控制振荡器

小型电压控制振荡器ＭＯＧ系列电压控制振荡器（ＶＣＯ）是日本村田制作所推出的新产品，重０．２２ｇ，外形尺寸为６．６ｍｍ×６．３ｍｍ×２．３５ｍｍ，比市场同类产品约小３５％。工作频率范围：１．１－２．４ＧＨｚ，适用于无线局域网（ＬＡＮ）和移动通信设备。为...     

片式钽电解电容器取得新进展

随着电子设备的小型化和个人化需求，人们正在追求电子部件的表面贴装技术（ＳＭＴ）和高性能化，同时开发小型化、低功耗、性能改善的产品等。片式钽电容器也在追求：（１）产品小型化、在同一尺寸下扩大所容纳的ＣＶ积（容量×电压）；（２）进一步改善高频交流特性（Ｅ...     

20μm高灵敏浸没型碲镉汞红外探测器

报道了一种新型高灵敏浸没型ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的研制，获得了Ｄ＾＊＝１．４６×１０＾１１ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒ＝６０８Ｖ／Ｗ，λｃ（２０％）－２０μ，灵敏元面积Ａ＝０．１２×０．１２ｍｍ＾２，和有效通光孔径ψ＝６ｍｍ的浸没型器件。