钢铁表面化学气相沉积TiN的过渡层

研究了3种钢铁样品表面在化学气相沉积TiN时的过渡层、研究中发现Ti与N可以通过TiN涂层与铁形成过渡层,而钢中原有的C也可在气相沉积时向外扩散至TiN涂层中。在TiN沉积过程中,由于N在γ-Fe中的扩散速率远高于Ti,所以纯铁样品的过渡层包括x-Fe+Fe₂Ti+Fe₂N+TiN与x-Fe+Fe₂N两个分层。     

电沉积铜镍纳米多层膜的机理

采用动电位扫描、循环伏安法以及交流阻抗等方法,研究了从柠檬酸盐体系中电沉积铜镍纳米多层膜的电沉积机理。研究结果表明:在研究体系中铜的沉积是扩散控制的电极过程,而镍的沉积则是首先形成类似Ni(OH)_ads的吸附中间产物,而后在电极上进一步还原为原子态。     

用低压化学气相沉积法形成钼膜

一种用氢还原五氯化钼膜的低化学气相沉积仪被开发。这种仪器可以使每组25片晶片薄膜厚度的均匀性在±5％以内,并且钼膜不被氧化。研究者发现,与常压下相比,在低压时,可在一个较高的温度下,钼的沉积速率受表面反应的制约,并与表面反应部分氢气分压的3/2成正比。     

单膜双室电沉积金属锰

鉴于含锰废水有毒有害,提出阴离子交换膜代替隔膜处理含锰废水。首先采用单因素法探究最佳工艺参数,在最佳条件下,电流效率为71.36%,锰回收率为85.6%,酸回收率为77.23%,能耗为7 784.78 kWh/t;电解锰的宏观形态光滑均匀,具有金属光泽。用SEM和XRD分析手段分析不同亚硒酸浓度对电解锰的影响,结果表明,当亚硒酸为0.07 g/L时,电解锰微观结构表面均匀、致密性好、光滑、无枝晶且空洞最小,晶体形态为α-Mn。     

真空沉积铝膜

真空定向沉积铝膜在合理工艺与沉积厚度条件下具有良好的阻隔性,耐揉折性与装饰性,附着力、耐热与耐水性较差,综合性能低于铝箔,但因其省铝节能、价廉而具一定优势,主要用于中低档固体与半固体包装。     

不锈钢化学腐蚀防护碳层

氢化碳（a-C：H）薄膜具有良好的化学惰性、耐磨性、热稳定性和导热性，对其作为一种替代材料用作钢的防护层进行了研究。利用射频磁控溅射，在压力0．6Pa、射频功率150W和室温的条件下将薄膜沉积在不锈钢、普通碳钢和硅片上。工艺中使用甲烷等离子体。以各种酸（H2SO4、HNO3、HCl、HF）、碱性溶液（NH4OH、KOH）和有机溶剂（2-丙醇，二甲苯和丙酮）进行湿法腐蚀试验。用傅里叶变换红外光谱、拉曼光谱、原子力显微镜和循环伏安测量对试样进行了分析。试样的退化速度慢和腐蚀程度低表明a-C：H薄膜有很高的耐化学性，这意味着该薄膜是一种很有发展前途的材料，可作为防护层应用于化学工业的许多领域。     

缠绕式提升机增加单层容绳量的实践

我矿五号井3m提升机竖井延伸后,提升高度由220.2m增加到385.2m,提升钢丝绳在卷筒上需缠绕双层。五号井是提升人员和物料的综合并。“冶金矿山安全规程”规定在竖井中升降人员和物料应缠绕单层。为实现单层缠绕,采取了两条措施:(1)选用高强度钢丝绳,缩小钢丝绳断面;(2)增加     

化学沉积Ni-N合金工艺

本文以水合肼作为还原剂,以柠檬酸钠为络合剂于碱性条件下在紫铜基底表面化学镀Ni-N合金。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜等方法对其物相、成分和形貌进行了表征,并探究了该反应可能的机理。结果表明镀液可在70℃左右进行化学镀镍,较传统配方(反应温度通常在90℃左右)镀液蒸发速度大大降低,镀液稳定性提高,反应更易控制。该条件下的化学镀镍除经典理论认为的柠檬酸根起络合作用外,还存在联氨-氨配合体系,可自发进行反应的条件大大降低,使镀液可以在更宽的pH值范围内使用。镀层以层岛结合形式生长,适当延长反应时间可得到厚度更大的镀层。     

在硅基底上沉积非晶态碳膜及其光学性能

本文介绍了用射频等离子体化学气相沉积的方法,在硅基底上制备得到具有优异性能的非晶态碳膜。该膜对硅基底有很好的耐磨损和抗反射作用。     

电沉积制备铜钴颗粒膜

采用电沉积方法制备了铜钴巨磁电阻功能膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度等对铜钴颗粒膜层的组成的影响.用扫描电镜、金相显微镜、EDX能谱仪和XRD分析了镀层组成、表面形貌和结构.膜层的组成成分、晶粒大小与镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度有着直接的联系.镀液中钴离子浓度增大时,镀层中的钴含量相应的提高,镀层结晶更加粗大.镀层中铜离子浓度增大时,镀层中的铜含量提高,镀层结晶变得致密.配合剂柠檬酸钠浓度增加对镀层中钴的含量起到一定的抑止作用,而对铜的沉积则有促进作用,同时颗粒膜层结晶更加致密.低pH值下有利于铜的沉积,但此时镀层的晶粒较为粗大.控制电流密度可以改变镀层的组成,较高的电流密度有利于钴的沉积.     

溅射超薄Ag膜中的晶格畸变

用直流溅射法制备了厚度从11．9到189．0nm的超薄Ag膜。X射线衍射（XRD）分析表明：样品中的Ag均为面心立方多晶结构，粒径从6.3到14.5nm。通过晶格常数的计算发现：晶格畸变为收缩，且随着粒径的减小收缩率增加，最大值为1．1％。结合不同方法制备纳米Ag材料的研究结果，讨论了影响晶格畸变的主要因素。     

银精矿预氧化湿法提银工艺研究

利用KClO3作氧化剂,对银精矿进行氧化预处理,考察了盐酸浓度、氧化剂加入量、亚硫酸钠浓度和浸出时间对银浸出率的影响。在盐酸3mol/L、氧化剂为矿量的5%、亚硫酸钠250g/L、2h、50～60℃条件下,银的浸出率平均达94.85%,所得银粉品位高达96%以上。     

加入助浸剂提取难浸银精粉中银的研究

对于含杂质比较多的难浸银精粉 ,采用助浸剂浸出 ,银浸出率可由常规方法的 6 0 %提高到 85 %以上 ,浸出周期由常规的 4 8～ 72h缩短至 2 4～ 36h。     

MPCVD低温沉积金刚石薄膜及其特征

应用微波等离子体辅助的化学气相沉积(MPCVD)工艺成功地实现了金刚石薄膜在700-790℃范围内的低温沉积.发现氧在CH₄-H₂系统中的引入不仅可以减小或消除Raman谱上位于1550cm^-1的非金刚石特征峰,而且还使位于1332cm^-1的金刚石特征峰半高宽显著减小。正是由于原子态氧在较低温度下具有远比原子态氢强烈得多的对石墨和类金刚石碳的刻蚀作用,才用金刚石的低温生长得以顺利进行。本文详细报导了金刚石薄膜低温沉积工艺及其所得薄膜的表征结果,并就Bachmann等最近提出C-H-O金刚石相图针对低温沉积数据进行了讨论。     

低温生长金刚石薄膜及其界面结构X-射线衍射研究

采用X-射线衍射(包括小角度衍射方法)研究了低温气相生长金刚石薄膜和单晶硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过渡层为α-SiC,在较低沉积温度范围(580-290)℃过渡层则由α-SiC和SiO₂所构成。对界面层中α-SiC和SiO₂的晶体结构以及金刚石薄膜面间距进行了讨论。     

高强铝合金的化学镀镍镀层性能研究

对高强铝合金进行了化学镀镍,观察了镀层形貌,对镀后试样进行了不同温度的热处理以及耐热性能试验,研究结果表明:经该工艺处理后镀层胞状形貌明显,结构致密均匀,孔隙少,镀层光亮,结合力好。400℃以下化学镀层的硬度随热处理温度的升高而增大,400℃处理后,镀层与基体的界面元素扩散现象明显。镀层在一定温度下具有保护铝基体的作用,尤其在瞬时高温的条件下镀层的保护作用更加明显。     

掩膜法研究熔融态金属膜中的互扩散

介绍了研究金属熔体中互扩散的掩膜方法,报道了Ｉｎ－Ｂｉ膜在熔融态时的非对称互扩散现象。实验结果表明掩膜方法是研究熔体扩散的有效的新手段。     

银制品防腐工艺研究

研究了纯银制品分别采用铬酸盐化学钝化和有机物化学钝化等不同工艺处理后的抗含硫物腐蚀效果。采用硫化铵溶液进行防腐试验。结果表明,重铬酸钾加硝酸或冰醋酸的处理方法有很好的抗腐蚀效果。     

催化-XRF测定高纯碳酸锂中痕量银

基于在稀硝酸介质中,光照时,银对高锰酸钾分解的催化作用,本文建立测定痕量银的简便、灵敏的方法——催化-XRF法。该法的线性范围为0.01～0.7μg/50ml,检出限为0.02ng/ml。用于高纯碳酸锂中痕量银的测定,结果满意。     

提金渣氯化焙烧提取金银的试验

用氯化焙烧—水浸—氰化工艺对某提金渣进行了提取金、银的试验研究。试验结果表明:在氯化温度为500℃、氯化时间为60 min、NaCl的用量为10%时,金、银的浸出分别为66.41%、40.18%。在上述条件不变的情况下,氰化前进行干磨3 min,则金、银的浸出率可以达到72.30%、53.85%。