上海项身：45nm Opteron 2382零售版上市

虽然“上海”系列处理器是AMD公司面向服务器应用的，但在零售市场上偶尔也能发现其身影，新型号Opteron2382就已经开始入库神通广大的日本秋叶原。     

AMD发布首款45nm工艺的四核Opteron

AMD日前发布了采用45nm制造工艺的服务器用微处理器“Opteron”,开发代码为“Shanghai”。通过使用SOI底板的45nm工艺,制作出了低耗电、高性能的晶体管,性能与同等价位、同等耗电量的原产品相比提高了约35％。通过配备6MB三级缓存和2MB二次缓存,性能比原来提高了5—10％。另外,芯片间接口采用‘HyperTransport3．0’,数据带宽增至17．6GB／秒。内存支持DDR2—800规格。     

45 nm:演绎芯片产业辩证法

<正>当业内人士和用户在为英特尔和AMD将芯片产业带入多核时代而欢呼雀跃的时候,孰不知芯片产业和芯片产业的"圣经"摩尔定律正在遭受芯片发展史上最严峻的挑战和考验。     

从65nm到45nm

英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。     

应对45nm缺陷挑战

在半导体行业的早期,在实施缺陷检查时,会将晶圆置于光线明亮之处,查看表面上的灰尘和其它微粒,并计算散射中心的数量。上世纪90年代初,业界领先企业开始引入在线缺陷检查,以提高良率,增加盈利并加快其产品上市步伐。如今,全球最先进的晶圆代工厂使用一整套高度自动化的缺陷检查和复查系统,借助尖端的光学或电子束技术及专门算法,可以发现并区分各种微粒和图形缺陷。     

45nm工艺与关键技术

介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。     

65nm/45nm工艺及其相关技术

介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。     

高通公司推出45nm Snapdragon芯片组

6月2日高通公司宣布拓展其Snapdragon平台，下一代芯片产品将采用45nm的处理技术，从而为基于Snapdragon的智能手机和smartbook提供更快的处理速度、更长的电池寿命和其他增强的用户体验。     

PVD衬垫扩展到45nm互连

来自IBM、Infmeon和AMD的工程师们的最新研究结果证实，在45nm节点，非常薄的PVD阻挡层仍然展现出良好的可靠陛，特别是当衬垫（1iner）工艺被合理地加以应用时。Infineon的工程师Armin Fischer及其同事们在近期于Phoenix举行的国际可靠性物理研讨会（IRPS）上报告了他们的发现。     

45nm节点在悄悄行动

2006年2月英特尔率先在全球推出45nm153MbSRAM原型,并准备于2007年下半年量产,从此拉开了45nm技术节点序幕。本文介绍了45nm节点的发展动态,并着重介绍45nm光刻、应变硅、低k膜、铜互连,高k膜、新型晶体管结构、SOI和等效离子掺杂等工艺。     

Numonyx 45nm NOR闪存芯片

恒忆（Numonyx）发布采用45nm工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，大幅提高存储产品的性能。     

Xilinx剑指FPGA 45nm时代

由于众多不断增加和演化的标准、苛刻的处理要求以及不断降低的成本和时间预算,数字融合时代加速了对FPGA基本价值主张的依赖性。这些基本价值主张是:灵活性、现场可升级能力、优异的信号处理能力、更快的产品上市时间、降低风险、适应不断演化的标准以及降低系统成本。     

英特尔45nm晶体管采用新型材料

英特尔的基本晶体管设计取得了一项巨大的进步。英特尔称,它正在使用两种全新的材料制作45纳米晶体管的绝缘层和开关栅。英特尔下一代Core2Duo、Core2Quad和Xeon等多内核处理器将使用数亿个这种微型晶体管。英特尔称,它有5个早期版本的产品正在运行。这是英特尔计划生产的15个4     

Intel成功制作45nm芯片

Intel采用45nm工艺技术制作了该行业第一块全功能SRAM芯片,目标是于2007年采用该技术在300mm晶圆上开始制造芯片。目前Intel在Arizona和Oregon有两个制造厂制造65nm芯片,今年在Ireland和Oregon将有两个以上新厂投入生产。     

手机防伪现身上海NFC渐成趋势

三年前,记者曾经在四川移动观看过一个新业务演示,演示内容是手机用户利用发短信的方式,可以查验出泸州老窖酒的真伪。这是四川移动和泸州老窖酒业公司联合推出的手机防伪业务。在那个时候,所有的体验者都认为那     

eASIC推出新一代45nm结构化ASIC

半导体调研机构Gartner多年来一直在跟踪ASIC设计项目数量，其趋势已经无疑被认定向下。最新技术的ASIC设计费用已经上升到一个新高点，以致许多中小规模的公司用不起而只能采用FPGA。而ASIC只有依靠正在研发的各种降低其设计费用的新方法才有希望挽回颓势。     

45nm IC设计面临的挑战

45nm节点使SoC(系统级芯片)设计者获得比65 nm多40%的晶体管数,或芯片尺寸减小40%,但45 nm工艺的掩膜成本将在数百万美元等级,至少在初期是这样.