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基于pin结构的a-Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的稳定性.结果表明,在光照射下,光生空穴俘获造成了a-Si∶H中正空间电荷密度的增加,从而改变了电池内部的电场分布,提高了a-Si∶H薄膜中的电场强度.空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场"死层"),也没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退,因而a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的稳定性. 相似文献
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通过应用 Scharfetter- Gummel解法数值求解 Poisson方程 ,对经高强度光辐照过的a- Si/ μc- Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明 ,光生空穴俘获造成的 a- Si∶H(与μc- Si∶ H)中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高 a- Si∶ H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给 a- Si/μc- Si叠层结构中的 a- Si∶ H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生 a- Si/μc- Si叠层太阳能电池顶电池 (a- Si∶ H p- i- n)的光诱导性能衰退。a- Si/μc- Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 相似文献
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a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析 总被引：2，自引：0，他引：2
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c- Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性 相似文献
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μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池制造中的一些技术分析 总被引：1，自引：0，他引：1
应用计算机数值模拟方法计算n＋（μc－SiC：H）／p（poly－Si）及n＋（μc－SiC∶H）／i（a－SiC∶H）／p（poly－Si）异质结太阳能电池中的电场强度分布，说明μc－SiC／poly－Si异质结电池制造中μc－SiC：H膜厚选择，进而对嵌入a-SiC∶H薄层的μc－SiC／poly－Si异质结太阳能电池设计进行分析，包括a－SiC∶H薄层N型掺杂效应，最后讨论μc－SiC／poly－Si太阳能电池稳定性。 相似文献
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为提高a-Si/μc-Si叠层太阳电池的效率,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了系列n型掺磷硅氧(SiOx:H)薄膜作为中间层,研究了CO2/Si H4气体流量比、沉积功率和PH3掺杂浓度等工艺参数对材料光电特性的影响,获得了折射率、电导率和禁带宽度能够在较大范围内调控的SiOx:H薄膜。 相似文献
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Alexander E. Braun 《集成电路应用》2009,(12):27-27
美国国家标准局（NIST，马里兰州Gaithersburg）最新的研究成果——一种新型的具有商业价值的太阳能电池——使太阳能电池更加接近于实际应用。NIST的科研人员对复杂的有机光电材料进行了深入的研究，这种新材料是有机光电器件的核心部分。 相似文献
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Tsai等人发现180℃退火后在a-Si:H/Au薄膜内生成了雪花状结晶Si岛,类似的结果也被Hultman等人报导过。本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了a-Si:H/Au/A-Si:H(10nm/30nm/10nm)三层膜的真空退火行为并对退火后形成的枝叉状晶化Si岛的结构和形成机理进行了研究和探讨。电镜观察结果表明,Au与Si在室温下形成一互混层,这可通过Au(111)衍射环分裂成d值为0.236和0.248nm的二个衍射环来证实。150℃热处理导致了Au_2Si这一亚稳相的生成。在200和250℃退火一小时后,膜中出现了枝叉状组织。图a显示了在250℃退火后样品中出现的一枝叉状组织的形貌,其内存在的大量弯曲消光条纹表明晶体快速生长在膜内造成了很大的应力状态。图b和c分别是图a中基体区和枝叉区的电子衍 相似文献
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本文采用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟软件在AM1.5G (100 mW/cm2) 的辐射及室温条件下模拟了a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H三叠层太阳能电池的各项性能。本文首先对三个子电池进行模拟,设定构成叠层电池的三个子电池的带隙分别为1.8、1.6和1.4 eV。计算结果表明：缺陷态是影响电池开路电压及填充因子的重要因素。在对三叠层太阳能电池的数值模拟过程中采用两步匹配法进行电流匹配,并对隧穿结进行优化设计。模拟结果表明：叠层电池的开路电压、填充因子和转换效率在优化隧穿结后都得到提高,且S型的J-V曲线消失。同时本文还对叠层太阳能电池的能带图和载流子复合图进行分析,并将本模拟结果与实验数据相比较,可以得出模拟结果与实验数据符合的较好。 相似文献
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通过应用Scharfetter-Gummel数值求解Poisson方程，对热平衡态P^ （a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果指出，采用更薄P^ (a-Si：H）薄膜设计能有效增强光生载流子的传输与收集，从而提高a-Si/c-Si异质结太阳能电池的性能。同时，还讨论了P^ (a-Si:h)薄膜中P型掺杂浓度对光生载流了传输与收集的影响。高强茺光照射下模拟，计算表明，a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性。 相似文献
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CdS/CdTe太阳电池是薄膜太阳电池研究工作的一个重要方向.为了提高开路电压Voc、改善电池的光谱响应,进而提高电池的转换效率,在此提出CdS/CdTe叠层太阳电池结构.文中,叠层电池的顶电池由CdS/CdTe超薄层构成;底电池由CdS/CdTe薄膜层构成.经分析测试,实验制备的CdS/CdTe叠层太阳电池具有明显的叠层结构,开路电压最高达到了852mV,短路电流密度最大为13mA/cm2,填充因子最高为55.2%,这种叠层电池的效率达到了8.16%(0.071cm2).研究表明相对于传统的单层CdS/CdTe太阳电池,CdS/CdTe叠层电池的制备对研究如何提高CdS/CdTe太阳电池的光伏性能有一定的参考价值. 相似文献
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CdS/CdTe叠层太阳电池的制备及其性能 总被引：1，自引：0，他引：1
CdS/CdTe太阳电池是薄膜太阳电池研究工作的一个重要方向.为了提高开路电压Voc、改善电池的光谱响应,进而提高电池的转换效率,在此提出CdS/CdTe叠层太阳电池结构.文中,叠层电池的顶电池由CdS/CdTe超薄层构成;底电池由CdS/CdTe薄膜层构成.经分析测试,实验制备的CdS/CdTe叠层太阳电池具有明显的叠层结构,开路电压最高达到了852mV,短路电流密度最大为13mA/cm2,填充因子最高为55.2%,这种叠层电池的效率达到了8.16%(0.071cm2).研究表明相对于传统的单层CdS/CdTe太阳电池,CdS/CdTe叠层电池的制备对研究如何提高CdS/CdTe太阳电池的光伏性能有一定的参考价值. 相似文献
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根据电流连续性原则和光伏材料选择原则，对叠层电池的电流匹配进行了研究，结果表明，电流匹配是影响叠层电池短路电流和转换效率的重要因素之一，电流匹配可以通过调整单元电池厚度来实现，在此基础上，获得了面积为４００ｃｍ＾２，转移效率分别为８．２８％，７．５２％和６．７４％的ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ，ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ和ａ－Ｓｉ／Ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ高效率叠层电池。 相似文献
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熊绍珍 《固体电子学研究与进展》1989,(4)
A non-linear resistance effect has been found in a-Si PIN solar cells. The dark I-V characteristics of the cells are described.Though the dependence of ln(Isc) on Voc under different light intensity for all the cells can be written Voc = nLKTln(Isc/Io') the differences between the dark and illuminated diode parameters(nd and nL, Io and Io') are varied for the cells with different performances. If the nd of the cell is about 2 then nL相似文献