东芝NAND闪存市场传捷报

2006年第一季度，东芝公司在NAND闪存市场斩获颇丰。作为NAND闪存第二大供应商，东芝一季度的收益为8．01亿美元，比上个年度第四季的6．8亿上升18％。东芝的佳绩同时拉动日本NAND闪存芯片在全球市场占有率，由上个年度第四季的19．2％迅速攀升至一季度的24．6，增长了5．4％。     

东芝采用90nm处理技术使NAND闪存容量达到4GB水平

ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.(TAEC)(东芝美国电子元件公司)及其母公司东芝公司(ToshibaCorp.)为强化该公司在强大的高容量NAND闪存(flashmemory)开发与制造方面的领导地位,4月6日推出半导体行业第一种4GB单芯片(single-die)多级单元(MLC)NAND闪存。东芝还宣布推出     

东芝Hynix了结闪存专利纠纷

近日，日本东芝和韩国Hynix宣布，已经签署一项交叉许可协议，了结一系列有关NAND闪存专利的诉讼和纠纷。     

东芝开发43nm CMOS的16Gb NAND闪存

东芝宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43nm工艺技术制造。新型芯片大小约为120mm^2.存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，并且受其控制，存储单元的数量是56nm产品的一倍，两端均配有一个虚设的字线单元，用于避免程序干扰。同时，通过在电路中加入高压开关，减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量。     

基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计

介绍了一种最新DDR NAND闪存技术,它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制,提供更好的读写速度,以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用.分析该新型闪存软硬件接口的设计方法.     

第四季度NAND闪存市场低于预测水平——东芝在第三季度大放异彩,英特尔和美光依然强劲

全球NAND闪存市场第三季度的收入稍微超出了iSuppli的预测，但MP3播放器惨淡的销售数据却让我们降低了第四季度的销售预测.     

基于NAND闪存的自适应闪存映射层设计

NAND闪存以非易失性、低功耗、抗辐射等优点,被广泛应用于嵌入式系统中.由于闪存写前需先擦写和高坏块率等硬件特性,成为其在应用中的障碍,需要通过闪存映射层进行存储管理.通过给出一种基于NAND型闪存的自适应闪存映射技术,对数据访问模式进行判断,为不同的访问模式提供不同粒度的地址映射方法,用于充分利用NAND闪存的优势克服其缺点,提高系统性能.该方法在Linux系统上予以实现,并进行了性能测试.     

08年NAND厂商排名三星蝉联冠军

集邦科技（DRAMexchange）公布2008年NAND Flash厂商营收,三星（Somsung）以46亿1,400万美元、市占率404％,蝉联第一名宝座;东芝（Toshibo）以全年营收32亿500万美元,市占率28．1％排名居次,比2007年的市占率上升3．1％;海力士（Hynix）名列第三,营收为17亿2,700万美元,市占率为15．1％,较2007年市占率下滑4．1％。     

一种基于虚拟NAND闪存接口的条码解码芯片及设备的设计方案

针对条码解码芯片的实际推广应用,本文介绍了一种基于虚拟NAND闪存的接口模块设计,并根据条码解码芯片及其接口性能指标,给出了几种应用方案。     

什么是NAND闪存？

NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术，具较高的单元密度，可以达到高存储密度，写入和擦除速度较快。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，具有很快的写入和擦除速度，主要功能是存储资料，目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。     

Numonyx NAND闪存

恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品,均采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案     

3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司（Micron Technology Ine．）和英特尔公司（Intel Corporation）联合推出25nm制程的3-bit．per-cell（3bpc）NAND闪存,该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。     

苹果预付5亿美元与东芝签闪存长期供货协议

苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。     

Sun与三星合作开发高性能服务器闪存芯片

三星日前已与Sun开展合作,双方将共同开发用于固态闪存盘的单层颗粒（SLC）NAND闪存芯片。两家公司宣称,与现行标准的SLC闪存芯片相比,新的服务器级SLC NAND闪存的数据写入与擦除速度要比前者快五倍。此外,新设计还将极大地延长高性能数据处理服务器的生命周期。     

NAND闪存错误缓解技术综述

NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储.三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高了密度,降低了存储成本,同时也带来了更加严重的可靠性问题.闪存主控厂商一直采用更强大的纠错码(ECC),如BCH和LDPC码来对闪存中的数据错误进行纠正.但当NAND闪存中的错误数超出ECC纠错能力时...     

第二季度NAND闪存销售额下降4．3％

据IHSiSuppli公司的闪存市场报告,由于一家大型厂商的销售额下降,第二季度全球NAND销售额为47亿美元,比第一季度的49亿美元下降4．3％。该市场降幅大于预期,主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21．4％至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商,仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降,拖累了整体市场。     

Hynix 2005年NAND闪存市场收获颇丰

韩国现代半导体（Hynix）NAND闪存的销售急剧上升，2005年度约增长了500％，使Hynix牢牢占据了三分之一的市场份额。为市场的第二把交椅，2006年Hynix与日本东芝之间势必存在一场竞争。     

Micron推出创新闪存装置 延长NAND闪存生命周期

美光科技（Micron）近日宣布推出高容量闪存产品组合,其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个NAND封装内整合错误管理技术,新的Micron ClearNAND装置解决了NAND在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。     

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

近日,由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产;128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。