161乙取样鉴相器电路分析与改进设计

针对161乙接收机一本振锁相环锁定不稳的现象，对取样鉴相器电路进行了详细分析，提出了电路改进方，从根本上解决了161乙接收机一本振锁相环稳定性差的问题。     

基于系统辨识的小波分析在导弹一级变放故障诊断中的应用研究

提出了一种基于系统辨识思想的故障诊断方法，详细介绍了利用小波分析方法将某导弹一级变换放大器故障精确定位的算法，给出了故障诊断的硬件电路原理图，并且通过仿真实验证实该方法的可靠性和有效性。     

多级线圈发射装置位置触发控制系统研究

多级线圈发射装置的放电时序,需要根据电枢运动位置进行触发控制。使用光电传感器检测位置存在易受环境干扰与异物遮挡等问题。基于差动变压器与运算放大器组成自激振荡回路的方法,设计了一种结构简单、适用于线圈发射装置的位置检测装置。分析了电路原理,并采用低阶因子叠加拟合高阶系统的方法,分析了器件参数对系统的影响并设计电路。通过仿真软件对检测装置电路进行了仿真,并对装置功能进行实验验证。在有限元仿真软件中将检测电路模型与多级线圈发射装置模型结合,进行触发控制,仿真验证了基于位置检测电路的触发控制方法的有效性。     

高精度扭矩转速传感器研究

论述了高精度电阻应变式扭矩转速传感器原理，介绍了半导体电桥电路，高精度电源及仪用放大器电路，以及信号耦合电路等技术关键，给出了检定数据。     

LM-316雷达发射机掉高压故障的分析与排除

针对LM-316雷达发射机掉高压故障现象，从分析电路的工作原理入手，找出了故障是由于高压分压取样电路旁路电容被击穿并同时导致后接电路的运算放大器损坏，使得高压稳幅电路不能正常工作所致。测量并确定了相关电路在正常工作时的电压值，脉冲信号的幅度、周期等参数，对电路设计上的不合理缺陷进行了分析，提出了改进建议。     

锁相解调器锁定指示的快速检测设计与验证

在研究经典锁定指示检测原理后,根据现代数字信号处理技术,提出周期计数检测、数字滤波检测和组合检测方法,详细介绍了硬件设计,阐述了检测方法的软件设计。试验表明,组合检测方法可解决锁定指示状态的快速检测,同时不影响解调器的性能。     

一种基于DSP的电机电磁锁制器控制与检测技术

为提高系统的可靠性，保证载机和飞行员安全，设计一种基于DSP的空空导弹舵面解锁控制和状态检测系统。利用电路仿真分析技术对解锁控制和锁定状态检测电路进行设计、性能分析，完成系统各组成元器件参数偏差对系统性能的影响，针对系统中常见的故障模式，提出了提高该系统可靠性的改进方案。研究结果表明：在控制信号受到强干扰，+27 V供电电源不大于2 ms的瞬时掉电，三极管增益漂移的情况下，该方案仍可使其正常工作。     

激光装定引信低噪声信息接收电路分析与设计

按照低噪声、高增益、低功耗、小体积激光装定引信信息接收电路的要求,研究了激光装定引信信息接收电路并重点设计了前置放大器。给出了低噪声信息接收电路的总体方案和PIN光电二极管的电路模型,详细分析了前置放大器的噪声与幅频特性,最后根据分析与设计结果进行了实验验证。实验结果表明该设计有效可行,满足激光装定引信信息接收电路要求。     

一种通用的电容式微机械陀螺接口电路研究

在分析电容式微机械陀螺驱动和敏感模态运动方程的基础上,提出了一种通用的电容式微机械陀螺接口电路方案。该电路包含检测和驱动电路两个部分,在检测电路方面以C—V检测电路分析为基础设计了陀螺驱动和敏感模态振动检测电路,在驱动电路方面重点研究了采用锁相的方法实现驱动模态稳频控制的频率控制回路和采用整流以及直流电压调整的方法实现...     

引信部件生产的动态测量(第三季度报告 1976.11.11～1977.2.10)

第三季度中,在卖主的工厂里生产、组装并成功地检测了试验站的主要部件。这些部件包括下列各分系统: 计算机控制分系统; 激励分系统; 测量分系统; 接口分系统; 激光分系统。HP公司把前四个分系统组合起来,作为一完整系统进行了检测。测试包括软件操作系统的全部检测以及所有外围硬件的测试。激光微调器在独立应在模拟计算机输入的基础上进行检测。实时放大器测试程序的模拟已经开始。对主线程序作了编码和调试。完成了修改引信振荡器和放大器电路的设计。预制和分析了原型电容器和片状电阻器。     

蒸镀Al和Al-Mn薄膜的组织与耐蚀性研究

利用真空蒸镀技术在碳钢基体上制备出纯Al和Al-Mn合金薄膜,并对不同厚度、蒸发速率下Al和Al-Mn薄膜的表面形貌、结构、结合力和耐蚀性进行了研究。结果表明:纯Al和Al-Mn合金薄膜表面光滑均匀;铝薄膜在3.5%NaCl溶液中的耐蚀性随膜层厚度和蒸发速率的增加而升高;薄膜与基体的结合力随薄膜厚度的增加缓慢下降,但结合力均高于60N。退火处理使铝薄膜的粗糙度增大,但薄膜与基体的结合力基本保持不变。Al-Mn合金薄膜中的Mn以Al-Mn固溶体形式存在,其耐蚀性明显优于相同厚度下的纯铝薄膜。     

纳米磁性薄膜的研究进展

纳米磁性薄膜在光、磁、电方面有着独特的性能。对目前国内外纳米磁性薄膜在磁记录、软磁材料、吸波材料等方面的最新研究进展进行综述。分别对纳米磁性单层膜、多层膜以及颗粒膜的特性,薄膜的制备方法,磁性薄膜表征手段,如XRD、SEM、TEM、AFM、三维原子探针(3DAP)以及磁性能、介电性能和磁导率的测试结合实例进行讨论。纳米磁性薄膜材料性能较传统的粉体有更加明显的优势,薄膜材料特别是纳米磁性多层膜、颗粒膜作为一种新型的磁性复合材料将是今后的研究方向。     

PTFE/Al反应多层膜的制备及力学性能

以铝(Al)为可燃物质,聚四氟乙烯(PTFE)为氧化剂,利用射频磁控溅射法制备了不同厚度,交替沉积的PTFE/Al反应多层膜。采用原子力显微镜(AFM)、X-射线衍射仪(XRD)研究了溅射功率对薄膜表面形貌的影响规律,得到了PTFE/Al反应多层膜适宜的制备工艺,利用纳米压痕仪研究了PTFE/Al反应多层膜的力学性能。结果表明,当射频溅射功率分别为50 W和150 W时,制得的PTFE薄膜和Al薄膜的平均粗糙度与均方根粗糙度均较低。当PTFE/Al反应多层膜总厚度约为300 nm时,与相同厚度的纯PTFE膜和纯Al膜相比,PTFE/Al反应多层膜具有较高的硬度和弹性模量,分别为5.8 GPa和120.0 GPa。     

16Mn钢锌-锰系磷化膜的制备及耐蚀性研究

单独添加钼酸钠、硝酸镧及两者复配调整锌-锰系磷化液成分,在16Mn钢表面制备4种不同磷化膜。用扫描电镜对磷化膜表面形貌和成分进行表征与分析,用测厚仪测量不同磷化膜厚度,将电化学与浸泡试验相结合对不同磷化膜的耐蚀性进行测试。结果表明:单独添加钼酸钠、硝酸镧及两者复配对磷化膜的化学成分无显著影响,但不同磷化膜表面形貌、厚度和耐蚀性差异明显。单独添加钼酸钠、硝酸镧可改善磷化膜致密性,使其厚度减少、耐蚀性提高。钼酸钠与硝酸镧复配制备的磷化膜表面更平整致密,厚度约为8.7μm,腐蚀电位正移到-501.2 mV,腐蚀电流密度降至8.46×10^-6A/cm²,极化电阻增至2.71×10³Ω·cm²,在NaCl溶液中浸泡相同时间腐蚀较轻,耐蚀性更好。     

Fe1-xBx磁性纳米膜微波磁损耗研究

用直流磁控溅射法制备了Fe1-xBx薄膜。用谐振腔点频测试其微波磁损耗。测试结果和理论计算基本相符。研究了薄膜的制备工艺、组分、厚度、各向异性场、饱和磁化强度和阻尼系数等对微波磁损耗的影响。发现增大薄膜的各向异性场或饱和磁化强度、适当增大阻尼系数对提高磁损耗和展宽共振峰频带有益,而且阻尼系数的微小变化将对磁损耗值产生重要作用。试验也表明制备工艺、薄膜组分、厚度对磁损耗具有重要影响。     

等离子喷涂制备压电石英膜材料及性能分析

采用大气等离子喷涂技术制备SiO2膜压电材料,利用XRD和SEM研究其组织结构,同时对其介电常数ε、介电损耗tanδ、压电常数d33、机械品质因数Q等性能进行测试。结果表明:采用大气等离子喷涂工艺可制备出相结构主要由α-石英和α-方石英共同组成组织较为致密、缺陷较多的SiO2压电膜,压电常数d33和介电常数εr随膜厚度的增加而增加,介电损耗tanδ随膜厚度的增加而减小;介电常数εr、介电损耗tanδ、机械品质因数Q随频率的增加而减小,当SiO2膜厚为5mm,压电常数d33最大值为2.3 pC/N。     

调制周期对Al/MoO3反应薄膜热性能和发火性能的影响

为了考察调制周期对反应薄膜性能的影响,采用磁控溅射技术制备了厚度为3μm,调制周期为50,150 nm和300 nm的Al/MoO3反应薄膜,采用差示扫描量热仪(DSC)探索了调制周期对Al/MoO3反应薄膜放热过程和反应活化能的影响;使用高速摄影和激光点火技术研究了三种调制周期反应薄膜的燃烧速率,通过与半导体桥和桥丝融合形成含能点火器件,考察了调制周期对电流和电压发火感度的影响。结果显示调制周期由50 nm增加到300 nm时,Al/MoO3反应薄膜燃烧速率由5.35 m·s^-1降低到1.75 m·s^-1。三种调制周期(50,150,300 nm)Al/MoO3反应薄膜半导体桥点火器件的50%电流发火电流分别为1.44,1.74 A和1.87 A;Al/MoO3反应薄膜桥丝点火器件的50%发火电流分别为0.08,0.65 A和1.02 A;将Al/MoO3反应薄膜与半导体桥和桥丝换能元结合形成点火器件,在点火间隙为1 mm的情况下,能够点燃钝感点火药硼-硝酸钾(B-KNO3)药片,提升点火系统的点火能力和可靠性。     

纳米磁性颗粒膜的制备及微波电磁特性研究

用磁控溅射法制备了FeCoSiB纳米磁性颗粒膜,使用微波矢量网络分析仪,用波导法在C波段测量了溅射膜的微波复数磁导率、复介电常数的频散特性,分析了纳米磁性颗粒膜微波频率下高导磁率的机理.实验结果表明,纳米磁性颗粒膜除在民用的超薄、超轻信息设备中作为新一代微磁器件的重要材料外,还将有可能成为一种全新、大跨度的抗电磁干扰及雷达波吸波材料.     

载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能影响研究

用闭合场非平衡磁控溅射技术制备了高硬度含Cr碳膜。分别用压入法和划痕法测定了薄膜的结合强度。薄膜厚度用球坑法表征。用显微硬度计测定了薄膜的努氏硬度。在不同载荷条件下,用Ball-on-disc球盘磨损试验机研究了薄膜的摩擦系数、比磨损率的变化规律。分析讨论了载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能的影响。结果发现：随着载荷的提高,对磨钢球时薄膜的摩擦系数呈下降趋势．对磨损轨迹和对磨球磨损表面的扫描电镜（SEM）观察发现存在转移膜现象。对磨球磨损表面的EDX分析结果进一步证明了转移膜的存在。文中还对含Cr碳膜磨损机理进行了分析和讨论。用闭合场非平衡磁控溅射技术制备了高硬度含Cr碳膜。分别用压入法和划痕法测定了薄膜的结合强度。薄膜厚度用球坑法表征。用显微硬度计测定了薄膜的努氏硬度。在不同载荷条件下,用Ball-on-disc球盘磨损试验机研究了薄膜的摩擦系数、比磨损率的变化规律。分析讨论了载荷对含Cr碳膜摩擦磨损性能的影响。结果发现：随着载荷的提高,对磨钢球时薄膜的摩擦系数呈下降趋势．对磨损轨迹和对磨球磨损表面的扫描电镜（SEM）观察发现存在转移膜现象。对磨球磨损表面的EDX分析结果进一步证明了转移膜的存在。文中还对含Cr碳膜磨损机理进行了分析和讨论。     

C底层厚度对FePt(001)织构生长的影响

采用直流磁控溅射在表面氧化的Si(001)基片上制备了FePt/C纳米薄膜,将薄膜样品经过600℃真空退火处理1h获得L10-FePt薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和扫描探针显微镜(SPM)对样品的结构、磁性和表面形貌进行测量和分析。结果表明:随着C底层厚度的增加,L10-FePt薄膜(001)取向度增强,有序化程度提高,矫顽力增大;C溅射时间为180s时,获得了具有(001)织构生长的L10-FePt薄膜。