中国芯片技术未来发展趋势

正英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。英特尔还开展了7-5纳米的芯片研发,韩国三星也由20纳米向15纳米进军,成为芯片一霸,台湾的台积电也开始20纳米芯片量产。反观中国大陆中芯国际,芯片还停留在40纳米,还并没有量产。     

英特尔14纳米芯片进入实验室测试

英特尔北欧地区总经理帕特·布莱默（PatBliemer）近日表示,其14纳米制程工艺芯片已经完成设计,进入实验室测试。     

IMFT推出20纳米制程的NAND闪存

近日,由英特尔（Intel）与美光（Micron）合资成立的IMFlashTechnology（IMFT）推出以20纳米制程生产之128GBNAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GBNAND闪存也将进入量产;128GBNAND闪存预计于2012年进行量产。     

英特尔大连芯片厂将采用65纳米制程技术

英特尔公司近日宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65纳米制程技术,这座全新的300毫米晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。大连芯片厂总经理柯必杰表示：“大连芯片厂的建设没有受到全球经济衰退的影响,工厂将于2010年如期建成投产。     

台积电率先量产40纳米制程

台积电近日表示,40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40纳米逻辑制程的公司。40纳米制程是目前半导体产业最先进的量产制程,在全球消费性电子、行动通讯以及计算机市场下一世代产品的开发上将扮演关键角色。台积电40纳米泛用型及40纳米低耗电制程都已经通过制程验证,也按原订计划产出首批芯片,     

Tensilica力倡IP标准化

英特尔公司就日前正致力开发其高性能65纳米（nm）逻辑制程的超低功耗版，以支持面向移动平台和小型设备的超低功耗芯片的生产。这种超低功耗制程将会是英特尔第二代基于65纳米制造技术的芯片制程。     

英特尔公布最新微架构及14纳米技术细节

正英特尔公布了最新微架构的细节,该微架构使用英特尔业界领先的14纳米制程工艺进行了优化。新的微架构和14纳米制程技术相结合,将以高性能、低功耗的特性支持一系列计算需求和产品,涵盖从云计算、物联网基础设施到个人及移动计算。英特尔披露了英特尔酷睿M处理器的微架构细节,这是利用英特尔14纳米技术制造的第一款产品。新的微架构和制程的结合将带来新一轮外观和体验上的创新,产品会更加轻薄、噪音更低。相比     

三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存

据外电报道,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性,比30纳米制程高50%左     

18英寸硅片时代来临？

业界对于未来半导体进步的动力，在继续缩小尺寸方面45纳米制程己量产。对于32纳米制程，用193纳米浸没式光刻机及利用两次图形成像技术，虽然成本稍高但技术上己没有阻碍，英特尔、IBM包括台积电等都声称已有试制样品。至于能否进入22纳米制程．在EUV技术可能推迟至2011年之后的情况下，业界似乎都确信，目前的光学光刻方法有可能延伸至22纳米。而对于硅片直径由12英寸过渡到18英寸，分歧则很大。     

海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM

韩国存储器厂海力士于近日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM,工作频宽为7Gbps,32位I／O信道,数据处理速率每秒28GB／s,电压为1．35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造,体积小,功耗比50纳米制程产品下降20％。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。     

台积电率先推出40纳米制程

台积电3月24目表示,领先专业集成电路制造服务领域推出40纳米制程。此一新世代制程包括提供高效能优势的40纳米泛用型制程（40G）以及提供低耗电量优势的40纳米低耗电制程（40LP）,同时提供完备的40纳米设计服务套件和设计自动化工具,以及电性能参数模犁（SPICE Model）及完整设计环境。首批客户产品预计于2008年第二季产出。     

美芯片商Xilinx将出售全新90纳米可编程芯片

美国芯片设计业者 Xilinx表示 ,将把其新一代可编程芯片的样品出售给客户 ,新产品系采用能降低成本的全新制程。该芯片可允许电子、汽车等制造商为特定用途进行编程。Xilinx表示 ,新芯片采用新的 90纳米制程 ,将会在今年第二季量产。半导体制造商正竞相要提供 90纳米制程的新产品 ,该制程可在愈来愈小的芯片上纳入更多的晶体管 ,以带来显着的成本优势。德州仪器和英特尔均已宣布 ,将在今年内推出采用 90纳米制程的芯片。但与可编程芯片不同的是 ,这两家公司的产品主要是针对无特殊用途芯片编程需求的客户。在可编程芯片市场与 Xilinx竞争…     

思源科技与联华电子共推65纳米制程设计套件

日前，EDA工具厂商思源科技与联华电子共同宣布，思源科技将提供Laker制程设计套件（PDK）给联华电子65纳米制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。双方后续的合作将专注在提供一系列的Laker-UMCPDK上，使得设计团队能将不同产品以最快的时程上市。     

eSilicon推出28纳米下1．5GHz处理器集群

eSilicon公司与MIPS科技公司共同宦布，已采用GLOBALFOUNDRIES的先进低功率28纳米SLP制程技术进行高性能、三路微处理”集群的流片，预计明年初正式出货。     

中芯国际今年芯片产能目标减至每月15．5万片

晶圆代工大厂台积电对外宣布，该公司90纳米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90纳米12口晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商(IDM)。     

台积电积极布局28纳米制程

台积电近日正在加快28纳米以下制程布建步伐,位于中科园区的晶圆15厂第三暨第四期厂房,将同时兴建,预计2013年完工,这二座新厂,未来将成为台积电跨足20纳米制程主要生产重心。     

国内新闻

富士通与北航共建MCU实验室;华虹NEC模拟技术平台发展取得新成就推出CA500C模拟工艺平台;台积电将28纳米制程定位为全世代制程;华为等四深企获发改委十年成就奖;比亚迪接手宁波中纬资产 强化手机芯片布局;英特尔与iNEMI联合举办环保材料研讨会11月11—12日在上海举行     

英特尔至强处理器5400系列，双核英特尔至强处理器5200系列

英特尔宣布推出面向嵌入式市场的全新处理器（具有长达7年的生命周期支持）、芯片组及电信级服务器。新款处理器基于高k金属栅极晶体管技术,并采用先进的45nm制程工艺,具体产品包括四核英特尔至强处理器5400系列和双核英特尔至强处理器5200系列。     

英特尔下一代65纳米工艺制程投入使用

英特尔公司宣布制造出基于65纳米技术(下一代半导体批量制造工艺)的全功能SRAM (静态随机存储器)芯片这种65纳米制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。高级晶体管:英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管,这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下,今天最先进的晶体管(用于英特尔奔腾4处理器)其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。应变硅(…     

英飞凌、TSMC扩大合作，携手65纳米嵌入式闪存工艺

茂德已和尔必达签署DRAM代工合约，尔必达将提供先进的制程技术与产品技术给茂德，茂德将以中科12寸晶圆厂提供尔必达DRAM代工服务。