华虹NEC推出业界领先的0．13微米嵌入式EEPROM解决方案

上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布,公司基于0．13微米嵌入式闪存（eFIash）工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM（电可擦可编程只读存储器）解决方案,充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器（eNVM）技术上的领先地位和创新优势。     

华虹NEC完成Cypress的0．13微米NVM技术授权

赛普拉斯半导体公司和上海华虹NEC电子有限公司今天共同宣布,Cypress的0．13微米嵌入式非挥发性存储器（NVM）技术已经在华虹NEC获得成功验证。始于2006年12月的技术授权项目已经顺利完成。     

华虹NEC完成Cypress的0.13微米NVM技术授权

Cypress和华虹NEC日前共同宣布,Cypress的0．13微米嵌入式非易失性存储器（NVM）技术历经14个月已经在华虹NEC获得成功验证。     

华虹NEC携手华大电子成功开发出第一款银联认证的移动支付芯片

上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布,国内主要的智能卡芯片设计公司之一,北京中电华大电子设计有限责任公司（以下简称“华大电子”）基于华虹NEC成熟的0．13微米嵌入式存储器工艺平台,成功开发出了国内第一颗通过银联认证的国产移动支付芯片（CIU98768A）。     

开发特色工艺平台，成就客户产品芯愿——在2009中国半导体市场年会上的演讲

华虹NEC为国内外客户提供涵盖1．0-0．13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务,成功开发了嵌入式非挥发性存储器（Embedded Non—volatile Memory,eNVM）、模拟／电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台（见下图）以及逻辑、混合信号等通用工艺平台,代工产品已广泛应用于智能卡（第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等）、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。     

华虹NEC成为全球最大8英寸功率分立器件代工厂

上海华虹NEC电子有限公司（华虹NEC）以其特色工艺平台及其最新研发成果在ICCAD2011上令人瞩目。华虹NEC展出了嵌入式非挥发性存储器、模拟／电源管理芯片、射频和功率器件等特色工艺平台的最新技术成果和解决方案，吸引了众多业界专业人士前来咨询交流。     

同方微电子成功采用华虹NEC0．13微米嵌入式工艺开发出双界面银行IC卡产品

纯晶圆代工厂之一上海华虹NEC电子（以下简称“华虹NEC”）宣布．国内主要的智能卡设计公司之一,北京同方微电子（以下简称”同方微电子”）基于公司成熟的0．13微米嵌入式存储器工艺,成功地开发出了高安全性和高可靠性的双界面银行IC卡产品。该产品将有力地配合并推进国家“十二五”期间金融IC卡的迁移和应用．促进国内银行IC卡的产业升级和可持续发展。     

业界要闻

华虹NEC推出业界领先的0.13微米嵌入式EEPROM解决方案上海华虹NEC电子有限公司日前宣布,公司基于0.13微米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM(电可擦可编程只读存储器)解决方案,该方案是在已有的0.13微米嵌入式Flash平台上开发的,实现了Flash和EEPROM的完     

区域动态

华虹NEC携手华大电子成功开发出第一款银联认证的移动支付芯片北京中电华大电子设计有限责任公司基于上海华虹NEC成熟的0.13微米嵌入式存储器工艺平台,成功开发出了国内第一颗通过银联认证的国产     

EVOC推出875P工业级主板FSC-1717VN

Synopsys公司与上海华虹KEC电子有BR公司日前正式宣布．双方针对华虹NEC0．25微米芯片生产线，为共同的用户一起开发并推出了新一代的参考设计流程，这流程基于Synopsys Galaxy设计平台和华虹NEC的I／O和0．25微米标准单元库。设计者可以从华虹NEC得到设计流程，而且马上就能够开始使用Synopsys基于顶级设计工具并经过验证的方法，从而帮助他们解决复杂片上系统(SoC)设计中时序收敛方面的挑战，缩短设计周期，更快地达到量产。     

华虹NEC的0．13微米嵌入式闪存工艺发展取得进一步成果

上海华虹NEC电子有限公司今天宣布与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0．13微米嵌入式闪存工艺（“EF130”）生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试并进入量产阶段，从而使EF130工艺的发展进入一个新的阶段。     

同方微电子成功开发出双界面银行IC卡产品

上海华虹NEC电子有限公司日前宣布,北京同方微电子有限公司（以下简称“同方微电子”）基于公司成熟的0．13微米嵌入式存储器工艺,成功地开发出了高安全性和高可靠性的双界面银行IC卡产品。该产品将有力地配合并推进国家“十二五”期间金融IC卡的迁移和应用,促进国内银行IC卡的产业升级和可持续发展。     

华虹NEC非外延0．35umBCD工艺实现量产

华虹NEC日前宣布,其非外延0．35umBCD工艺开始量产。华虹NEC在2008年成功研发并量产了BCD350（0．35微米Bipolar CMOS DMOS）工艺。针对市场的不同需求,华虹NEC现又推出了非外延工艺的0．35umBCD工艺,即PMU350工艺。PMU350在BCD350的基础上用deep Nwell替代了外延层,并简化了工艺流程,使该工艺更具竞争力。目前,PMU350工艺已经顺利通过了产品验证开始量产。     

TPS79918 RF LDO 可技持向StrataFlash嵌入式存储器（P30）的升级

介绍 德州仪器（TI）TPS79918低压降线性稳压器（LDO）可为英特尔（Intel）新型StrataFlash P30嵌入式存储器提供核心动力所需的性能Intel正在将其采用0.18微米工艺的第三代StrataFlash嵌入式存储器（J3）升级至采用0．13微米的第四代StrataFlash嵌入式存储器（P30）。此新型嵌入式存储器已将所需Vcc电压降至1.8V，因此存储器从J3升级至P30可使得系统的总体工作电流消耗较低。Intel在其应用手册AP812（文档编号306667 Rev2）中建议使用LDO提供新的1.8V电压轨。     

走创新路 辟特色代工服务

2008年中国半导体市场年会上,举行了“2007年中国半导体创新产品和技术”颁奖活动,华虹NEC的两个项目——大功率MOS场效应晶体管模块工艺和0．25μm嵌入式非易挥发性闪存技术荣获该奖项：     

国内新闻

中芯国际取得美国32纳米技术出口许可;华虹NEC的0．13微米嵌入式闪存工艺发展取得进一步成果;国内首台12英寸单晶圆清洗设备亮相工博会;宏力半导体采用Cadence Virtuoso6．1PDK开发系统。     

Sequans通信选用芯原ZSP540处理器

Synopsys与上海华虹NEC电子有限公司日前宣布，双方将携手开发应用于华虹NEC0．18微米工艺的参考设计流程2．0。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供应商后，将充分利用Synopsys Professional Services开发基于Synoopsys Galaxy设计平台和Discovery验证平台，以及华虹NECI／O和标准单元库的完整RTL-to-GDSⅡ参考设计流程。     

华虹NEC与Synopsys公司携手开发参考设计流程2．0

全球领先的电子设计自动化（EDA）软件工具领导厂商Synopsys与中国最先进的集成电路制造商之一上海华虹NEC电子有限公司于2006年10月13日宣布。双方将携手开发应用于华虹NEC 0．18μm工艺的参考设计流程2.0。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供应商后，将充分利用Synopsys Professional Services开发基于Synopsys Galaxy^TM设计平台和Discovery^TM验证平台，以及华虹NEC I／O和标准单元库的完整RTL—to—GDSII参考设计流程。     

宏力半导体与力旺电子合作开发多元解决方案与先进工艺

晶圆制造服务公司宏力半导体与嵌入式非挥发性存储器（embedded non—volatile memory,eNVM）领导厂商力旺电子共同宣布,双方通过共享资源设计平台,进一步扩大合作范围,开发多元嵌入式非挥发性存储器解决方案。     

工艺制造

中芯国际上海12英寸生产线6月装机；茂德获准在大陆投建采用0．18微米工艺晶圆厂；BCD采用先进BiCMOS工艺生产单路低电压运算放大器；华虹NEC获Cypress 0．13微米NVM工艺授权；