飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Teehnologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5mm×6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。     

飞兆半导体推出第二代XSTM DrMOS应用解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）最近推出第二代XSTM DrMOS系列FDMF6708N,这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用于大电流、高频率同步降压DC—DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6x6mm。PQFNIntelDrMOSv4．0标准封装。     

飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）和英飞凌科技Clnfineon Technologies）宣布．两家公司就采用MLP3×3（Power33）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

飞兆半导体和英飞凌科技达成功率MOSFET兼容协议

<正>全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司就采用MLP3×3(Power33TM和Power Stage 3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。     

高可靠性的半导体BGA封装

引言BGA (球栅阵列) 封装MOSFET器件的发展是一项技术突破。采用此技术生产的MOSFET器件热传导性能优异,电流通过能力大、封装尺寸小、栅极电荷少,且导通电阻RDS(on)值低。飞兆半导体公司的PowerTrench工艺与先进的BGA技术结合,可生产出封装尺寸大大减小的器件,而小封装尺寸正是设计人员为了满足当今更小型设备的功耗需求,所关注的主要问题。本文将讨论电路板布局、装配和重新焊接中所需考虑的特殊设计因素。飞兆公司的BGA构造飞兆公司BGA封装由一块硅裸片构成,利用高温焊料连接在铜引线框架上,如图1所示。飞兆BGA上的焊锡球是…     

飞兆推出最小尺寸MOSFET器件，持续电流突破1A

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件——FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。该器件将两个NOSFET集成在一个超小型的SuperSOT-6FLMP封装(倒装导模封装)中。     

飞兆半导体推出具有业界最低RDS（ON）的20V MicroFET MOSFET

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS（ON）的20V 2mm×2mm×055mm薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、     

凌特推出电源排序器LTC2924

飞兆半导体(Fairchild)推出小尺寸且互补对称MOSFET解决方案FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装(倒装导模封装)中。     

SSOT－6FLMP N沟道MOSFET

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出的30V、9mΩFDC796N和100V、70mΩFDC3616N高效N沟道MOS FET器件是专为处理1.8W的功率耗散而设计的 ,是各种应用范畴的小型DC/DC电源的理想解决方案 ,包括电信设备和互联网集线及路由器 ,以及仪表设备和ATE设备。FDC796N和FDC3616N是飞兆半导体最新独特功率MOSFET系列中的成员 ,该系列器件结合了飞兆半导体的PowerTrench技术和先进的SuperSOTTM -6FLMP(倒装引脚铸模封装)技术 ,封装所占的电路板空间比SO -8少70 %。FDC796N同时可提供极低的RDS(on)额定值和低栅极电荷(…     

产品博览

飞兆半导体推出Motion智能功率模块飞兆半导体公司的智能功率模块(Motion-Smart Power Module;SPMTM)为小功率(100W以下)的直流无刷(BLDC)电机应用提供高度集成的解决方案。Motion-SPM器件在单一紧凑封装内集成多项功能,提供简化的电机驱动解决方案以加快工程设计、减小了占用的线路板空间,实现高能效和高可靠的家用电器设计。Motion-SPM模块在高热效、超紧凑(29mm×12mm)的Tiny-DIP封装中集成了六支内置快速恢复二极管的MOSFET(FRFETTM)和三个半桥高电压驱动IC(HVIC),专为内置控制的BLDC电机而设计。     

飞兆与吉林华微达成代工协议

飞兆半导体公司日前与吉林华微电子股份有限公司(JSMC)达成一项为期五年的代工协议，制造选定的飞兆半导体MOSFET和双极功率产品。吉林华微电子将使用其位于吉林市新近建成的晶圆加工厂。     

飞兆半导体强调其Power Franchise战略重点

近期，飞兆半导体公司借助在上海举行PCIM China展会的机会，再次强调其Power Franchise企业战略重点，并宣布授权GEM Services使用其下一代MOSFET封装技术，以及推出以BGA封装且带有晶体管输出的单信道光耦合器Microcoupler。其间，飞兆半导体新任的首席战略长官Izak Bencuya博士，也是业界     

80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装中．具有良好的热性能和高效率特性．适用于机顶盒、数玛相机和硬盘驱动器等产品；     

新产品

<正> 飞兆半导体MicroFET MOSFET以更小占位面积配合便携设计要求飞兆半导体公司为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求,推出采用超紧凑、薄型(1.6mm×1.6mm×0.55mm)封装的高性能MicroFETMOSFET产品系列。设计人员使用这一行业领先的产品系列,能够挑     

飞兆推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件

飞兆半导体公司推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6FLMP封装(倒装导模封装)中，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS=2．5V)可简化采用3．3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。     

飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50％的RDS（ON）

飞兆半导体公司为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的RDS（ON）和出色的品质因数（figure of merits，FOM），有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm&#215;6mm MLP Power56封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。     

飞兆与吉林华微电子达成代工协议，提升功率半导体产能

飞兆半导体公司最近宣布，与吉林华微电子股份有限公司达成一项为期五年的代工协议，制造选定的飞兆半导体MOSFET和双极功率产品。吉林华微电子将使用其位于吉林市新近建成的晶圆加工厂。     

飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出采用1mm×1．5mm×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench。工艺设计，结合先进的WL—CSP封装，将RDS（ON）和所需的PCB空间减至最小。     

中等电压MOSFET器件

飞兆半导体公司扩展PowerTrench MOSFET系列,这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员,是结合低栅极电荷、低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品,可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款,