自泵浦位相共轭镜耦合到环形染料激光器的特性

本文叙述在电场作用下,自泵浦位相共轭镜耦合到环形染料激光器时的波长自扫描特性和共轭反射率随波长变化的特性。实验表明,当波长朝短波方向自扫描时,沿c轴施加的电场能有效地控制波长扫描速率和方向;共轭反射率随波长自扫描朝长波方向增加。     

Cu：KNSBN晶体自泵浦相位共轭波的研究

通过实验对Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体的自泵浦相位共轭透射束进行了研究，发现自泵浦相位工爱射束与入射束功率之比高达０．６。用非偏振共也可以产生自泵浦相位共轭效应。     

单光束泵浦高反射率的KNSBN:Ce晶体的相位共轭镜

提出了一种利用单光束泵浦产生共轭光的方法,并用此方法采用KHNSBN:Ce光折变晶体实现了高反射率的相位共轭镜。     

利用两波耦合增强BaTiO_3晶体的自泵浦位相共轭反射

本文报道了利用BaTiO_3晶体的两波耦合和自泵浦效应,实现高位相共轭反射率的方法。给出位相共轭反射率R随两耦合光束之间的夹角2θ,以及光束强度比β变化的实验结果。在适当的条件下(2θ≈35°,β=2600),得到共轭反射率大于35。     

Ce∶Mn∶SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究

采用垂直提拉法生长了Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值、增益反馈系统,以Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３ 晶体作为存储介质,实现了关联存储。Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体的位相共轭性能优于ＳＢＮ晶体。     

自泵浦位相共轭器中自增强现象与光致宏观电场

研究了自泵浦位相共轭器利用间歇入射光在无光照期间的新奇的自增强现象。发现采用间歇入射光可以显著缩短掺铈与掺锰钾钠铌酸锶钡单晶自泵浦江相共轭器的响应时间。通过实测晶体的光伏与热释电电场，利用电荷输运的基本模型．对实验现象给出了定性解释，且给出了进一步的实验验证。据此，分析了自泵浦位相共轭器的保真度下降的原因。     

Cu：KNSBN晶体中光折变波导诱导532nm连续光自泵浦相位共轭

在原来用８ｍＷ连续５３２ｎｍ激光不能产生自泵浦相应共轭的入射角下．先用锁模５３２ｎｍ的ｐｓ激光脉冲在Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ晶体中预制一条光折变波导，就很容易用连续５３２ｎｍ激光形成自泵浦相位共轭。预制的光折变波导在一般照明条件下可保存３０ｍｉｎ以上。     

光折变相位共轭技术的研究进展

简要地介绍了光折变相位共轭技术的研究概况,着重介绍了自泵浦相位共轭镜及互泵浦相位共轭镜的研究进展,对它们的结构及机理做出了说明。     

KNbO_3:Fe在632.8nm处的自泵相位共轭

本文报道在He-Ne激光的632.8nm实现KNbO_3:Fe自泵相位共轭。虽然光折变材料的耦合系数随工作波长的增加而减少,但通过晶体材料的特殊切割,充分利用了最大电光系数:r_42=380pm/V和内表面的全反射,获得的自泵相位共轭反射率可达40％。     

掺铈KNSBN晶体光折变效应的温度特性

研究了掺铈的KNSBN晶体在632.8nm的光束下,当温度从30℃升高到95℃过程中,两波耦合和四波混频相位共轭的性质。两波耦合实验表明,当温度达到95℃时,增益系数和晶体的响应速度能增加数倍。在温度变化范围内,四波混频相位共轭反射率从4%增加到14%。     

Ce：Nd：LN晶体的生长及光折变效应的研究

本文报道了Ce:Nd:LN晶体的生长、光折变灵敏度和位相共轭效应,并对光折变的产生机理进行了探讨。     

几种测量SBS相位共轭度的方法

讨论了几种相位共轭度的测度方法，对其优缺点进行了比较。     

自泵浦相位共轭中的温度与混沌态

光折变晶体ＢａＴｉＯ３中实验测量了自泵浦相位共轭输出与温度的关系，发现不发温度超过８２℃后，自泵浦相位共轭输出出现混沌。与已有理论模型的计算机模拟解非常接近，说明在光折变晶体的ＳＰＰＣ中，非随机性混沌行为是温度的函数。     

多模石英光纤SBS相位共轭实验研究

采用芯径为100μm、长2m的无掺杂多模阶跃石英光纤,在1.06μm波段,研究了不同焦距下,光纤与耦合透镜间的距离以及泵浦能量对反射率和波形的影响。在不同的入射能量下,得到最大反射率为68.95%,脉宽压缩到入射光脉宽的1/3～1/2。