多晶硅发射极晶体管直流特性研究

研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了EB击穿和CB击穿.电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件.     

超高频晶体管多晶硅发射极新工艺

不管集成电路如何发展，分立器件永远不会被集成电路完全取代。而在分立器件中，高一颗小功率管产量占有相当大的比重。但直到现在，高频小功率管的生产基本上仍然是沿用了传统的老工艺。因此，对于这类器件生产工艺的改进就有着带普遍性的非常重要的意义．我们针对现行小功率管制造中存在的问题，以3DG142为代表品种，试验使用LPCVD多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取射传统的池发射极TIAI结构，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性，取得了良好的结果。一、问题高濒，尤其是超高频小功率晶体管，芯片几何尺寸细微，以致做好…     

超高频多晶硅发射极晶体管的研究

本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题：二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极，ＲＴＡ（快速热退火）用于形成晶体管的单晶发射区，为提高多晶发射区的杂质浓度     

掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55—+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.     

掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55-+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.     

多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6～0.8 nm.同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30％改善至20％,片间均匀性从12％改善至9％,显著提升了产品的成品率.     

大注入下多晶硅发射极晶体管特性的一维模拟

利用Yih－FenyChyan等的PET大注入模型，并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响，编制了程序。结合实例模拟了在大注入下具有发射区、基区指数掺杂分布的PET的电流增益和频率特性（fT人和fmax）。模拟结果表明，RCA器件（发射区的多晶硅／硅界面氧化层厚度δ=1．4um）的β值高于HF器件（δ=0），但HF器件的fTmax值高于RCA器件。     

多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究

本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。     

多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究

本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素，分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性，研究表明，受载流子冻析效应的影响，基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升，使晶体管的频率性能变坏；而由于浅能级杂质的陷阱效应，低温下基区和发射区渡越时间变长，截止频率下降，这些因素在低温器件设计中应予重视。     

超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2 GHz     

多晶硅发射极晶体管（PET）Gummel－Poon模型

本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数β＿Ｆ和特征频率ｆ＿Ｔ，ｆ＿Ｔ的计算和实验结果符合较好。β＿Ｆ的计算表明，所研究器件的多晶硅／硅界面复合较强，复合速度Ｓ＿ｐ达到１０￣６ｃｍ／ｓ。     

多晶发射极结构三极管抗总剂量能力研究

文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构总剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+薄氧化层的结构,该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧化层辐照效应的影响,而普通结构EB之间则是厚氧化层结构,总剂量辐照能力弱。在对多晶发射极结构总剂量辐照关键部位的分析过程中,对多晶发射极三极管局部结构进行了进一步优化设计,最后给出了多晶发射极结构三极管的辐照实验结果,并对实验结果进行了分析。     

多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究

针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流I_b存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。     

Numerical Simulation of Low-Frequency Noise in Polysilicon Thin-Film Transistors

Numerical simulations of low-frequency noise are carried out in two technologies of N-channel polysilicon thin-film transistors (TFTs) biased from weak to strong inversion and operating in the linear mode. Noise is simulated by generation/recombination processes. The contribution of grain boundaries on the noise level is higher in the strong inversion region. The microscopic noise parameter that is deduced from numerical simulations is lower than the macroscopic one defined according to the Hooge empirical relationship and deduced from noise measurements. The higher macroscopic value is attributed to the drain-current crowding induced by nonconducting spots in the devices due to structural defects. The ratio of these two noise parameters can be considered as an indicator to qualify TFT technology.     

多晶硅发射极微波功率管的三维热电耦合模型

文章结合双层多晶硅发射极双极型微波功率管器件结构,采用步内建模法,首次建立了三维热电耦合模型,并进行了直流稳态模拟.模拟结果表明,新的三维热电耦合模型可准确预测功率管结温的均匀状况.与单子胞器件CI相比,多子胞器件C2的中心区域结温变化平缓,结温温度约为390K,比单子胞器件C1的结温温度下降约10K.此外,低热传导率...     

Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀

在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。     

A Conductivity Modulated Polysilicon Thin-Film Transistor

This paper reports a novel high voltage Conductivity Modulated Thin-Film Transistor (CMTFT) fabricated using polycrystalline silicon. The transistor uses the idea of conductivity modulation in the offset region to obtain a significant reduction in on-state resistance. Experimental on-state and off-state current-voltage characteristics of the CMTFT have been compared with those of the conventional offset drain device. Results show that the CMTFT has six times to more than three orders of magnitude higher on-state current handling capability for operating at drain voltages ranging from 15 V to 5 V while still maintaining low leakage current and providing even faster switching speed. The CMTFT devices can be fabricated using a low temperature process (620°C) which is highly desirable for large area electronic applications     

多晶硅发射极超高速集成电路工艺

报道了具有先进双极关键技术特征的多晶硅发射极集成电路的工艺 ,重点介绍了用难熔金属氮化物 (Zr N )作为新的刻蚀掩模实现器件的硅深槽隔离 ;E- B间自对准二氧化硅侧墙隔离 ;快速热处理实现多晶硅发射区浅结及薄基区 ;E、 B、 C区自对准钴硅化物形成 ,明显地减少串联电阻和双层金属 Al间可靠互联等先进的工艺研究 .用此套工艺技术研制出工作频率达 3.1GHz的硅微波静态分频器实验电路 ,集成度为 6 0 0门的双层金属 Al的ECL移位寄存器电路 ,最高移位频率达 45 0 MHz. 19级环振电路平均门延迟小于 5 0 ps