外刊题录

1.半导体中离子注入杂质结构的计算机模拟模型S.S.Commun.,Vol.47,No.4,P.259,1983,72.具有SiO_2图形的硅衬底上无定形硅膜的横向固相外延Appl.Phys.Lett.,Vol.43,No.11,P.1028,1983,123.新MRS型负性抗蚀剂组分的最佳化IEEE Trans.ED,Vol.30,No.12,P.1780,1983,124.环境气体对未掺杂LEC GaAs晶体的影响Jap.J.Appl.Phys.Pt.1,Vol.22,No.11,p.1652,1983,115.InP中磷析出与时间和温度的关系J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.1,No.3,P.825,1983,7～9     

"LG杯"2004手机年度调查

第一部分 读者个人资料1.你的年龄?A.18岁以下 B.18-22岁 C.23-29岁 D.30-39岁 E.39岁以上2.你的职业?A.政府公务人员 B.专业技术人员 C.企业管理人员 D.企业一般职员 E.手机从业人员 F.自由职业者 G.学生 H.其他3.你所处的位置?A.华东 B.华南 C.华北 D.华中 E.西南 F.西北 G.东北     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

Q博士考考你

一.单项选择题:1.有关产品质量的专门性法律和法规是()。A.《中华人民共和国产品质量法》B.《中华人同共和国标准化法》C.《中华人民共和国广告法》D.《中华人民共和国商标法》2.生产部门应该严格按照()进行生产。A.技术标准B.质量标准C.工装标准D.工艺标准3.解决产品质量问题是提高企业经济效益的()。A.目的D.有效保证C.关键D.根本4.由中国电工产品认证委员会颁发的安全标志为()。A.PRC标志B.标样标志C.SG标志D.长城标志5.凡是认证合格的产品均应标有()。A.合格标志B.长城标志C.认证标志D.方圆标志6.医疗设备工作性能的不合D.可…     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

外刊题录

1.聚酰亚胺薄膜的热性能和腐蚀特性Jap. J. Appl. Phys. pt. l. Vol. 23, No. 3,P. 384, 19842.用过硫酸铵作光致抗蚀剂、去除剂和清洗氧化剂Semiconductor Int., Vol. 7, No. 4,P. 109, 19843.NF_3:一种新的干法腐蚀气体S. S. Technol., Vol. 27, No. 3, P. 172,1984.4.用三甲基镓Ga源MBE生长GaAsJ. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, P. 3163,1984     

国外微细加工技术最新文献索引

(为便于读者查阅,现将本索引中采用的期刊名称缩写和全名对照列在下面)A.P.L.J.J.A.P.J.V.S.T.M.M.T.N.I.M.P.R.S.S.T.S.I.S.W.92—5792—5892—5992—6092—6l92—6292—6392—6492—65 Applied Physics Letters Japanese Journal of Applied Physics Journal of Vacuum Science&TechnologyMicrOelectronic8 Manufacturing Technology Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Solid State Technology Semiconductor International Semiconductor World 1991年评选的20种最佳半导体设备S.I. 1991,14(13…     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

索尼EX312型随身听集成块实测数据

表1 .tC301(LA4582C)各脚实测直流电压和电阻引脚123456789电压(V)1 .70 .21 .01 .001 .02 .81 .01 .2电阻(kQ)红笔测5 .25 .44 .54 .504 .52 .81 .01 .2黑笔测l37 .21l120106 .513l4引脚1011l2131415161718电压(V)00 .50 .61 .70l,61 .61 .62 .6电阻(kQ)红笔测5 .55 .55 .45 .55 .55 .55 .55 .55 .5黑笔测11l08 .010l5151213l3引脚l92021222324252627电压(V)1 .61 .61 .62.71 .61 .61 .61 .70电阻(kQ)红笔测5 .55 .55 .55 .55 .25 .25 .55 .50黑笔测1414l420303528l30引脚282930313233343536电压(V)1 .71 .71 .71 .72 .72 .51 .7l71 .…     

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单项选择题:1.PDCA循环概念的最早提出人戴明是哪个国家的人?()A.英国B.美国C.日本D.德国2.下列各项中哪一个不是PDCA循环中的一项?()A.计划B.实施C.执行D.安全3.戴明博士在PDCA循环中提出了多少项管理原则?()A.14B.15C.16D.174.下列各项中哪一项不是“5S”运动中的一项?()A.教养B.清洁C.整顿D.培训5.FMEA的中文简称是()A.失效模式和效果分析B.方差分析与回归分析C.统计分析D.无故障平均时间6.3C认证的认证周期是()A.一至二个月B.一至三个月C.二至三个月D.二个星期7.CCC认证自产品获证之日的第()个月开始进行第一次监督。…     

外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

Q博士考考你

多项选择题1.质量改进活动中,掌握现状阶段必须调查的方面有()。A.特征B.特性C.方法D.地点2.持续质量改进必须做好的工作有()。A.制度化B.必须开好首次会议C.报酬D.培训3.根据水平对比法使用的频率不同,可分为()。A.单独的B.定期的C.连续的D.反复循环的4.亲和图适用于()的问题A     

国际光学工程学会会议录馆藏新书目

国际光学工程学会会议录馆藏新书目捕获.跟踪和瞄准VII=Acquisition,tracking,and pointing VII∥Proc.SPIE.-1993.V.1950.-255空间列骸探测和减缓=Space debris detection and mitigation∥Proc.SPIE.-1993.V.1951.-256侦察技术和成象元件=Surveillance technologies and imaging components∥Proc.SPIE.-1993.V.1952.-352用于空间环境的光子学=Photonics for space environments∥Proc.SPIE.-1993.V.1953.-28893年小目标信号处理及数据处理=Signal and data processing of small targets 1993∥Proc.SPIE.-1993.V.1954.-642信号处理.传感器互接和目标识别Ⅱ=Signal processing,sensor fusion,and targer recognitionⅡ∥Proc.SPIE.-1993.V.1955.-426传感器互接和在宇宙空间的应用=Sensor fusion and aerospace applications∥Proc.SPIE.-1993.V.1956.-286     

外刊题录

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984.7     

外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

高士达CDF—9325X彩电检修数据

引脚直流电压(V)在路电阻(k。)…引脚直流电压(V)在路电阻(kn)红笔测应】产望r盏确.1红笔测黑笔测住寻决毛洲l4 .64.,24}305 .6l0l024 .97 .55 .1}{293 .50 .20 .232 .8317 .2{}252 .97 .51544 .2l57 .2}272 .96 .8l654.61 .71 .7}!262 .97156000}251 1.30 .80 .874 .76 .57}2,123.?0 .5~1084 .466 .5,{23120‘40 .494 .37 .27】22472 .12 .1104 .37 .26 .5}213 .91l7 .4ll4 .363 .1}2。8 .66 .37l22 .83 .16 .5}},。8 .66 .3713096 .5}‘83 .9117 .5l44 .68 .57 .5}170 .46 .51 1.9l53 .72 .62 .6{{‘63 .7262 .6引脚直流电压(V)在路电阻…     

计算机安装、调试和维修人员初级考核复习思考题(2)

25.16根地址线的寻址范围是_。A.64K B.128K C.512K D.1M26.指令周期是指_。A.取指令所需的时间B.执行指令所需的时间C.取操作数所需的时间D.取指令和执行指令所需的是时间27.通常所说的CPUⅣ1.5G是指_。A.其硬盘容量为1.5GBB.其内存容量为1.5GBC.其CPU主频为1.5GHzD.其所用的微处理器芯片的具体型号为Intel1.5GB28.计算机的CPU主要由_。A.内存储器和外存储器组成B.微处理器和内存储器组成C.运算器和控制器组成D.运算器和寄存器组成29.计算机内存储器是_。A.按二进制位编址 B.按字节编址C.按字长编址 D.按微处理器型…     

Q博士考考你

单项选择:1.()电刷具有良好的导电性,且载流量大。A.石墨B.电化石墨C.金属石墨D.碳化石墨2.下面哪个是最高级的信息系统()。A.MISB.DSSC.EDPSD.TPS(事务处理系统)3.能够代表一个国家科学技术水平、管理水平和文化水平的是()。A.综合国力B.质量C.产量D.效益4.变压器铁心采用相互     

外刊题录

1.GaAs材料技术的现状和将来展望Semiconductor World,Vol3.No.4,p.108,19842.短垂直沟道N~+-N~--N~+GaAs MES-FET的数值分析IEEE Electron DeV.Lett.,Vol.5,No.2,p.43,19843.具有负微分电阻的场效应晶体管(AlGaAs/GaAs异质结构)IEEE Electron Dev.Lett,Vol.5,No.2,p.5 7,19844.高耐压(850V)高速功率晶体管NEC技报,Vol.36,No.8,p.177,1983     

显示器件文献索引(续)

肠彩色显示用的液晶材料万于一表示用液晶材料向尾昭夫,今朋周治日立郭瑜(日)vol.63,No.J,pp.231~23),ioaz.96.染料与液晶Dyes and Liquid CrystalG .W.GrayDye Pigm(英)Vol.3,No.2/3,PP.203~209,1982.97.液晶显示器用的涂料Dyes for Liquid Crystal DisPlaysE .M Engler,A.C.LoweIBM Teeh Diselosure Bull,Vol.23,No.12,PP.55~ 58,1981,阳.液晶显示器用的黄色染料Yellow Dyes for Liquid Crystal DisPlays.N .J.Cleeak,R J CoxIBM Teeh Diselosure Bull,Vol.23,No.12,PP.5540一 55遵2,1 981.99.宾主型显示器中偶氮…