多晶硅发射极技术在八位高速视频DAV中的应用

掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结果提高fT及双极集成电路工作程度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、退火及刻蚀工艺研究，确定制造高fT及β值的NPN晶体管最佳工艺条件及参数控制，研制出速度小于4ns高性能多元逻辑八位高速视频D／A转换器集成电路。该产品主要电参数性能已达到及部分超过了目前国际先进产品的水平。     

使用CMOS集成电路需注意的几个问题

集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类,TTL以速度见长,CMOS以功耗低而著称,其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。在电子制作中使用CMOS集成电路时,除了认真阅读产品说明或有关资料,了解其引脚分布及极限参数外,还应注意以下几个问题: 1、电源问题 (1)CMOS集成电路的工作电压一般在3-18V,但当应用电路中有门电路的模拟应用(如脉冲振荡、线性放大)时,最低电压则不应低于     

IC器件的多晶硅互连工艺

本文介绍短沟道Si—栅MOS大规模集成电路的一种新的制造工艺技术。该工艺技术的特点在于用两个单一的磷扩散工艺,形成源和漏区并把磷扩散进多晶硅。其特点也在于在掺磷和非掺磷多晶硅之间所用的腐蚀速率不同。前者降低多晶硅电阻而与结深无关,并对用多晶硅互连的高速MOS大规模集成电路有效。后者提供多晶硅的精确和均匀的图形结构,它对良好的阈值电压的控制能力和均匀性有效,因为对低于3μm的沟道长度是灵敏的。本文同普通工艺进行了比较,为降低多晶硅电阻而检测了工艺效应。并通过用本工艺制造的短沟道晶体管的阈值电压分布,为多晶硅的精确和均匀的图形结构而检测工艺效应。考虑到边缘效应,为说明精确和均匀的图形结构,示出了多晶硅样品的腐蚀剖面图。     

塑料能做晶体管

目前,Lucent Technologies公司正在开发一种适用于显示屏及智能卡的塑料晶体管。与传统的硅晶体管相比较,塑料晶体管具有较长的使用寿命而且造价非常低。塑料晶体管的体积是硅晶体管的三倍,因此只适用于智能卡等产品,而不适用于那些需要微处理器处理的高度集成产品。众所周知,晶体管是几乎所有集成电路的基本构件,由晶体管构成的集成电路已广泛应用于从智能玩具到计算机处理器等方方面面的产品。     

用单板机实现晶体管的自动测试判档过程

<正> 现在,金属管壳封装的NPN和PNP晶体管的测试,大多用手动测试仪及图示仪完成。这对厂家及需求量很大的用户来说,检测环节的负担重,内耗大。最近我们设计制作了用TP801单板机控制的单测NPN硅管的测试仪,实现了对直流参数的自动测试判档过程,大大提高了测试速度。     

集成电路的故障诊断方法探讨

0引言我国自改革开放以来，工业发展迅速，新技术环境背景下，集成电路经过不断地改进，由最初的只能容纳十几个晶体管逐渐演变成现在能够容纳数十万个晶体管，集成电路开始在各行各领域得到广泛应用。与此同时，人们对于产品可靠性运行的要求也越来越高，集成电路故障的诊断工作面临着新的挑战。在过去，集成电路出现问题之后，维修人员只需对十几个晶体管进行逐一检查，便能很快地就找出故障所在，解决问题，显然这种方法已经不适用于现在容纳了十几万个晶体管的集成电路故障诊断了。因此，我们有必要在目前现有的集成电路故障诊断方法的基础上进行改进，以满足日益增长的社会发展需求。     

硅栅工艺

本文描述采用淀积的多晶硅作为栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。 在简单概述硅栅工艺特性后,将评述硅-二氧化硅-硅系统的某些基本性质,制作硅栅器件的制造步骤,以及得到的硅栅器件的电特性。以3705(带译码逻辑的8通道多路开关)为例,对硅栅工艺和标准MOS工艺进行了比较。 给出硅栅工艺的设计考虑和一些设计例子。     

金属-氮化物-氧化物-硅(MNOS)晶体管—特性和应用

氮化硅淀积技术的新进展,导致金属-氮化物-氧化物-硅(MNOS)集成电路工艺的出现,成为现有MOS工艺的另一选择和补充方案。有人提出将MNOS场效应晶体管用于逻辑电路(取代MOS晶体管)和永久性(nonvolatile)的存贮阵列。本文评论MNOS晶体管的特性和应用。提出一种统一的方法来表征稳定的接通电压MNOS晶体管和可变的接通电压MNOS晶体管。本文以MNOS结构中电荷输运和存贮的研究为基础。利用两层介质结构的物理参数描述和分析晶体管的不同工作方式。对晶体管工作的物理机构的分析应适用于晶体管结构的最佳化和各种数字集成电路应用的性能。制作了永久性半导体存贮阵列和永久性触发器证明了这些应用的可能性。     

用SPICE模拟分析指导集成电路的研制

本文介绍了用SPICE进行模拟对集成电路研制的指导作用，通过以四线接收器为例，对该电路的功能及直流参数在PC机上仿真后，取出最佳的工艺条件，来指导集成电路的研制。通过结果比较，说明了用SPICE进行模拟对中、小双极型模拟和数字电路的研制有着非常有效的指导作用。     

高速S—TTL组件的测试和应用

电子计算机的发展与数字逻辑集成电路有着密切的联系,在设计一台大型高速电子计算机时,需要考虑的一个问题就是选择采用何种型式的数字逻辑集成电路。随着半导体技术和工艺的飞速发展,各种不同形式的数字逻辑集成电路不断涌现。但是,对于大型高速电子计算机来说,可以采用的数字逻辑集成电路目前主要有二种:一种是射极耦合逻辑电路(ECL),另一种是采用肖脱基二极管钳位的晶体管—晶体管逻辑电路(S—TTL),这二种线路在使用     

英特尔2008盘点

在集成电路问世50年之际，英特尔公司今年也度过了40周年庆典。利用领先的英特尔45纳米制造工艺和全新的晶体管技术，英特尔在2008年不仅发布了大量的创新产品，还在研发、环保和企业社会责任等方面取得了令人瞩目的成就。除针对笔记本电脑、PC和服务器等传统市场领域的新产品，英特尔还推出了一系列针对新兴市场和高科技增长领域的芯片产品和技术。     

电子模拟开关及其CMOS集成化的发展趋势

<正> 在模拟控制、计算和转换系统中,以适当的速度和高精度的转换模拟信号是一个重要课题。迄今为止,人们已经在这方面化费了大量的人力和物力,取得了很大的进展。模拟开关的发展大体上经历了由机电开关、双极型晶体管开关到结型和MOS型场效应晶体管开关的过程,产品则由分立元件逐渐转化到集成电路。如果不考虑速度,机电开关可以看成是近乎理想的开关(接通阻抗为零;断开阻抗为无限大)。双极型晶体管开     

Video Editing视频编辑软件

有源音箱采用真空管是极典公司率先在其产品上采用的一种技术，采用该技术的音箱不同于传统的有源音箱．因为传统有源音箱采用集成电路功放作为放大器，而真空管有源音箱则是采用真空管做放大器。众所周知放大器有三类：真空管、晶体管和集成电路(IC)，其中IC设计简单价格低廉，但音质最普通．晶体管放大电路则位居其次；而真空管放大电路则音质最好，但成本最高．设计复杂。     

一种16K×1I~3L动态RAM

以前已经介绍过一种4096×1双极型动态RAM。这里将介绍一种采用同样单层布线(I~3L)工艺、管腿兼容的16384×1动态RAM。这种16K存储单元由两支NPN、PNP晶体管组成。存储保持在NPN晶体管的集-基电容上,该晶体管产生β倍的电荷读出。由外围读出-驱动电路确定的单元尺寸是0.7 mil~2,用单层布线的存储器芯片尺寸为26000 mil~2。地址译码是借助于如图1所示的快速、低功耗树译码结构实现的。从两个地址引线来的输入信号被预先译码,在四个缓冲输出中得到一个高电平信号。然     

微电脑应用天地广阔

再过三年即将跨入世纪之交，回顾过去半个多世纪以来科学技术发展的历史，没有可以比以半导体超大规模集成电路为基础的微电脑的飞速发展更加令人兴奋的事。众所周知，以半导体超大规模集成电路为基础的微处理器发展日新月异，每18个月微处理器的速度就要加倍的摩尔定律，至今还未过时。1971年美国Intel／k司推出的微处理器芯片上只有230O个晶体管，1982年的Intel的8O286就有134．000’q晶体管，198G年的lute1486微处理器有一百一十万个晶体管，fol996年初推出的奔腾P6则有55O万个晶体管。由此而装成的微电脑功能也更加增多。最近11。ill…     

硅外延生长管实用开关线路

本文提出了采用硅外延生长NPN和PNP型晶体管的六种线路,即反相器、触发器、自由多谐振荡器、斯密特触发器、脉冲放大器和单稳线路,探求合理的线路条件,并分别测试了其输出特性。本文提出了线路设计的基本公式,给出了各线路应用该类型晶体管的最佳条件,线路输出特性列于文内各表中,重点给出开关特性。     

高速双极型逻辑集成电路——ECL、TTL近况

前言 随着电子数字设备在高速大容量方面不断提出新的要求,对单元逻辑电路速度要求也越来越高。半导体集成工艺技术的飞速发展,已使毫微秒、亚毫微秒逻辑电路的生产和使用成为现实可能。 当前,双极型晶体管逻辑电路主要仍然是分饱和型和非饱和型两大类。市埸大量供应的半导体逻辑集成电路基本型式有:(1)二极管-晶体管逻辑电路(DTL),(2)晶体管-晶体管逻辑集成电路(TTL),(3)射极耦合电流开     

基于EM1模型的晶体管h参数及其等效电路分析法

本征晶体管的EM1模型是集成电路设计中进行计算机电路分析与设计的简易可行且有效的方法之一,而晶体管h参数是电子器件中分析低频小信号电路常用的手段。通过对EM1模型等效电路图及端电流端电压方程的计算分析,将其应用于对双极型晶体管三种组态h参数的计算中,并分析参数物理意义,得到其低频小信号等效电路。     

VMOS—一种新的MOS集成电路工艺

叙述了一种新的V型槽MOS集成电路工艺(VMOS)。这种工艺是利用硅的选择蚀刻原理来确定MOS晶体管的沟道。整个制作过程包括三次或四次掩蔽工序,并且利用这种工艺能够形成硅栅或者普通金属栅晶体管。这种工艺在要求不高的对准误差条件下,产生非常短的沟道。除了沟道短而外,VMOS晶体管的输出电导要比普通MOS晶体管小,而击穿电压更高。 介绍了VMOS晶体管的一阶理论,并对不同沟道长度的器件进行了测量。也介绍了运用这种工艺制作的某些集成电路,其中包括R—S触发器和27级戽斗式移位寄存器。讨论了在这些应用中VMOS的优点。     

制造工艺的里程碑——解密Intel45nm处理器

六十年 弹指一挥间 1947年，当肖克利和他的两位助手布拉顿、巴丁在贝尔实验室工作时发明世界上第一只晶体管的时候，他们自己都不曾想到人类的历史就此改变。蓦然回首，晶体管技术飞速发展的60年里，也正是电子计算机迅猛发展的60年。晶体管的出现，以及后来大规模集成电路、超大规模集成电路的实现，