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《中国激光》2015,(3)
光栅-外腔光谱合束是基于光栅的波长选择特性和外腔的反馈,使得半导体激光阵列(DLA)中的每个发光单元锁定在不同的波长,并保持每个发光单元输出光束在近场和远场重合,实现光谱合束后输出光束质量与单个发光单元的光束质量保持一致,极大地改善了输出光束的光束质量。实验采用发光单元宽度为100μm、周期为500μm,由19个发光单元组成的常规CM-Bar条进行光栅-外腔光谱合束技术实验,在连续运行最大注入电流为70 A,获得了44.9 W的连续激光输出,快慢轴的光束质量分别为1.52 mm·mrad和5 mm·mrad,合束后的电光转换效率为36%,输出光斑亮度约为36.92 MW/cm2-str,光谱展宽为3.24 nm,合成输出激光可以被耦合进入50μm芯径、数值孔径(NA)0.22的光纤中,作为高亮度激光抽运源或直接半导体激光光源使用。 相似文献
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介绍了一种采用0.6μm CM O S工艺实现的256单元光电管阵列四象限CM O S光电传感器。该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路,差分放大电路和数字控制电路组成。每个有源光电管单元的尺寸为60μm×60μm,其感光面积百分比为64.5%,制造工艺与CM O S工艺兼容,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片化集成。通过变频二次采样的工作方式,该传感器的感光动态范围可扩大到84 dB。 相似文献
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本文综述法国原子能委员会LETI红外实验室在双波段红外焦平面列阵方面所做的研究工作.在工艺上,该实验室采用的是通过分子束外延法在晶格匹配的高质量CdZnTe衬底上生长的HgCdTe多层掺杂异质结构.器件的结构是n+ppn,而且在空间上是相干的.长波层是一个平面状的n+/p二极管,它是通过离子注入制成的,而波长较短的p-n二极管则是在分子束外延过程中通过掺铟在原位制成的.最后一个结是通过台面蚀刻而被隔离的,探测器通过铟丘与一个读出效率接近100%的读出电路互连.每个像元有一个或两个铟丘,用来按序或者同时访问两个波长,探测器的间距分别为50μm和60μm.每个波段中的单元探测器所呈现的性能接近用标准工艺制作的单色探测器的性能.为了优化双波段红外焦平面列阵的性能,LETI红外实验室专门为这种列阵设计了一种硅CMOS读出电路.本文介绍了128×128元(间距为50μm)中波红外(2μm~5μm)双色焦平面列阵在77K温度处操作时的光电性能. 相似文献
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南京电子器件研究所近期研制成功1.44~1.68GHz 220 W硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.44~1.68 GHz频带内,脉宽200 μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220 W,功率增益大于7.1 dB,效率大于45%.该器件采用高效梳条状结构,单元间距6μm,发射极和基极线宽1.9μm,金属条间距1.6μm.每个器件由6个面积为1 600μm×800 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个大功率子胞.整个器件包含12个大功率子胞、20个内匹配电容和200多条连接金丝. 相似文献
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实现了一个基于触发器结构用0.35μm CMOS工艺实现的1∶8分频器.它由3级1∶2 分频器单元组成,其中第一级为动态分频器,决定了整个芯片的性能,第二、三级为静态分频器,在低频下能稳定工作.分频器采用源极耦合逻辑电路,并在传统的电路结构上进行改进,提高了电路的性能.测试的结果表明,芯片工作速率超过8.5GHz,工作带宽大于2GHz.电路在3.3V电源电压下工作,每个1∶2分频器单元的功耗约为11mW,面积为35μm×50μm.该芯片可应用于高速射频或光电收发机系统中. 相似文献
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晓晨 《激光与光电子学进展》2000,(6)
亚利桑那光功率公司从一个单片二极管激光列阵获得240W、930nm最高输出功率。1cm宽的列阵总发射孔径为4800μm,填充因子为70%,装在多扩散层铜散热片上,用20°C水冷却,用240A驱动电流时可提供240W输出功率。公司还从类似的125A驱动电流时发射115W连续波的808nm列阵中获得最高功率密度。该列阵的发射孔径为2600μm,填充因子为26%,用温度为20°C的冷却液工作。目前虽没有可靠数据,但商品化改进型作为高功率固态激光器的抽运组件在材料加工、医学应用中颇具吸引力。240W连续波二极管列阵@晓晨… 相似文献
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红外列阵摄像机(IRAC)是Spitzer空间望远镜中的三台焦平面仪器之一。这是一台四通道摄像机,能够同时在3.6μm、4.5μm、5.8μm和8.0μm波长处获取宽带图像。四个通道成对地(3.6μm和5.8μm为一对,另一对为4.5μm和8μm)观测焦平面中两个靠得很近的5.2′×5.2′的视场。摄像机中的四个探测器列阵的尺寸均为256×256元,两个较短波长的通道使用InSb探测器,而两个较长波长的通道则使用Si:As IBC探测器。由于红外列阵摄像机具有高灵敏度、宽视场和四色成像功能,因此是一台得力的观察仪器。本文简单介绍该仪器在飞行中的科学、技术和工作性能. 相似文献
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0.35μm CMOS 8 5GHz1∶8分频器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
实现了一个基于触发器结构用 0 .35μm CMOS工艺实现的 1∶ 8分频器 .它由 3级 1∶ 2分频器单元组成 ,其中第一级为动态分频器 ,决定了整个芯片的性能 ,第二、三级为静态分频器 ,在低频下能稳定工作 .分频器采用源极耦合逻辑电路 ,并在传统的电路结构上进行改进 ,提高了电路的性能 .测试的结果表明 ,芯片工作速率超过8.5 GHz,工作带宽大于 2 GHz.电路在 3.3V电源电压下工作 ,每个 1∶ 2分频器单元的功耗约为 11m W,面积为35μm× 5 0μm .该芯片可应用于高速射频或光电收发机系统中 相似文献
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中红外手性超材料具有体积小、易集成等优点,在中红外激光偏振态调控方面具有潜在的应用。本文提出了一种多层ITO椭圆柱中红外手性超材料。该结构的每个单元由三层相同的氧化铟锡(ITO)椭圆柱组成。模拟结果表明,椭圆柱之间的距离、椭圆柱的厚度、椭圆柱的短长轴之比、椭圆柱中心的相对位置、椭圆柱的数量和椭圆柱材料对结构的圆二向色性(CD)均产生了影响。结构在三个不同的波段均展示CD特性,在波长为3.52μm、4.12μm和5.28μm附近处展现出三个不同强度的CD极大值。模拟结果也表明,与贵金属金、银椭圆柱构成的结构相比,由ITO椭圆柱构成的结构展现出更宽带和多带的圆二向色性。后者结构在中红外波段的CD主要有一个带,在0.39μm附近带宽为0.5μm,而前者在4.12μm和5.28μm附近处的半高宽分别为0.6μm和1.6μm,这在中红外宽带和多带偏振态调控方面具有潜在的应用。 相似文献