高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵

报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.     

高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵

报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.     

出纤功率30W的激光二极管线列阵光纤耦合器件

用一根柱透镜对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向进行准直,准直后的光束耦合到光纤列阵中.大功率半导体激光二极管线列阵的输出功率为40W,线列阵有19个发光单元,每个发光单元的发光区面积为100μm×1μm.大功率激光二极管线列阵耦合后出纤功率为30W,耦合效率为75%,光纤的数值孔径为0.11.     

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。 更多还原     

出纤功率30W的激光二极管线列阵光纤耦合器件

用一根柱透镜对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向进行准直 ,准直后的光束耦合到光纤列阵中 .大功率半导体激光二极管线列阵的输出功率为 4 0 W,线列阵有 19个发光单元 ,每个发光单元的发光区面积为10 0μm× 1μm .大功率激光二极管线列阵耦合后出纤功率为 30 W,耦合效率为 75 % ,光纤的数值孔径为 0 .11     

780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究

为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780 nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100 μm,填充因子仅为10％.在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666 mm·mrad增加至0.782 mm·mrad.注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506 mW的高光束质量激光输出.     

窄光谱高亮度半导体激光器光栅-外腔光谱合束实验研究

光栅-外腔光谱合束是基于光栅的波长选择特性和外腔的反馈,使得半导体激光阵列(DLA)中的每个发光单元锁定在不同的波长,并保持每个发光单元输出光束在近场和远场重合,实现光谱合束后输出光束质量与单个发光单元的光束质量保持一致,极大地改善了输出光束的光束质量。实验采用发光单元宽度为100μm、周期为500μm,由19个发光单元组成的常规CM-Bar条进行光栅-外腔光谱合束技术实验,在连续运行最大注入电流为70 A,获得了44.9 W的连续激光输出,快慢轴的光束质量分别为1.52 mm·mrad和5 mm·mrad,合束后的电光转换效率为36%,输出光斑亮度约为36.92 MW/cm2-str,光谱展宽为3.24 nm,合成输出激光可以被耦合进入50μm芯径、数值孔径(NA)0.22的光纤中,作为高亮度激光抽运源或直接半导体激光光源使用。     

256单元光电管阵列四象限CMOS传感器研究

介绍了一种采用0.6μm CM O S工艺实现的256单元光电管阵列四象限CM O S光电传感器。该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路,差分放大电路和数字控制电路组成。每个有源光电管单元的尺寸为60μm×60μm,其感光面积百分比为64.5%,制造工艺与CM O S工艺兼容,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片化集成。通过变频二次采样的工作方式,该传感器的感光动态范围可扩大到84 dB。     

激光微加工电热微夹钳设计与FEA仿真

选用厚度为12.5μm的镍箔,采用激光微加工技术制备尺寸为2.8 mm × 1.4 mm ×0.0125 mm的微夹钳.其每一对级联元件由一系列致动单元组成,而每个致动单元由一个制约器和两个呈半圆形的动作梁构成,其驱动原理是电热效应.运用有限元分析(FEA)仿真了微夹钳的动态性能,对其动态性能进行了实验测试.测试结果表明,当电压为1.9 V时,最大位移量达到28.8μm,延迟时间小于200 ms.     

双波段红外HgCdTe焦平面列阵

本文综述法国原子能委员会LETI红外实验室在双波段红外焦平面列阵方面所做的研究工作.在工艺上,该实验室采用的是通过分子束外延法在晶格匹配的高质量CdZnTe衬底上生长的HgCdTe多层掺杂异质结构.器件的结构是n+ppn,而且在空间上是相干的.长波层是一个平面状的n+/p二极管,它是通过离子注入制成的,而波长较短的p-n二极管则是在分子束外延过程中通过掺铟在原位制成的.最后一个结是通过台面蚀刻而被隔离的,探测器通过铟丘与一个读出效率接近100%的读出电路互连.每个像元有一个或两个铟丘,用来按序或者同时访问两个波长,探测器的间距分别为50μm和60μm.每个波段中的单元探测器所呈现的性能接近用标准工艺制作的单色探测器的性能.为了优化双波段红外焦平面列阵的性能,LETI红外实验室专门为这种列阵设计了一种硅CMOS读出电路.本文介绍了128×128元(间距为50μm)中波红外(2μm～5μm)双色焦平面列阵在77K温度处操作时的光电性能.     

光纤放大器

本专利阐述两个结构新颖的光纤放大器,放大器的工作波长为1.55μm。由掺铒光纤和反射镜组成的共振单元,在1.25μm泵     

1.44~1.68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管

南京电子器件研究所近期研制成功1.44～1.68GHz 220 W硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.44～1.68 GHz频带内,脉宽200 μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220 W,功率增益大于7.1 dB,效率大于45%.该器件采用高效梳条状结构,单元间距6μm,发射极和基极线宽1.9μm,金属条间距1.6μm.每个器件由6个面积为1 600μm×800 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个大功率子胞.整个器件包含12个大功率子胞、20个内匹配电容和200多条连接金丝.     

0.35μm CMOS 8.5GHz 1∶8分频器的设计

实现了一个基于触发器结构用0.35μm CMOS工艺实现的1∶8分频器.它由3级1∶2 分频器单元组成,其中第一级为动态分频器,决定了整个芯片的性能,第二、三级为静态分频器,在低频下能稳定工作.分频器采用源极耦合逻辑电路,并在传统的电路结构上进行改进,提高了电路的性能.测试的结果表明,芯片工作速率超过8.5GHz,工作带宽大于2GHz.电路在3.3V电源电压下工作,每个1∶2分频器单元的功耗约为11mW,面积为35μm×50μm.该芯片可应用于高速射频或光电收发机系统中.     

240W连续波二极管列阵

亚利桑那光功率公司从一个单片二极管激光列阵获得240W、930nm最高输出功率。1cm宽的列阵总发射孔径为4800μm,填充因子为70%,装在多扩散层铜散热片上,用20°C水冷却,用240A驱动电流时可提供240W输出功率。公司还从类似的125A驱动电流时发射115W连续波的808nm列阵中获得最高功率密度。该列阵的发射孔径为2600μm,填充因子为26%,用温度为20°C的冷却液工作。目前虽没有可靠数据,但商品化改进型作为高功率固态激光器的抽运组件在材料加工、医学应用中颇具吸引力。240W连续波二极管列阵@晓晨…     

微菲涅耳透镜列阵制作

本文介绍用制版的方法制作的微菲涅耳透镜列阵及其成像实验。每个微菲耳透镜直径为1mm,对于0.633μm 波长焦距为5mm,最小光栅周期为6.4μm,列阵面积为20×20mm~2。     

用于SPITZER空间望远镜的红外列阵摄像机

红外列阵摄像机(IRAC)是Spitzer空间望远镜中的三台焦平面仪器之一。这是一台四通道摄像机,能够同时在3．6μm、4．5μm、5．8μm和8．0μm波长处获取宽带图像。四个通道成对地(3．6μm和5．8μm为一对,另一对为4．5μm和8μm)观测焦平面中两个靠得很近的5．2′×5．2′的视场。摄像机中的四个探测器列阵的尺寸均为256×256元,两个较短波长的通道使用InSb探测器,而两个较长波长的通道则使用Si：As IBC探测器。由于红外列阵摄像机具有高灵敏度、宽视场和四色成像功能,因此是一台得力的观察仪器。本文简单介绍该仪器在飞行中的科学、技术和工作性能．     

0.35μm CMOS 8 5GHz1∶8分频器的设计

实现了一个基于触发器结构用 0 .35μm CMOS工艺实现的 1∶ 8分频器 .它由 3级 1∶ 2分频器单元组成 ,其中第一级为动态分频器 ,决定了整个芯片的性能 ,第二、三级为静态分频器 ,在低频下能稳定工作 .分频器采用源极耦合逻辑电路 ,并在传统的电路结构上进行改进 ,提高了电路的性能 .测试的结果表明 ,芯片工作速率超过8.5 GHz,工作带宽大于 2 GHz.电路在 3.3V电源电压下工作 ,每个 1∶ 2分频器单元的功耗约为 11m W,面积为35μm× 5 0μm .该芯片可应用于高速射频或光电收发机系统中     

近红外光谱仪

由StellarNet公司生产的NIRX-SR系列光谱仪采用512元的InGaAs光电二极管列阵和高速USB 2.0接口,其工作波长范围为0.9μm至2.2μm。这种坚固防     

多层ITO椭圆柱中红外手性超材料的多波段圆二向色性北大核心CSCD

中红外手性超材料具有体积小、易集成等优点,在中红外激光偏振态调控方面具有潜在的应用。本文提出了一种多层ITO椭圆柱中红外手性超材料。该结构的每个单元由三层相同的氧化铟锡(ITO)椭圆柱组成。模拟结果表明,椭圆柱之间的距离、椭圆柱的厚度、椭圆柱的短长轴之比、椭圆柱中心的相对位置、椭圆柱的数量和椭圆柱材料对结构的圆二向色性(CD)均产生了影响。结构在三个不同的波段均展示CD特性,在波长为3.52μm、4.12μm和5.28μm附近处展现出三个不同强度的CD极大值。模拟结果也表明,与贵金属金、银椭圆柱构成的结构相比,由ITO椭圆柱构成的结构展现出更宽带和多带的圆二向色性。后者结构在中红外波段的CD主要有一个带,在0.39μm附近带宽为0.5μm,而前者在4.12μm和5.28μm附近处的半高宽分别为0.6μm和1.6μm,这在中红外宽带和多带偏振态调控方面具有潜在的应用。     

楔形光纤排与半导体激光器耦合技术研究

首先从半导体激光器列阵的发光特性出发,利用楔形光纤排对大功率半导体激光器列阵光束进行耦合,最后得到一只含有19个纤芯,每个纤芯为200μm,数值孔径为0.12的大功率半导体激光器光纤耦合模块,输出功率为32.48W, 耦合效率为81.2%.