正电子湮没辐射多普勒加宽的去卷积谱

在用Ge(Li)谱仪对正电子湮没多普勒加宽谱进行测定时,由于谱仪自身的分辨函数宽度与多普勒加宽谱线的木征宽度相比不能忽略,因此,为了得到加宽谱的本征分布,需要对实测谱进行去卷积处理。 若设仪器的能量分辨函数为R(x),待测的未知原函数为W(x),实测函数为F(x),则这三个函数之间应满足如下的积分方程:     

正电子湮没多普勒展宽数据的稳定和修正

本文介绍了在正电子湮没多普勒展宽测量中如何利用参考谱线去稳定和修正正电子湮没谱线的线型参数。     

聚氯乙烯共混改性的正电子湮没研究

采用正电子湮没对添加聚丙烯酯类增韧粒子的聚氯乙烯共混材料进行了研究。结果表明,随ＡＣＲ比例的上升,ＰＶＣ结构中氯原子的强电负性受到削弱,ＰＶＣ主链区和结构改性剂中自由体积缺陷尺寸及数量增加。     

多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序

本文提供一个消除仪器的时间分辨函数影响作多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序(NFIX ED),其源程序是美国乔治亚大学徐孝华教授赠送的。这个程序只有一个主程序,无子程序,结构简单,适合用小型计算机处理数据。程序流程中,根据不固定或固定(寿命和强度)成分的需要分十二种情况进行处理,由指示变量(J_6)来选择,变化灵活,效果显著。又使用解行列式的方法求修正参变量,进行迭代运算,避免了解方程的复杂程序设计。用此程序要注意以下几点:     

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱分析

硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。     

半导体中的正电子湮没研究

根据Brandt-Reinheimer模型,用一个与禁带宽度有关的增强因子f(r_i,E_g)来考虑半导体中出现的禁带,而与正电子发生湮没的价电子,则仍然被当作自由电子气,得到半导体中正电子湮没的寿命:     

正电子在不同结晶度Teflon中的湮没特性

本文通过寿命谱和多普勒增宽谱测量来了解正电子在不同结晶度Teflon中的湮没机制。同时为获得长寿命驻极体提供信息。用FWHM=440ps的寿命谱仪测量了由等温退火和淬火而获得不同结晶度的Teflon样品。用X衍射测得等温退火样品的结晶度为74％称TEF~((c)),而淬火样品几乎看不到结晶峰称TEF~((α))。用对~(106)Ru的分辨率为1.14keV的高纯锗测量两种不同结晶度的多普勒增宽谱,算得S参数见表。     

正电子湮没寿命谱指数函数拟合程序

本文提供一个从正电子湮没寿命谱中消除时间分辨函数的影响作指数函数拟合的方法。用剥皮法给出参数初值和拟合数据的起始点,使所用高斯-牛顿法中的迭代过程迅速而准确地达到收敛。编制的计算程序(PLSEF)经使用证明效果是好的。     

环氧树脂/贝壳粉复合材料的自由体积特性的正电子湮没研究

采用气流磨粉碎的方法制备了平均粒径在微米尺寸的三角蚌贝壳粉,将此贝壳粉与环氧树脂进行熔融共混得到一系列不同配比的复合材料.贝壳粉的有机质有助于提高两相间的相互作用,适量微米级贝壳粉的引入,在环氧基体和粒子相之间形成了一定数量的界面层,两相间有较强的界面亲和力,体系的自由体积尺寸与强度略有下降,中间寿命分量强度升高,这种较好的界面效应使得复合材料在受到外力作用时,断裂能和应力能够很好地通过界面传递到贝壳粒子上,从而使复合材料的性能提高.     

正电子湮没对研究热平衡点缺陷的应用

根据有关理论,在热平衡下单、双空位浓度C_(1v)、C_(2v)之间的关系为C_(2v)=1/2+Zexp(ΔS_(2v)K)exp(H_v~B/KT)(C_(1v))~2ΔS_(2v)是双空位间的组合熵。若不考虑三空位和更多空位的成团,则晶体内总空位浓度为C_v′=C_(1v)+2C_(2v)。假定晶体内还存在点缺陷(如某种间隙),由推导可得     

电子辐照Ni_3Al的正电子湮没研究

Ni_3Al是一种金属间化合物,其结构与有序合金Cu_3Au相同,是Ni基超耐热合金的主要强化相。在室温,成分范围为72.5～77at.％,化合比两侧形成替代式固溶体。理想成分的Ni_3Al,到接近熔点附近仍保持有序结构。     

γ辐照LiF晶体的正电子湮没

实验所用的晶体沿〈100〉解理。~(60)Coγ辐照剂量分别为5×10~4rad、5×10~5rad、1×10~6rad、5×10~6rad、1×10~7rad。吸收光谱测量使用岛津UV-360型光谱仪。为计算色心密度,全部测量均设置于同一吸收档。正电子寿命谱测量使用快-慢符合正电子寿命谱仪。谱仪的双高斯分辨函数的参数为:半高宽度W_1=(0.35±0.02)ns,W_2=(0.46±0.04)ns,相对强度I_1=(68.7±1.0)％,I_2=(31.3±1.0)％,中心相对位移为(0.061±0.002)ns。正电子源为10μCi的~(22)Na,每个谱总计数不少于9×10~5,环境温度T=23.5±0.5℃。数据处理采用positronfit程序在B—1955计算机上进行。     

正电子湮没寿命谱仪

本文介绍正电子湮没寿命潜仪的方法、原理和类型,描述其主要电路,讨论其性能及影响因素。     

利用正电子湮没技术研究大豆磷脂脂质体的结构相变

生物膜是一个多脂组份系统,前人的工作是利用PAT测量生物膜的模型系统的结构相变,都采用单脂或双脂组份的磷脂脂质体为实验对象,根据测量结果推测多脂系统的行为。为了使模型系统更接近真实的生物膜,本工作以多脂的大豆磷脂(九种组份)脂质体为对象,用PAT测到了在-25℃-+20℃范围内-18℃、-4℃+12℃处的三个相变点并与DSC测量结果作了比较,PAT结果给出了DSC未测出的-4℃处的相交点。     

Cu-Al-Zn-Mn-Ni形状记忆合金的正电子湮没研究

Cu-Al-Zn-Mn-Ni为形状记忆合金。本文采用正电子湮没寿命和多普勒展宽参数的测 量对该合金在不同工艺处理后的内部结构作进一步研究。熔炼两种成份合金,其化学成份和相变点如下表所示,试样均在865℃加热20min,然后分别淬入200—-196℃不同温度的冷却     

一种小型正电子寿命谱分解程序(CYHLS)

该程序将正电子寿命谱看作是一至多个指数衰减函数与仪器分辨函数的卷积,使用最小二乘法进行拟合,从而可将寿命谱分解成一或多个寿命成份,并得到各成份的寿命值τ_1,和相对强度I_j,以及正电子湮没的平均寿命τ_(mean)。与POSITRONFIT程序相比,它们的拟合结果是一致的,拟合方差可达到1～3左右。该程序在微处理机上就可运行,且计算结果与初值的选择无关,使用方便。     

Fe-Ni合金马氏体相变缺陷的正电子湮没研究

我们对含Ni量28～37wt.％的十一种合金的马氏体相变进行了研究。 加工态合金(变形量>60％)经液氮淬火后,正电子平均寿命τ和S参数值不变。因为冷加工产生的缺陷对正电子的捕获已达到饱和。     

Co-Ga二元系β相的正电子湮没的研究

Co-Ga合金β相的点阵常数随at.％Ga成份而变化,在48at.％Ga处有一最大值。在富Co端能被解释为替代式固溶体,但在富Ga端存在什么类型固溶体?本文用正电子湮没寿命和S参数来研究Co-Ga体系中β相固溶体的类型。     

氧化物中正电子湮没特性的研究

我们测定了不同价态和化学性质差异较大的Fe_2O_3、CuO、Al_2O_3、ZnO、TiO_2、BaO、